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Física dos Materiais – FMT0502 (4300502) 1º Semestre de 2010 Instituto de Física Universidade de São Paulo Professor: Antonio Domingues dos Santos E-mail: [email protected] Fone: 3091.6886 http://plato.if.usp.br/~fmt0502n/ 22 de junho

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Fís

ica

do

s M

ate

ria

is–

FM

T0

50

2 (

43

00

50

2)

Se

me

stre

de

20

10

Inst

itu

tod

e F

ísic

a

Un

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rsid

ad

ed

e S

ão

Pa

ulo

Pro

fess

or:

A

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Do

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1.6

88

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50

2n

/

22

de

jun

ho

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Cerâmicas

Cerâm

icas são

materiais in

orgân

icos e não

-metálicos.

São

form

adas por elem

entos quím

icos metálicos e não

-metálicos, onde

as ligações são

iônicas ou preponderan

temen

te iô

nicas.

Cerâm

icas tradicionais (à

base de argila): lo

uça, p

orcelan

a, tijo

los,

telhas, azulejos, vidros e cerâmicas de altas temperaturas.

Hoje, . . .

. . . Óxidos, nitretos, carbetos e muito m

ais !

(sen

do os óxidos as cerâm

icas m

ais freq

uen

tes)

Fís

ica

do

s M

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is–

FM

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50

2 (

43

00

50

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Se

me

stre

de

20

10

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Fís

ica

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ria

is–

FM

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50

2 (

43

00

50

2)

Se

me

stre

de

20

10

cos

cos30

A

AC

AP

r

AO

rr

α=

°=

=+

Cerâmicas

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Estrutura do NaC

l

0,102/0,181

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00

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2)

Se

me

stre

de

20

10

Estrutura CFC

Com 2 sub-redes

Número de coordenação 6

Outros exemplos: FeO, LiF, MgO, MnS

Cerâmicas

Estrutura do tipo AX

Mesmas estruturas cristalinas dos metais

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Estrutura do CsC

l

0,170/0,181

Fís

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43

00

50

2)

Se

me

stre

de

20

10

Estrutura CS

Com 2 sub-redes

Número de coordenação 8

Cerâmicas

Estrutura do ZnS

Blenda de Zinco

Estrutura CFC

Com 2 sub-redes

Número de coordenação 4

Outros: ZnTe, SiC

Estrutura do tipo AX

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Estrutura do CaF

2

Fluorita

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43

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Se

me

stre

de

20

10

Estrutura CS

Célula unitária com 8 cubos

Número de coordenação 8(4)

Ânions e cátions co

m cargas diferen

tes

Mesma estrutura do CsC

l

Cerâmicas

Estrutura do tipo A

mXp

Estrutura do BaT

iO3

Titan

ato de bário

Estrutura CFC

Estrutura do tipo A

mB

nXp

Conhecida co

mo Perovskita

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50

2)

Se

me

stre

de

20

10

Cálculo de densidade em cerâmicas

Cerâmicas

()

CA

cA

nA

A

VN

ρ+

=∑

número de unidades da fórm

ula

em uma célula unitária

Soma das m

assas atômicas

de cátions e ânions na

unidade da fórm

ula

Volume da célula unitária

e número de Avogadro

Qual a den

sidad

e do NaC

l ?

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Cerâmicas

Materiais baseados no carbono

Diaman

teGrafite

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me

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20

10

Fulereno

Grafeno

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Ligações covalentes ! ! !

Cerâmicas

Materiais baseados no carbono

Diaman

teGrafite

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Se

me

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20

10

Grafeno

Nan

otubos

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Cerâmicas à

base de silicatos

Vidros

SiO

2cristalino SiO

2não

cristalino (am

orfo)

(quartzo) (vidro)

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me

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20

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cristobalita

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Imperfeições em cerâmicas

Outros m

ecanismos de

compensação de cargas

(para FeO)

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me

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de

20

10

Impurezas (devem ser

semelhantes)

Carga deve se m

anter

neutra no sólido

Defeitos aparecem aos pares

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Diagramas de fases em cerâmicas

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Se

me

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de

20

10

Sistema Al 2O

3–Cr 2O

3Sistema M

gO –

Al 2O

3

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Propriedades m

ecânicas de cerâmicas

Mecanicamente, as cerâmicas são m

uito

rígidas e portanto frágeis !!!

