ASSOCIAÇÃO EDUCACIONAL DOM BOSCO

Faculdades de Engenharia de Resende

Curso de Engenharia Elétrica com ênfase em Eletrônica

RELATÓRIO DE ELETRÔNICA I

PROCEDIMENTOS PARA TESTAR POLARIZAÇÃO BEM COMO

IDENTIFICAR OS TERMINAIS DOS TRANSISTORES E SUAS REGIÕES

DE OPERAÇÃO

BIANCA AZEVEDO SALGADO 14270053

LUIZ FERNANDO RIBAS MONTEIRO 13270022

LUIZ GUILHERME RODRIGUES 14270088

RODOLFO DE SOUZA LIMA 14270043

RESENDE

2015

BIANCA AZEVEDO SALGADO 14270053

LUIZ FERNANDO RIBAS MONTEIRO 13270022

LUIZ GUILHERME RODRIGUES 14270088

RODOLFO DE SOUZA LIMA 14270043

EXPERIÊNCIA 05

PROCEDIMENTOS PARA TESTAR POLARIZAÇÃO BEM COMO

IDENTIFICAR OS TERMINAIS DOS TRANSISTORES E SUAS REGIÕES

DE OPERAÇÃO

Relatório apresentado à Associação Educacional Dom

Bosco, Faculdade de Engenharia de Resende, como

elemento de avaliação parcial da disciplina Eletrônica I,

no 3° ano do curso de Engenharia Elétrica/Eletrônica.

Orientador (a): Professora Bruna Tavares.

RESENDE

27 de Maio de 2015

RESUMO

O transistor é um componente eletrônico que começou a popularizar-se na década de

1950, tendo sido o principal responsável pela revolução da eletrônica na década de 1960. São

utilizados principalmente como amplificadores e interruptores de sinais elétricos. O transistor

de junção bipolar é um dispositivo semicondutor de três terminais, formado por três camadas

consistindo de: duas camadas de material tipo "n" e uma de tipo "p" ou de duas de material

tipo "p" e uma de tipo "n". Quando um transistor é polarizado corretamente, haverá um fluxo

de corrente, através das junções e que se difundirá pelas camadas formadas pelos cristais p ou

n. A corrente que fica retida na base recebe o nome de corrente de base (IB), sendo da ordem

de microampéres. As correntes de coletor e emissor são bem maiores, ou seja, da ordem de

miliampéres, isto para transistores de baixa potência, podendo alcançar alguns ampères em

transistores de potência.

Palavras chaves:. Transistor, Polarização, ponto quiescente

SUMÁRIO

1. INTRODUÇÃO......................................................................................................................4

2. OBJETIVOS GERAIS............................................................................................................4

3. FUNDAMENTAÇÃO TEÓRICA..........................................................................................5

3.1. TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO (TBJ)....................................................5

3.1.1 Estrutura básica de um Transistor TBJ.......................................................................5

3.1.2 Polarização de um Transistor TBJ..............................................................................6

3.1.3 Junção diretamente polarizada....................................................................................6

3.1.4 Junção reversamente polarizada.................................................................................7

3.1.5 Fluxo de Corrente.......................................................................................................8

4. MATERIAIS UTILIZADOS................................................................................................10

5. METODOLOGIA RESULTADOS......................................................................................10

5.1. POLARIDADE DO TRANSISTOR E DA BASE........................................................11

5.2. MÉTODO DA RESISTÊNCIA: COLETOR E EMISSOR...........................................12

5.3. TRANSISTOR OPERANDO NA REGIÃO ATIVA....................................................15

5.4. TRANSISTOR OPERANDO NA REGIÃO DE CORTE E SATURAÇÃO................15

5.5. TRANSISTOR NA POLARIZAÇÃO FIXA.................................................................17

5.6. PONTO QUIESCENTE.................................................................................................17

6. CONCLUSÃO......................................................................................................................18

REFERÊNCIAS........................................................................................................................19

