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4. Transistores: características gerais

ANÁLISE DE CIRCUITOS ANALÓGICOS - ACA

5. TRANSISTORES : CARACTERÍSTICAS GERAIS

Válvula triodo


Transistor bipolar

oletor


iE= iC + iB

VCE=VBE+ VCB VEC=VEB+ VBC

Polar. direta

Polar.reversa

Polar. direta

Polar.reversa

Polarização dos transistores


Configurações dos transistores bipolares


Configuração base comum (BC)


Curva característica de entrada (emissor)

N P N


Curva característica de saída (coletor)

998,090,0 ⟨⟨= ααE

C

i

i

N P N

Ganho de corrente (α)


SATURAÇÃO : Junções BE e CB polarizadas diretamente

Regiões de operaçãoATIVA:Junção BE direta CB reversa

CORTE:Junção BE reversa CB reversa

N P N


Transistor como chave


Exercícios


Configuração emissor comum (EC)


Características de entrada (base)

NPN


Curva característica de saída (coletor)Ganho de corrente (β)

NPN

90050 ⟨⟨== ββB

CFE i

ih

ATIVA:Junção BE direta CB reversa

SATURAÇÃO : VCE≈ 0

CORTE: IC ≈ 0


Relações entre α e β

1+=

ββα

ααβ−

=1

CBE iii += EC ii α=

BC ii β=

( ) BE ii 1+= β


Exercícios


Transistor como amplificador


Configuração coletor comum (CC)

Análoga à Configuração emissor comum (EC)


Limitação dos transistores

VCEmax = tensão máxima de coletor

iCmax = corrente máxima de coletor

Potencia máximade coletor : EC = CC

Pcmax = VCEmax. iCmax

BCPcmax = VCBmax. iCmax


Parâmetros de alguns transistores

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