Elas possuem

micro-trincas ou fissu

ras, que

se propag

am facilm

ente.

Em geral as fraturas acontecem in

ternam

ente

aos grãos, ao lo

ngo de planos

cristalográfico

s de alta den

sidad

e atômica.

A presença de umidad

e no m

eio circu

ndan

te é

especialm

ente dan

oso

e potencializa a

propag

ação

das trincas (em um aparen

te

processo de co

rrosão).

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2)

Se

me

stre

de

20

10

Comportamento tensão-deform

ação

Em geral ensaios de tração são

difíceis de serem aplicados em

cerâmicas (elas não resistem às

garras de fixação).

Ensaios de flexão:

Resistência àflexão ou

resistência àfratura

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Propriedades m

ecânicas de cerâmicas

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43

00

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20

10

Comportamento tensão-deform

ação

Ensaios de flexão:

Inclinação

Lim

ite de ruptura

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Processamento das cerâmicas

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20

10

Abrasivos

Prensagem do pó

Sinterização

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Física dos Materiais

Ligações quím

icas

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10

Polímeros

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Polím

eros ou Macromoléculas

Moléculas de

hidrocarbonetos

Exemplos: E

tileno (C

2H

4) A

cetileno (C

2H

2) B

utano (C4H

10)

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Se

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stre

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20

10

-Cada átomo de carbono possui 4 elétrons para

fazer ligações covalentes.

-Cada átomo de hidrogênio possui 1 elétron.

-As ligações intramoleculares são covalentes.

HC

CH

−≡

Isobutano (C

4H

10)

Isomerismo

Ligações

Sim

ples,

Duplas e

Triplas

Insaturadas

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Polím

eros ou Macromoléculas

Moléculas de

hidrocarbonetos

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Se

me

stre

de

20

10

Alguns compostos parafínicos C

nH2n

+2

Isobutano

-12,3

Polímero

Mero

Monômero

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Física dos Materiais

Polímeros

Lista de Meros para os Polím

eros mais comuns

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me

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20

10

Trifuncional

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Física dos Materiais

Polímeros

Massa m

olecular

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2)

Se

me

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de

20

10

Em geral, no processo de produção

as cadeias poliméricas apresentam

uma grande variedade de tamanhos.

Quantidade de

semelhantes

Massa de

semelhantes

ni

iM

xM

=∑

pi

iM

wM

=∑

nn

Mn

m=

p

p

Mn

m=

Grau de polimerização

Onde m éa massa m

olecu

lar

do m

ero

Massa

s moleculares típicas

~100 g/m

ol

gases ou

líquidos

~1.000 g/m

ol

sólid

os

pastoso

s

>10.000 g/m

ol

sólid

os

(até

vários milhões ! ! !)

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Física dos Materiais

Polímeros

Possíveis estruturas molecu

lares

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me

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Física dos Materiais

Características mecân

icas

Fís

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FM

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50

2 (

43

00

50

2)

Se

me

stre

de

20

10

Lim

ite de elasticidad

e

Lim

ite de resistên

cia

àtração

Dep

endên

cia co

m a

temperatura

Frágeis

Plásticos

Altam

ente elásticos

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Física dos Materiais

Características mecân

icas

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2 (

43

00

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2)

Se

me

stre

de

20

10

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Física dos Materiais

Características mecân

icas

Fís

ica

do

s M

ate

ria

is–

FM

T0

50

2 (

43

00

50

2)

Se

me

stre

de

20

10

Dependência com a temperatura

Polímero amorfo

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Física dos Materiais

Características mecân

icas

Fís

ica

do

s M

ate

ria

is–

FM

T0

50

2 (

43

00

50

2)

Se

me

stre

de

20

10

Estágios de deform

ação de um

polímero semicristalino

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Concentração

Características geo

métricas e esp

aciais das partícu

las da fase dispersa

que podem

influen

ciar nas propried

ades dos co

mpósitos

Tamanho

Form

a

Distribuição

Orientação

Compósitos: Mistura sólida de materiais de classes diferen

tes.