4

1. INTRODUÇÃO

O transistor é um componente eletrônico que começou a popularizar-se na década de

1950, tendo sido o principal responsável pela revolução da eletrônica na década de 1960. São

utilizados principalmente como amplificadores e interruptores de sinais elétricos, também são

usados como retificadores elétricos em um circuito podendo ter variadas funções. A grande

vantagem dos transistores em relação às válvulas foi demonstrada em 1958, quando Jack

Kilby, da Texas Instruments, desenvolveu o primeiro circuito integrado, consistindo de um

transistor, três resistores e um capacitor, implementando um oscilador simples. A partir daí,

via-se a possibilidade de criação de circuitos mais complexos, utilizando integração de

componentes. Isto marcou uma transição na história dos transistores, que deixaram de ser

vistos como substitutos das válvulas e passaram a ser encarados como dispositivos que

possibilitam a criação de circuitos complexos, integrados. O transistor é considerado por

muitos uma das maiores descobertas ou invenções da história moderna, tendo tornado

possível a revolução dos computadores e equipamentos eletrônicos. A chave da importância

do transistor na sociedade moderna é sua possibilidade de ser produzido em enormes

quantidades usando técnicas simples, resultando preços irrisórios.

Neste relatório falaremos sobre como identificar os terminais de um transistor bem

como sua polarização e sua região de operação e estaremos utilizando o transistor na

polarização fixa.

2. OBJETIVOS GERAIS

Identificar o tipo de transistor, PNP ou NPN com ajuda de um multímetro.

Identificar os pinos: base, emissor e coletor do transistor bipolar.

Mostrar o funcionamento do transistor como chave.

Mostrar as Características de operação como fonte de corrente.

Verificar o ganho βDC (hFE) do transistor.

Mostrar as características dos diferentes circuitos de polarização de

transistores.

E realizar um experimento que complemente de forma prática e elucidativa a

identificação do tipo de transistor e dos pinos correspondentes.

5

3. FUNDAMENTAÇÃO TEÓRICA

3.1. TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO (TBJ)

O transistor de junção bipolar é um dispositivo semicondutor de três terminais,

formado por três camadas consistindo de: duas camadas de material tipo "n" e uma de tipo "p"

ou de duas de material tipo "p" e uma de tipo "n".

O primeiro é chamado de transistor npn enquanto que o segundo é chamado de

transistor pnp.

Através de uma polarização de tensão adequada consegue-se estabelecer um fluxo de

corrente, permitindo que o transistor seja utilizado em inúmeras aplicações como: chaves

comutadoras eletrônicas, amplificadores de tensão e de potência, osciladores, etc.

O termo bipolar refere-se ao fato dos portadores lacunas e elétrons participarem do

processo do fluxo de corrente. Se for utilizado apenas um portador, elétron ou lacuna, o

transistor é denominado unipolar (FET).

3.1.1 Estrutura básica de um Transistor TBJ

As figuras abaixo ilustram a estrutura básica de um transistor, representando um

circuito T equivalente com diodos, ligados de tal forma a permitir a identificação da

polarização das junções, as quais são: base-emissor e base-coletor (B-E e B-C

respectivamente).

Observa-se que no transistor pnp a junção dos dois catodos do diodo forma a base, que

é negativa, sendo o emissor e o coletor positivos, enquanto que no transistor npn a junção dos

dois anodos forma a base que é positiva, sendo o emissor e o coletor negativos. A simbologia

Figura 1 - Simbologia dos Transistores.

6

utilizada para os transistores de junção é mostrada logo abaixo dos circuitos equivalentes "T"

com diodos.

3.1.2 Polarização de um Transistor TBJ

Para que um transistor funcione é necessário polarizar corretamente as suas junções,

da seguinte forma:

Junção base-emissor: deve ser polarizada diretamente.

Junção base-coletor: deve ser polarizada reversamente.

Esse tipo de polarização deve ser utilizado para qualquer transistor de junção bipolar,

seja ele npn ou pnp.

