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UFJF – FABRICIO CAMPOS 12.7) Tipos de ROM EEPROM – Electrically Erasable Programable ROM Pode ser apagada no próprio circuito Pode-se reescrever bytes individualmente CI 2864 8Kx8 = 64kbits 13 pinos de endereço 2 13 =8192 = 8K endereços 8 pinos de dados = 8 bits

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12.7) Tipos de ROMEEPROM – Electrically Erasable Programable ROMPode ser apagada no próprio circuitoPode-se reescrever bytes individualmente

CI 28648Kx8 = 64kbits13 pinos de endereço213=8192 = 8K endereços8 pinos de dados = 8 bits

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12.7) Tipos de ROMEEPROM – Electrically Erasable Programable ROMOperação de escrita (5ms relativamente lento)

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12.7) Tipos de ROMDiscos reflexivos (Baratos)Os Dados são gravados “queimando-se” a tinta reflexiva

Discos de 12cm

CD-ROM ~700MBComprimento de onda 503nm

Trilha de 1.6µm com 22,188 voltas, 5,6 km de extensão

44100 amostras × 16bit/amostra × 2 canais = 1411,2 kbit/s (mais de 10 MB por minuto) DVD-ROM ~4,7/8,5 GB

HD-DVD ~15/30GBBLU-RAY ~25/50 GB

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12.7) Tipos de ROM

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12.8) Memória FLASHDesafio: Memória não-volátil com a capacidade da EEPROM de apagamento elétrico e com a densidade e custos da EPROM mantendo a alta velocidade de leitura

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12.8) Memória FLASH

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12.8) Memória FLASHCI 28F256A215=32768=32k endereços8 bits32KB ou 256KbitsTempo de escrita 10us (EPROM-100us / EEPROM 5ms)

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12.8) Memória FLASHK9WAG08U1MNAND FLASH 1Gx8bitPáginas de 2K Bytes

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12.9) Aplicações das ROMsMemória de ProgramaTransferência de dados e portabilidadeBoot StrapTabelas de DadosConversor de DadosGerador de FunçõesArmazenamento auxiliar

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12.10) RAM Semicondutora

Armazenamento temporário de programas e dados

Memórias de Leitura e escrita

São voláteis

Ciclos de Leitura e Escrita rápidos

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12.11) Arquitetura da RAM

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12.11) Arquitetura da RAMExemplos: 2147H / MCM6206C

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12.12) RAM ESTÁTICA (SRAM)Armazena os dados enquanto a alimentação é mantidaAs célular são FFs

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12.12) RAM ESTÁTICA (SRAM)

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12.12) RAM ESTÁTICA (SRAM)

Chips comerciais

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12.13) RAM DINÂMICA (DRAM)

MOS – Elevadas Capacidades – Baixo consumoAs células são pequenos capacitoresRequer REFRESH (2~8ms)Menor velocidade, Mais complexas, Maior Capacidade, Menor custo por bit, Menor consumo quando comparado com SRAM

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12.14) OPERAÇÃO DA DRAM

SW1 e SW2 FECHADAS – ESCRITA

SW2, SW3 e SW4 FECHADAS – LEITURA/REFRESH

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12.14) OPERAÇÃO DA DRAM

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12.15) LEITURA/ESCRITA DA DRAM

LEITURA

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12.15) LEITURA/ESCRITA DA DRAM

ESCRITA

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12.16) REFRESH DA DRAM

A cada leitura de uma célula, todas as células daquela linha são reavivadasCI Controlador de DRAMRefresh apenas com ~RAS

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12.18) EXPANSÃO DO TAMANHO DA PALAVRA E DA CAPACIDADE

Expansão do tamanho da palavra

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12.18) EXPANSÃO DO TAMANHO DA PALAVRA E DA CAPACIDADE

Expansão da Capacidade