Fís

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2 (

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50

2)

Se

me

stre

de

20

10

Compósitos

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Classificaç

ão dos co

mpósitos

Compósitos: Mistura sólida de materiais de classes diferen

tes.

Fís

ica

do

s M

ate

ria

is–

FM

T0

50

2 (

43

00

50

2)

Se

me

stre

de

20

10

Compósitos Tipos de matrizes (plasticidad

e):

metálicas,

poliméricas e

cerâmicas (pouco

usadas).

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Comportam

ento m

ecân

ico dos co

mpósitos

Compósitos: Mistura sólida de materiais de classes diferen

tes.

Fís

ica

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s M

ate

ria

is–

FM

T0

50

2 (

43

00

50

2)

Se

me

stre

de

20

10

Compósitos

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Compósitos co

m fibras

Compósitos:

Mistura sólida de materiais de classe

s diferen

tes.

Fís

ica

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is–

FM

T0

50

2 (

43

00

50

2)

Se

me

stre

de

20

10

Orien

tação das fibras:

a)Contínuas e alin

had

as

b)

Desco

ntínuas e alin

had

as

c)Desco

ntínuas e desorien

tadas

Anisotrópico

Isotrópico

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Compósitos co

m fibras ou partícu

las

Compósitos:

Mistura sólida de materiais de classe

s diferen

tes.

Fís

ica

do

s M

ate

ria

is–

FM

T0

50

2 (

43

00

50

2)

Se

me

stre

de

20

10

Tipos de matrizes (plasticidad

e):

metálicas,

poliméricas e

cerâmicas (pouco

usadas).

Fibras ou Partícu

las (rigidez):

metálicas,

poliméricas e

cerâmicas.

Alta ad

esão entre matriz

e en

xerto

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Caracterização dos Materiais

Energia /

Momen

to

Matéria

Propried

ade

a ser

caracterizad

a

Fótons

Íons

Átomos

Elétrons

Neu

trons

Prótons

Fótons

Íons

Átomos

Elétrons

Neu

trons

Prótons

Energia /

Momen

to

Matéria

0,1Å

(20kV)

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Caracterização dos Materiais

Feixe de elétrons

MicroscopiaEletrônicade Varredura

e de Transmissão

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Caracterização dos Materiais

Feixe de elétrons

Espessura

necessáriapara

absorver99% daradiaçãoincidente

Microscopia

Eletrônicade Varredura

e de Transmissão

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Caracterização dos Materiais

Feixe de elétrons

Microscopia

Eletrônicade Varredura

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Caracterização dos Materiais

Feixe de elétrons

Microscopia

Eletrônicade Varredura

e de Transmissão

Imagem

de altaresolução

com elétronsretro-

espalhadose secundários

para

nanopartículasde Pt em

um suportede grafite.

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Caracterização dos Materiais

Feixe de elétrons

Microscopia

Eletrônicade Varredura

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Caracterização dos Materiais

Feixe de elétrons

Microscopia

Eletrônicade Transmissão

Form

ação

da

imagem

em

TE

M

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Caracterização dos Materiais

Feixe de elétrons

Microscopia

Eletrônicade Transmissão

Ato

mic

-resolu

tion e

lectr

on

mic

rogra

ph o

f A

l [0

01]

with

mis

fit

accom

modatio

n b

y e

dg

e

dis

locations (

arr

ow

ed).