As figuras abaixo ilustram exemplos de polarização para os dois tipos de transistores:

Transistor npn com polarização

direta entre base e emissor e polarização

reversa entre coletor e base.

Transistor pnp com polarização

direta entre base e emissor e polarização

reversa entre coletor e base

3.1.3 Junção diretamente polarizada

A figura abaixo mostra o desenho de um transistor pnp com a polarização direta entre

base e coletor. Para estudar o comportamento da junção diretamente polarizada, foi retirada a

bateria de polarização reversa entre base e coletor.

Figura 2 - Polarização dos transistores.

7

Observa-se então uma semelhança entre a polarização direta de um diodo com a

polarização direta entre base e emissor, onde aparece uma região de depleção estreita.

Neste caso haverá um fluxo relativamente intenso de portadores majoritários do

material p para o material n.

3.1.4 Junção reversamente polarizada

Passemos a analisar o comportamento da junção reversamente polarizada, conforme

mostra a figura abaixo. Neste caso, foi removida a bateria de polarização direta entre emissor

e base.

Observa-se agora, em virtude da polarização reversa um aumento da região de

depleção semelhante ao que acontece com os diodos de junção, isto é ocorre um fluxo de

portadores minoritários (corrente de fuga nos diodos), fluxo este que depende também da

temperatura. Podemos então dizer que uma junção p-n deve ser diretamente polarizada (base-

emissor) enquanto que a outra junção p-n deve ser reversamente polarizada (base-coletor).

Figura 3 - Polarização direta do transistor npn.

Figura 4 - Polarização reversa do transistor pnp.

8

3.1.5 Fluxo de Corrente

Quando um transistor é polarizado corretamente, haverá um fluxo de corrente, através

das junções e que se difundirá pelas camadas formadas pelos cristais p ou n.

Essas camadas não têm a mesma espessura e dopagem, de tal forma que:

1. A base é a camada mais fina e menos dopada;

2. O emissor é a camada mais dopada;

3. O coletor é uma camada mais dopada do que a base e menos dopada do que o

emissor.

Uma pequena parte dos portadores majoritários ficam retidos na base. Como a base é

uma película muito fina, a maioria atravessa a base a se difunde para o coletor.

A corrente que fica retida na base recebe o nome de corrente de base (IB), sendo da

ordem de microampéres. As correntes de coletor e emissor são bem maiores, ou seja, da

ordem de miliampéres, isto para transistores de baixa potência, podendo alcançar alguns

ampères em transistores de potência. Da mesma forma, para transistores de potência, a

corrente de base é significativamente menor.

Podemos então dizer que o emissor (E) é o responsável pela emissão dos portadores

majoritários; a base (B) controla esses portadores enquanto que o coletor(C) recebe os

portadores majoritários provenientes do emissor.

A exemplo dos diodos reversamente polarizados, ocorre uma pequena corrente de

fuga, praticamente desprezível, formada por portadores minoritários. Os portadores

minoritários são gerados no material tipo n (base), denominados também de corrente de fuga e

Figura 5 - Fluxo de Corrente.

9

são difundidos com relativa facilidade até ao material do tipo p (coletor), formando assim uma

corrente minoritária de lacunas. Lembre-se de que os portadores minoritários em um cristal do

tipo n são as lacunas.

Desta forma a corrente de coletor (IC), formada pelos portadores majoritários

provenientes do emissor soma-se aos portadores minoritários (ICO) ou (ICBO).

Aplicando-se a lei de Kirchhoff para corrente (LKC), obtemos:

IE = IC + IB, onde:

IC = IC (PORTADORES MAJORITÁRIOS) + ICO ou ICBO (PORTADORES MINORITÁRIOS)

Para uma melhor compreensão, a figura a seguir ilustra o fluxo de corrente em um

transistor npn, através de outra forma de representação. No entanto, o processo de análise é o

mesmo.

