2
PROVA ENG 576 – Projeto de Circuitos Integrados Na resolução de todas as questões, utilize os parâmetros constantes na tabela 1. 1) No divisor de tensão da Fig.1, V DD = 1,0 V, V SS = -1,0 V e W 2 /L 2 = 40. Determine o valor de W 1 /L 1 para que o potencial de saída (V X ) seja igual a 0,2 V. Despreze efeitos de 2ª ordem. 2) Complete a tabela abaixo, referente à fonte de corrente ilustrada na Fig.2. Adote V DD = 1,0 V e despreze efeitos de 2ª ordem. W/L V GG (V) I OUT (A) v OUTmáx (V) 10 0,5 50 0,7 3) No espelho de corrente canal N da Fig.3, V DD = 1,0 V, V SS = -1,0 V, W 1 /L 1 = 1 e W 2 /L 2 = 5. Determine para qual valor de corrente de saída, o erro de casamento DC () se anula com v OUT = -0,4 V. Assuma que para o comprimento de canal utilizado (igual nos dois transistores), V A = 5 V. Admita perfeito casamento geométrico e tecnológico. Fig.1 Fig.2 Fig.3 M 2 M 1 V SS V X V DD I OUT v OUT V DD V GG V SS v OUT I OUT M 1 M 2 I IN

Prova - 2014-2.pdf

Embed Size (px)

Citation preview

PROVA

ENG 576 – Projeto de Circuitos Integrados

Na resolução de todas as questões, utilize os parâmetros constantes na tabela 1.

1) No divisor de tensão da Fig.1, VDD = 1,0 V, VSS = -1,0 V e W2/L2 = 40. Determine

o valor de W1/L1 para que o potencial de saída (VX) seja igual a 0,2 V. Despreze

efeitos de 2ª ordem.

2) Complete a tabela abaixo, referente à fonte de corrente ilustrada na Fig.2. Adote

VDD = 1,0 V e despreze efeitos de 2ª ordem.

W/L VGG (V) IOUT (A) vOUTmáx (V)

10 0,5

50 0,7

3) No espelho de corrente canal N da Fig.3, VDD = 1,0 V, VSS = -1,0 V, W1/L1 = 1 e

W2/L2 = 5. Determine para qual valor de corrente de saída, o erro de casamento DC

() se anula com vOUT = -0,4 V. Assuma que para o comprimento de canal utilizado

(igual nos dois transistores), VA = 5 V. Admita perfeito casamento geométrico e

tecnológico.

Fig.1 Fig.2 Fig.3

M2

M1

VSS

VX

VDD

IOUT

vOUT

VDD

VGG

VSS

vOUT

IOUT

M1 M2

IIN

Tabela 1 - Parâmetros

Símbolo Definição Unidade Canal N Canal P

ISQ = IS/(W/L) Corrente específica

do dispositivo quadrado* nA 250 50

n Fator de rampa* - 1,25 1,25

t Potencial termodinâmico mV 25

VT0 Tensão de limiar no equilíbrio V 0,5 -0,5

Tabela 2 - Equações do modelo

ID

IS.if (na saturação sem efeitos de canal curto)

A

DSfS

V

v1i.I (na saturação com efeitos de canal curto)

VP-VSB +(-) 1i1ln2i1 fft para MOSFET canal N(P)

VP n

VV 0TGB

VDSSAT +(-) 3i1 ft para MOSFET canal N(P)

Condição

para

operar em

saturação

VDS > VDSSAT para MOSFET canal N

VDS < VDSSAT para MOSFET canal P

Erro de

casamento

DC

1I

I

I

I

2S

1S

IN

OUT