Each s

pot

corr

espo

nds t

o p

roje

ctio

n

of

indiv

idua

l A

l ato

mic

colu

mn [

82].

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Caracterização dos Materiais

Feixe de elétrons

Microscopia

Eletrônicade Transmissão

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Caracterização dos Materiais

Diagrama de energias de

átomos isolados

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Caracterização dos Materiais

Diagrama de energias de

sistemas m

oleculares

Modos extensionais e torcionais

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Caracterização dos Materiais

Absorção de radiação

eletromagnética por um átomo

Espalhamento Raman e

Rayleigh

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Caracterização dos Materiais

Raios X

Cromo-niquel sobre

prata-cobre

difração

fluorescência

30

35

40

45

0

50

00

100

00

150

00

200

00

250

00

300

00

350

00

FeP

t(11

1)

= 4

0.9

5o

Pt(

11

1)

= 3

9.8

5o

Fe

0.4

4P

t 0.5

6/P

t/S

iO2

Intensity (a.u.)

(de

gre

e)

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Caracterização dos Materiais

Íons

RBS (Rutherford Back-Scattering Analysis)

200

250

300

350

400

Channel

05

10

15

20

NormalizedYield

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

Energy(MeV)

Em geral, usa-se feixe de

partículas alfa ou

protons

-Colisões elásticas

determ

inam a m

assa

atômica que provo

cou o

espalhamento dos íons

PIXE (particle-induced X-ray Emission)

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Caracterização dos Materiais

Íons

SIM

S (Secondary Ions M

ass Spectrometry Analysis)

Fonte

de íons

Esquemageraldo SIM

S

Perm

ite a análise composicional

em profundidade, com resolução

lateral de ~10 m

icrons e

sensibilidade composicional de

“partes por milhão (~0,1 ppm)”

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Caracterização dos Materiais

Íons

Em geral, íons são m

ais utilizados

para produzir alterações estruturais

ou m

orfológicas nos m

ateriais

(por exemplo: dopagem de

semicondutores, endurecim

ento de

metais, F

eixe de Ío

ns Focalizados

(FIB), . . . )

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Propried

ades Elétricas

Fís

ica

do

s M

ate

ria

is–

FM

T0

50

2 (

43

00

50

2)

Se

me

stre

de

20

10

Metais

Isolantes e Sem

icondutores

Estrutura de ban

das em sólidos

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Propried

ades Elétricas

Fís

ica

do

s M

ate

ria

is–

FM

T0

50

2 (

43

00

50

2)

Se

me

stre

de

20

10

Mobilidad

e eletrônica (µ µµµ)

Condutividad

e

ae

vE

µ=

en

µ=

Para metais:

ti

ρρ

ρ=

++

Termos co

rresp

onden

tes à

efeitos térm

icos, de im

purezas e

de deform

ações

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Sem

icondutores

Fís

ica

do

s M

ate

ria

is–

FM

T0

50

2 (

43

00

50

2)

Se

me

stre

de

20

10

Condutividad

e intrínsica

eb

ne

pe

σµ

µ=

+

Por elétrons e buraco

s

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Sem

icondutores extrínsico

s

Tipo n

Fís

ica

do

s M

ate

ria

is–

FM

T0

50

2 (

43

00

50

2)

Se

me

stre

de

20

10

Condutividad

e

eb

ne

pe

σµ

µ=

+

Por elétrons e buraco

s

Page 51: Física dos Materiais – FMT0502 (4300502) - plato.ifplato.if.usp.br/~fmt0502n/FMT0502_AulaExerc3.pdf · Física dos Materiais – FMT0502 (4300502) ... 1ºSemestrede Lista de Meros

Sem

icondutores extrínsico

s

Tipo p

Fís

ica

do

s M

ate

ria

is–

FM

T0

50

2 (

43

00

50

2)

