Primeira Lista de Exercícios Eletrônica I – 1S2015 1. Qual é a principal diferença entre as características de uma chave simples e as de um diodo ideal? 2. Defina com suas próprias palavras: semicondutor, resistividade, resistência de corpo do diodo, e resistência ôhmica de contato. 3. Esboce a estrutura atômica do cobre e discuta por que ele é um bom condutor e como sua estrutura é diferente da do germânio e do silício. 4. Defina com suas próprias palavras o que significa material intrínseco, coeficiente de temperatura negativo e ligação covalente. 5. Pesquise e liste três materiais que tenham um coeficiente de temperatura negativo e três que tenham um coeficiente de temperatura positivo. 6. Qual é a energia em joules necessária para mover uma carga de 6 C através de uma diferença de potencial de 3 V? 7. Se 48 eV de energia são necessários para mover uma carga através de uma diferença de potencial de 12 V, determine a carga envolvida. 8. Pesquise e determine o nível de Eg para GaP e ZnS, dois materiais semicondutores usados na prática. Determine também o nome de cada material. 9. Descreva a diferença entre os materiais semicondutores do tipo n e do tipo p. 10. Descreva a diferença entre as impurezas doadoras e aceitadoras. 11. Esboce a estrutura atômica do silício e insira uma impureza composta de arsênio, como demonstrado para o silício. 12. Repita o problema 11, mas insira agora uma impureza composta de índio. 13. Descreva com suas próprias palavras as condições estabelecidas pelas situações de polarização direta e reversa em um diodo de junção p-n e como elas afetam a corrente resultante. 14. Determine a corrente de diodo a 20ºC para um diodo de silício com Is = 50 nA e uma polarização direta aplicada de 0,6 V. 15. Repita o problema 14 para T = 100° C (ponto de ebulição da água). Considere que Is aumentou para 5,0 μA. 16. (a) Determine a corrente no diodo a 20°C para um diodo de silício com Is = 0,1 μA em um potencial de polarização reversa de – 10 V. (b) O resultado é o esperado? Por quê? 17. Na região de polarização reversa, a corrente de saturação de um diodo de silício é de cerca de 0,1 μA (T = 20°C). Determine seu valor aproximado se a temperatura for aumentada para 40°C. 18. Compare as características de um diodo de silício e de germânio e determine qual você preferiria para a maioria das aplicações práticas. Dê alguns detalhes. Consulte a lista de diodos de um fabricante e compare as características de um diodo de germânio e de silício de especificações máximas semelhantes.
Primeira Lista de Exerccios Eletrnica I 1S2015 1. Qual a
principal diferena entre as caractersticas de uma chave simples e
as de um diodo ideal? 2. Defina com suas prprias palavras:
semicondutor, resistividade, resistncia de corpo do diodo, e
resistncia hmica de contato. 3. Esboce a estrutura atmica do cobre
e discuta por que ele um bom condutor e como sua estrutura
diferente da do germnio e do silcio. 4. Defina com suas prprias
palavras o que significa material intrnseco, coeficiente de
temperatura negativo e ligao covalente. 5. Pesquise e liste trs
materiais que tenham um coeficiente de temperatura negativo e trs
que tenham um coeficiente de temperatura positivo. 6. Qual a
energia em joules necessria para mover uma carga de 6 C atravs de
uma diferena de potencial de 3 V? 7. Se 48 eV de energia so
necessrios para mover uma carga atravs de uma diferena de potencial
de 12 V, determine a carga envolvida. 8. Pesquise e determine o
nvel de Eg para GaP e ZnS, dois materiais semicondutores usados na
prtica. Determine tambm o nome de cada material. 9. Descreva a
diferena entre os materiais semicondutores do tipo n e do tipo p.
10. Descreva a diferena entre as impurezas doadoras e aceitadoras.
11. Esboce a estrutura atmica do silcio e insira uma impureza
composta de arsnio, como demonstrado para o silcio. 12. Repita o
problema 11, mas insira agora uma impureza composta de ndio. 13.
Descreva com suas prprias palavras as condies estabelecidas pelas
situaes de polarizao direta e reversa em um diodo de juno p-n e
como elas afetam a corrente resultante. 14. Determine a corrente de
diodo a 20C para um diodo de silcio com Is = 50 nA e uma polarizao
direta aplicada de 0,6 V. 15. Repita o problema 14 para T = 100 C
(ponto de ebulio da gua). Considere que Is aumentou para 5,0 A. 16.
(a) Determine a corrente no diodo a 20C para um diodo de silcio com
Is = 0,1 A em um potencial de polarizao reversa de 10 V. (b) O
resultado o esperado? Por qu? 17. Na regio de polarizao reversa, a
corrente de saturao de um diodo de silcio de cerca de 0,1 A (T =
20C). Determine seu valor aproximado se a temperatura for aumentada
para 40C. 18. Compare as caractersticas de um diodo de silcio e de
germnio e determine qual voc preferiria para a maioria das aplicaes
prticas. D alguns detalhes. Consulte a lista de diodos de um
fabricante e compare as caractersticas de um diodo de germnio e de
silcio de especificaes mximas semelhantes.