Na figura 6 se observa que os portadores minoritários (ICO ou ICBO) provenientes da

base são os elétrons, que se somarão a corrente de coletor.

Verifica-se ainda em relação ao exemplo anterior (transistor pnp), que a corrente de

base (IB) tem um sentido oposto, uma vez que, essa corrente é formada por lacunas. Da

mesma forma as correntes de emissor (IE) e de coletor (IC) também tem sentidos opostos, por

serem formadas por elétrons.

A junção base-emissor está polarizada diretamente e por isto, representa uma região de

baixa impedância. A voltagem de polarização base-emissor é baixa (da ordem de 0,55V a 0,7V

para transistores de silício), polarização esta, caracterizada pela bateria VEE enquanto que, a

Figura 6 - Fluxo de Corrente no transistor npn.

10

junção base-coletor está reversamente polarizada em função da bateria VCC. Na prática, VCC

assume valores maiores do que VEE.

Como já foi dito anteriormente, a corrente IC é o resultado dos portadores majoritários

provenientes do emissor. A corrente de coletor divide-se basicamente em duas componentes:

a corrente proveniente do emissor e a corrente proveniente da junção reversamente polarizada

coletor-base, denominada ICBO, sendo que esta última assume valores extremamente baixos

que em muitos casos podem ser desprezados.

A quantidade de corrente que chega ao coletor proveniente do emissor depende do tipo

de material e dopagem do emissor. Essa quantidade de corrente varia de acordo com o tipo de

transistor.

A constante de proporcionalidade dessa corrente é definida como α (alfa), de forma

que, a corrente de coletor é representada por αIE. Os valores típicos de α variam de 0,9 a 0,99.

Isto significa que parte da corrente do emissor não chega ao coletor.

4. MATERIAIS UTILIZADOS

Módulo Universal 2000;

Placa de experiências CEB-02;

Multímetro (digital e analógico);

Transistores: 2N3904, 2N3906, 2N3055, TIP41C e BC548;

Fonte de alimentação DC ajustável de 0 – 30V e 0 – 3A;

Resistência de fio de 10Ω, 50W;

Cabos banana jacaré;

Resistor de 1kΩ, 1/8W;

Resistor de 470kΩ, 1/8W.

Resistor de 4k7Ω.

5. METODOLOGIA RESULTADOS

A experiência no laboratório foi dividida em Etapas:

11

5.1. POLARIDADE DO TRANSISTOR E DA BASE

Esta etapa teve como objetivo, descobrir a polaridade do transistor isto é, se ele é npn

ou pnp bem como descobrir qual terminal é a base.

O método utilizado foi o chamado no roteiro de método convencional que consistia

em:

Com o multímetro digital utilizando a escala de teste de diodo, fixa-se uma ponta de

prova (como por exemplo, a positiva) em um terminal do transistor. E com a outra ponta de

prova (no caso a negativa) meça os outros dois terminais. Caso, as duas medições derem uma

resistência muito alta tendendo ao infinito (circuito aberto), ou derem o valor da barreira de

potencial (cerca de 600mV nos transistores TJB) o terminal que foi fixado como padrão

inicialmente será a base. E neste exemplo como a ponta de prova que foi fixada no terminal

foi à positiva: Se as medições de resistência deram infinito o transistor é pnp (a base é

negativa). Se as medições derem o valor da barreira de potencial o transistor é npn (base

positiva). Se as duas medições não forem iguais (infinito-infinito ou barreira de potencial)

fixe como padrão o outro terminal assim sucessivamente até que as medições atendam este

requisito.

Ainda com o multímetro digital, agora com a descoberta da base foi solicitado que

medisse a tensão entre a base e os outros terminais. Estas medições encontram-se na tabela 1.

Agora com o multímetro analógico utilizando a escala de Resistência x10, fixou-se

uma ponta de prova (como por exemplo, a positiva) em um terminal do transistor. E com a

outra ponta de prova (no caso a negativa) mediu-se os outros dois terminais. Caso, as duas

medições derem uma resistência muito alta tendendo ao infinito, ou derem uma resistência

muito baixa tendendo a zero o terminal que foi fixado como padrão inicialmente será a base.