Se

me

stre

de

20

10

Condutividad

e

eb

ne

pe

σµ

µ=

+

Por elétrons e buraco

s

Page 52: Física dos Materiais – FMT0502 (4300502) - plato.ifplato.if.usp.br/~fmt0502n/FMT0502_AulaExerc3.pdf · Física dos Materiais – FMT0502 (4300502) ... 1ºSemestrede Lista de Meros

Sem

icondutores extrínsico

s

Fís

ica

do

s M

ate

ria

is–

FM

T0

50

2 (

43

00

50

2)

Se

me

stre

de

20

10

Condutividad

e

eb

ne

pe

σµ

µ=

+

Por elétrons e buraco

s

Page 53: Física dos Materiais – FMT0502 (4300502) - plato.ifplato.if.usp.br/~fmt0502n/FMT0502_AulaExerc3.pdf · Física dos Materiais – FMT0502 (4300502) ... 1ºSemestrede Lista de Meros

Condução elétrica

Fís

ica

do

s M

ate

ria

is–

FM

T0

50

2 (

43

00

50

2)

Se

me

stre

de

20

10

Cerâmicas iônicas

Onde: D é

o coeficiente de difusão e

n é

a valência

tota

le

ion

σσ

σ=

+

ii

ion

neD KT

µ=

Mobilidade iônica

Porém, mesmo em altas

temperaturas, as

cerâmicas iônicas

perman

ecem

iso

lantes

Polímeros,

Em geral são

mau

s co

ndutores elétrico

s

Polímeros co

ndutores

São

polím

eros especiais que

apresentam condutividad

e próxima a

dos metais (~10

7(Ω ΩΩΩ.m

)-1).

Exemplos: poliacetilen

o, p

olipirol,

polip

arfenilen

o e polian

ilina, com

dopag

em de im

purezas ap

ropriad

as.

Podem

ser dos tipos p ou n.

Van

tagen

s: baixa den

sidad

e,

flexibilidad

e e facilidad

e de

produção.

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Dielétricos

Fís

ica

do

s M

ate

ria

is–

FM

T0

50

2 (

43

00

50

2)

Se

me

stre

de

20

10

São

iso

lantes que exibem

estruturas co

m dipolos

elétrico

s (atômicos ou

molecu

lares).

São

usados em

cap

acitores.

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Efeito Hall

Fís

ica

do

s M

ate

ria

is–

FM

T0

50

2 (

43

00

50

2)

Se

me

stre

de

20

10

Efeito Hall é

o fenômeno onde um

campo m

agnético aplicado

perpendicularm

ente à

direção de

movimento de uma partícula

carregada exerce sobre a partícula

uma força perpendicular tanto ao

campo m

agnético como à

direção do

movimento.

Para elétrons

+V

-V-V

+V

Para buraco

s

qE

qvB

=

Do equilíbrio entre as forças elétrica e

mag

nética so

bre os portad

ores de

cargas, tem

os:

Como:

qI

nevc

dt

==

temos:

xz

y

IB

En

ecd

=

E, a voltag

em Hall: x

zH

y

IB

VcE

ned

==

Com os parâm

etros intrínsico

s define-se o coeficiente Hall:

1H

Rn

e=

E, a m

obilidad

e dos portad

ores

de carga:

HR

neσ

µσ

==

Fís

ica

do

s M

ate

ria

is–

FM

T0

50

2 (

43

00

50

2)

Se

me

stre

de

20

10

E, a voltag

em Hall: x

zH

y

IB

VcE

ned

==

Com os parâm

etros intrínsico

s define-se o coeficiente Hall:

1H

Rn

e=

E, a m

obilidad

e dos portad

ores

de carga:

HR

neσ

µσ

==

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Propried

ades M

agnéticas

Fís

ica

do

s M

ate

ria

is–

FM

T0

50

2 (

43

00

50

2)

Se

me

stre

de

20

10

L =

mvr

R

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Propried

ades M

agnéticas

Fís

ica

do

s M

ate

ria

is–

FM

T0

50

2 (

43

00

50

2)

Se

me

stre

de

20

10

O m

agne

tism

o O

mag

neti

smo

éépr

epon

der

ante

men

tepr

epon

der

ante

men

teum

efe

ito

do

spin

do

elum

efe

ito

do

spin

do

eléétr

on!

tron

!

