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Processos em micro-fabricao: ciclo tpico

deposiode filmes finos(semicondutor metal diel!tricoetc."

litografia (fotorresiste # $rava%&ocom lu' U ou fei)es deel!trons"

etching(corroso" - tratamento(modifica%&o" e remo%&o domaterial n&o co*erto +orfotorresiste

remoode fotorresiste

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Corros&o, +rinci+ais reuerimentos

Anisotropia

taxade ataue

seletividade(Si#Si/#fotorresiste"

defeitos (el!tricosestruturais contamina%&o"

uniformidade( l0minas deSi, /11 mm 211 mm"

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Corros&o,

3end4ncia +rinci+al da

microeletr5nica,

diminui%&o de tamanhocaracter6stico de

estruturas +ara escala

sub-micron - nano

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Corros&o 7mida ,Caracter6stica $eral

Vantagens: sim+licidade

r8+ida (ta)a de ataue

9m m#min"

seletividade - alta

Problemas:

isotr:+ica ($eralmente" 2 m" em muitos +rocessos, tem+eratura desu*strato elevada(;1-/11 C"

uniformidade

im+ure'as

rea$entes, caros t:)icos

recicla$em- dif6cil

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Corros&o seca, uma solu%&o do +ro*lema deanisotro+ia em escala su*-micron

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3end4ncias *8sicas

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Plasma de descar$a el!trica,um sistema com+le)o com +ar0metros

interde+endentes

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Processos em +lasmas reativos ,

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Corros&o seca, intera%&o +lasma-su+erf6cie

inergia de intera%&o

6ons ener$!ticosa*rica%&o de spacers

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?om*ardeamento i:nico, efeitos so*re +erfil