Escola superior de Ciências Náuticas Transistor bipolar

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Escola Superior de Ciências Náuticas

Índice Página

I -

Introdução---------------------------------------------------------------------------

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II – Definição de Transistor

Bipolar------------------------------------------------------------------------- 3

III – Tensão de Bloqueio

direta------------------------------------------------------------------------------- 3

IV- Valores Nominais de BJT de corrente

colector------------------------------------------------------ 4

V-

Conclusão----------------------------------------------------------------------------

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VI-

Bibliografia--------------------------------------------------------------------------

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Turma 4RA, Discentes: Albasine Machel, Cremildo Mundlovo, Délvio Sitoe,Geraldo Wamusse, Milagre Bahule




I. Introdução

O presente trabalho trata de Transistor Bipolar(BJT) de Potência, valores nominais,

Tensão de bloqueio directa, valor nominais de corrente colector, dissipação de

Potência. O transistor é um componente eletrônicos que começou a popularizar-se

na década de 1950, tendo sido o principal responsável pela revolução da eletrónica

na década de 1960. Os transistores são utilizados principalmente como

Amplificadores e Interruptores de Sinais Eléctricos. O termo vem

de transferresistor (resistor/resistência de transferência).

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II – Definição de Transistor Bipolar

O transistor bipolar é um componente eletronico constituido por materiais semicondutores, é capaz de

actuar como controlador de corrente, o que possibilita o seu uso como amplificador de sinais ou como

interruptor eletronico. O transistor se compõe basicamente de duas pastilhas de material semicondutor, de

mesmo tipo, entre as quais e colocada uma terceira pastilha, bem mais fina, de material semicondutor com

tipo diferente de dopagem, formando uma configuração semelhante a um sanduiche. Seu simbolo Fig 1

III.Tensão de Bloqueio direta

Um transistor pode suportar uma tensão de coletor-emissor máxima; acima dela ocorrerá uma

ruptura na junção do colector. Essa tensão é especificada como Vce(su) ou Vceo, isto é a tensão

máxima Vce com a base aberta. Os transistor de Potência de 1400V estão disponiveis no Mercado.

III – Valores Nominais de BJT de Potência

o valor máximo de Potência é especificado como PD(max)

IV- Valores Nominais de BJT de corrente colector

valor nominal da corrente de colector é a corrente do colector continua máxima permissível

Ic(max), o valor máx de Temperatura é de 125ºC.

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A àrea de Operação segura(SOA)

Para garantir uma operação segura do transistor, os fabricantes especificam limites na curva Vce e

Ic para definir a area de operação(SOA). Um transistor pode suportar uma tensão máxima do

colector para Emissor Fig.2

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VIII- Conclusão

Nesse trabalho foi apresentado o estudo dos valores nominais do Transistor BJT, tensão de

bloqueio, valor nominal de corrente colector, bem como a dissipação de Potência. O transistor é

considerado por muitos uma das maiores descobertas ou invenções da história moderna, tendo

tornado possível a revolução dos computadores e equipamentos eletrônicos. A chave da

importância do transistor na sociedade moderna é sua possibilidade de ser produzido em enormes

quantidades usando técnicas simples, resultando preços irrisórios. É conveniente salientar que é

praticamente impossível serem encontrados circuitos integrados que não possuam, internamente,centenas, milhares ou mesmo milhões de transistores. Seu baixo custo permitiu que se

transformasse num componente quase universal para tarefas não-mecânicas.

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http://pt.wikipedia.org/wiki/Computador

http://pt.wikipedia.org/wiki/Circuito_Integrado

http://pt.wikipedia.org/wiki/Circuito_Integrado

http://pt.wikipedia.org/wiki/Computador




VIII- Bibliografia

1-Site do prof. Javier Sebastián Zúñiga, Universidade de Oviedo, Curso de Sistemas de

Alimentación, http://www.uniovi.es/ate/sebas/.

2-Site da Semikron, http://www.semikron.com.

3-Eletrónica de Potencia, Ashfaq_Ahmed

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