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Prin

cípi

o de

excl

usão

de

Paul

ie

as m

olécu

las

Cam

adas

fec

had

as t

êm s

pin

tota

l Cam

adas

fec

had

as t

êm s

pin

tota

l nu

lo.

nulo

.

O m

esm

o oc

orre

qua

ndo

hO

mes

mo

ocor

re q

uand

o háá

form

afo

rma çç

ão d

e um

a liga

ão d

e um

a liga

çção

ão

ququ

íí mic

a (c

oval

ente

)m

ica

(cov

alen

te)

Nes

se c

aso,

os

doi

s el

Nes

se c

aso,

os

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s el

éétr

ons

de

tron

s de

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ssp

ins

opos

tos

ocup

am u

m m

esm

oop

osto

s oc

upam

um

mes

mo

orbit

al m

olec

ular

.or

bit

al m

olec

ular

.

OO22

Liga

Liga

çção

dup

laão

dup

la

HH22

Liga

Liga

çção

sim

ples

ão s

impl

es

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Prin

cípi

o de

excl

usão

de

Paul

ie

os s

ólidos

Em

iso

lant

es,

Em

iso

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es,as

cam

adas

as c

amad

asfe

chad

asfe

chad

astê

m s

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l nu

lo.

têm

spi

n to

tal nu

lo.

Em

Em

met

ais

met

ais ,

os

n, os

níí v

eis

dis

cret

os d

e ve

is d

iscr

etos

de

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gia

são

subst

itu

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gia

são

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os p

or b

andas

dos

por

ban

das

de

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gia

com

um

nde

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gia

com

um

núúm

ero

mer

o m

acro

scm

acro

scóópi

co

pico

((≈≈

101023

23) ) de

esta

dos

de

esta

dos

fi

nam

ente

esp

afi

nam

ente

esp

a ççad

os.

ados

.Cad

a es

tado

Cad

a es

tado

ééoc

upad

o po

r 2

ocup

ado

por

2

eleléétr

ons

com

tr

ons

com

spi

nssp

ins

opos

tos.

opos

tos.

Met

alM

etal

Isol

ante

Isol

ante

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Comportamen

tos mag

néticos

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Comportamen

tos mag

néticos

Exemplos :

oxigênio, sódio, sais de ferro e

de níquel, alumínio, silício.

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Comportamen

tos mag

néticos

Param

agnetismo

()

BJ

MNgJ

BX

µ=

/B

Bx

gJ

BK

=(

1)(_1)

(1)

12(

1)

JJ

SS

LL

gJ

J

++

−+

=+

+

21

(21)

1()

22

22

J

JJ

xx

Bx

cotgh

cotg

hJ

JJ

J

++

=−

Fato

r de L

and

é

Função d

e

Brillo

uin

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Fer

rom

agne

tism

o: F

e, C

o, N

i, ..

..

O

O f

erro

mag

neti

smo

ferr

omag

neti

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acon

tece

ac

onte

ce

quan

do

exis

te u

ma

dim

inui

quan

do

exis

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ma

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çção

da

ão d

a en

ergi

a co

m o

alinh

amen

to (pa

rcia

l en

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a co

m o

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amen

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l ou

tot

al) dos

ou

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spi

nssp

ins

ddos

os

el

eléétr

ons

de

tron

s de

um m

ater

ial.

Isso

oco

rre

abai

xo

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um m

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Superparamagneto

Monodomínio

Multidomínios

Partículas monodomínioe superparamagnéticastêm tamanhos menores

que micrometros, na faixa de menos que 500 nm. Por isso são chamadas

de nanopartículasmagnéticas.

O limite entre multidomínioe monodomíniodepende do mineral magnético.