E neste exemplo como a ponta de prova que foi fixada no terminal foi à positiva e lembrando

que Multímetro Analógico possui a polaridade invertida na escala de resistência devido a sua

ligação interna com a bateria: Se as medições de resistência deram infinito o transistor é npn

(a base é positiva). Se as medições de resistência foram zero o transistor é pnp (a base é

negativa, lembrando que inverte a polaridade). Se as duas medições não forem iguais

(infinito-infinito ou zero-zero) fixe como padrão o outro terminal assim sucessivamente até

que as medições atendam este requisito. Este procedimento é descrito na figura 7.

12

Ainda com o multímetro analógico, agora com a descoberta da base e polaridade do

transistor foi solicitado que medisse a resistência ente a base e os outros terminais. Estas

medições encontram-se na tabela 1.

Observando a tabela 1 nota-se que este método convencional é bem eficaz para

descobrir a polaridade e a base do transistor, mas, em relação aos outros terminais coletor e

emissor, não é apropriado.

Vale ressaltar que quanto maior a potência do transistor, por limitações construcionais,

menor é o hFE ou o β do transistor. Com isto, a dopagem entre base-emissor e base-coletor

praticamente se igualam inviabilizando as medidas convencionais (seja pelo multímetro

analógico ou digital).

Assim, para descobrir os outros terminais é utilizado o método da Resistência que será

descrito a seguir.

Tabela 1 - Identificação dos terminais dos transistores

Figura 7 - Verificação se o transistor é PNP ou NPN.

13

5.2. MÉTODO DA RESISTÊNCIA: COLETOR E EMISSOR

Antes de descrever este método, a figura 8 indica os terminais tomados como padrão

para execução destas medições

.

- O transistor 2N3904 na forma de montagem em furos na placa de circuito impresso

(PCI), se apresenta com o encapsulamento TO-92. Figura 8.

- O transistor 2N3906 na forma de montagem em furos na PCI se apresenta com o

encapsulamento TO-92. Figura 8.

- O transistor TIP 42 na forma de montagem em furos na PCI ou não, que pode estar

associado a um dissipador se apresenta com o encapsulamento TO-220. Figura 8.

- O transistor 2N3055 na forma de montagem em furos na PCI ou não, que pode estar

associado a um dissipador se apresenta com o encapsulamento TO-3 Figura 8.

Com o resistor de 4k7Ω montou o circuito da figura 9.

Utilizando um ohmímetro analógico na escala x10, mediu a resistência entre os pontos

1 e 2, realizou-se duas medições invertendo as pontas de provas nos pontos de medida e

descartou o valor mais alta. Uma medição deu infinito e foi descartada, a outra deu R1 e foi

anotada na tabela 2.

Figura 8 - (a) encapsulamento TO-92, (b) encapsulamento TO-22 e (c) encapsulamento TO-3.

Figura 9 - Circuito: ligando a resistência da base ao ponto 1.

14

Mudou o resistor do ponto 1 para o ponto 2 manteve a outra extremidade desse resistor

na base conforme a figura 10. Realizou o mesmo procedimento descrito no parágrafo anterior.

Como a anterior, uma medição deu infinito e foi descartada, e a outra deu R2 e foi anotada na

tabela 2.

Essas medições foram feitas para todos os tipos de transistores do roteiro e estes

resultados estão indicados na tabela 2.

O valor mais baixo das duas medidas R1 e R2 indicará o coletor.

Com os valores anotados de R1 e R2, foi feita a seguinte análise:

- Se R1 > R2: Pode-se afirmar que R1 é o emissor.

- Se R1 < R2: Pode-se afirmar que R1 é o coletor.

Esta análise foi estendida para os demais transistores. E a tabela 3, mostra a pinagem e

o tipo de transistor. A numeração obedece à indicada na figura 8.

