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Departamento de Física

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Fluorescencia de Rayos X

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Full-Width Half-Maximum

Detector de Rayos XSi PIN diodo

Fluorescencia de Rayos X

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Detector de Rayos XSi PIN diodo

Fluorescencia de Rayos X

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Detector de Rayos XSi PIN 100 XR

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Detector de Rayos XSi PIN diodo

MCA

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XR-100CR Taking an X-Ray Fluorescence Spectrum of Michelangelo’s David

Aplicaciones

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Diodo pn - zona de carga espacial.

Juntura pn

Los diodos pn son uniones de dos materiales semiconductores extrínsecos tipos p y n, por lo que también reciben la denominación de unión pn.

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Polarización directa.

Juntura pn

Polarización inversa.

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Se llama diodo p-i-n a una estructura de tres capas, siendo la intermedia semiconductor intrínseco y las externas, una de tipo p y la otra tipo n.

Diodo p-i-n

En la práctica, la capa intrínseca se sustituye por una capa tipo p de alta resistividad o bien por una capa n de alta resistividad .

P I N

Alimentación

AmplificaciónMCA

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241Am

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Radiación X del Neptunio

Líneas de emisión K y L en electrón-volts

K1 K2 K1 L1 L2 L1 L2 L1 M1

101,059. 97,069. 114,234. 13,944.1 13,759.7 17,750.2 16,840.0 20,784.8 —

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0 200 400 600 800 1000-10

01020304050607080

0 200 400 600 800 1000

0

200

400

600

800

0 300 600 900

0

30000

60000

57Co

Canal

14.4 Kev

6.4 KeV c

uent

as c

uent

as

241Am

13.95 keV

17.74 keV59.94 keV

2.89 keV

Am Linear Fit of Data12_B Co

E (

eV)

Detector de Rayos XCalibración

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200 300 400 500 600 700 800 900

4

6

8

10

12

1416

18

20 0 200 400 600 800 1000 1200-100

0

100200

300

400

500

600

700

Picos 241Am Recta de calibración

E (

Ke

V)

Canal

13.95 keV

17.74 keV

Inte

nsi

da

d

Canal

241Am

0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000

0

50

0 200 400 600 800 1000

0100200300400500600700

k

Canal

Fluorescencia Cuk

k

241Am

241Am

0 200 400 600 800 1000

0

5

10

k

Y A

xis

Titl

e Fluorescencia Co

Fluorescencia de Rayos X