Eletrônica II Germano Maioli Penello 24/03/2015. MOSFET

Eletrônica II

Germano Maioli Penello

24/03/2015

MOSFET

MOSFET

Dispositivo de 3 terminais•Amplificação de sinal•Lógica digital •Memória

Largamente utilizado no design de CI

MOSFET

Opera em baixa potência

Dispositivo de 3 terminais•Amplificação de sinal•Lógica digital •Memória

Largamente utilizado no design de CI

Fabricado em dimensões reduzidas

Utilizado em projetos de VLSI(microprocessadores atuais)

Fabricação do MOSFET

http://jas.eng.buffalo.edu/education/fab/NMOS/nmos.html

Operação do MOSFET

http://jas.eng.buffalo.edu/education/mos/mosfet/mos_2.html

http://jas.eng.buffalo.edu/education/mos/mosfet/mos_0.htmlhttp://jas.eng.buffalo.edu/education/mos/mosfet/mos_1.html

Operação do MOSFET

Canal só é criado quando Vgs > Vt

Vgs < Vt - Região de corte (iD = 0)

(Vov < Vgs – Vt )

Vds < Vov (Região Triodo) Vds < Vov (Região de saturação)

Observe essas regiões no aplicativo do slide anterior

Característica de transferência de tensão (VTC)

Q - ponto quiescente

Característica de transferência de tensão (VTC)

Q - ponto quiescente

Ganho de tensão de sinal pequeno

Operação de sinal pequeno

Na saturação, iD Vov2 ou iD (VGS - Vt)2

Modelo de circuito equivalente para sinais pequenos

Fonte de corrente controlada por tensão

Amplificadores MOSFET

http://jas.eng.buffalo.edu/education/ckt/mosamp/index.html

Transcondutância (gm)

Lembrando:

BJT

BJT

http://jas.eng.buffalo.edu/education/fab/BjtFet/index.html

BJT

http://jas.eng.buffalo.edu/

http://www.falstad.com/circuit/e-npn.html

BJT

Região ativa e de saturação

Transistor npn com corrente IE constante.

Atenção! Saturação em BJT é completamente diferente do MOSFET. A região de saturação do MOSFET corresponde à região ativa do BJT.

Região ativa

Amplificador de tensão

http://www.falstad.com/circuit/e-transswitch.html

Amplificação linear

Ponto quiescente

Amplificação linear

Transcondutância (gm)

, se

<10mV