Tabela 3 - Pinagem e tipo dos transistores.

Transistor

PinosTipo

1 2 32N3904 Coletor Base Emissor NPN2N3906 Coletor Base Emissor PNPTIP 42 Base Coletor Emissor PNP2N3055 Emissor Base Coletor NPN

O arranjo das figuras 9 e 10 são capazes de identificar com qualidade e eficiência o

coletor e o emissor de um transistor, porque, ao inserir o resistor e o ohmímetro analógico

Figura 10 - Circuito: ligando a resistência da base ao ponto 2.

Tabela 2 - Valores encontrados usando o método da resistência.

15

você está polarizando o circuito. E visto que pela teoria o emissor é o terminal mais dopado

com impurezas ele deve possuir a maior resistência. E o coletor é o meio termo entre o

excesso de dopagem do emissor e a baixa dopagem da base.

5.3. TRANSISTOR OPERANDO NA REGIÃO ATIVA

O circuito da figura 11 é o circuito de polarização fixa e está atuando na região ativa.

Sabendo que na região ativa as junções Base-Emissor devem está diretamente polarizados e

Base-Coletor reversamente polarizados.

Desligou o Módulo Universal 2000 e instalou a placa CEB-02 no Slot

E ou F. Colocou as chaves Ch2, Ch3 e Ch4 do DIP SWITCH localizado na

placa, na posição fechada (ON) e as demais chaves na posição aberta. O

circuito equivalente, nestas condições, é o da figura 11 seguinte:

Ligou o módulo e com o multímetro mediu e anotou os seguintes parâmetros: VBE

(PT1-PT3) e VCE (PT2-PT3). Os valores medidos foram:

VBE = 686 mV

VCE = 6,15V

Calculo de IB, IC e βDC:

IC = 12−VCE

R 2 =

12−6,151k

= 5,85 mA

IB = 12−VBE

R 1 =

12−686 m270 K

= 41,9 µA

Figura 11 - Circuito com transistor operando na região ativa e com polarização fixa.

16

ΒDC = icib

= 5,85 m41,9 µ

= 139,6

5.4. TRANSISTOR OPERANDO NA REGIÃO DE CORTE E SATURAÇÃO

Instalou a placa CEB-02 no Slot E ou F do módulo universal 2000. Colocou as chaves

Ch4 do DIP SWITCH localizado na placa, na posição fechada (ON) e as demais chaves na

posição aberta. O circuito equivalente, nestas condições, é o da figura 12 seguinte:

Mediu-se VCE com Ch1 aberta e fechada. Sabe-se que para o transistor atuar na

região de corte as junções Base-Emissor e Base Coletor devem estar reversamente

polarizadas. E para atuar na região de saturação, ambas devem estar diretamente polarizadas.

Para a região de saturação:

VCE = OV

Ic = Vcc/Rc = 12/1K = 12mA

Para região de corte:

Figura 12 - Circuito atuando na região de corte ou saturação.

17

Ic = OA

VCE = Vcc = 12V

Na região de corte medimos VCE = 10,66V e o led acendeu. Com a chave 1 aberta.

Na região de saturação medimos VCE = 0,04V e o led acendeu. Com a chave 1 fechada.

5.5. TRANSISTOR NA POLARIZAÇÃO FIXA

O circuito com o transistor na polarização fixa é mostrado na figura 13.

Foram medidos os seguintes valores de tensões do circuito da figura 13:

VRC = 6,87V

VRB = 11,33V

VCE = 5,07V

VBE = 0,66V

VCB = 4,29V

VC = VCE = 5,07V

VB = VBE = 0,66V

Foram medidos os seguintes valores de corrente:

IC = 6,89mA

IE = 6,91mA

IB = 25,6 µA

Figura 13 - Transistor na polarização fixa.

18

5.6. PONTO QUIESCENTE

Com os valores medidos de IC e VCE e com os cálculos de VCEmáx e ICSat foi possível

traçar a reta de carga na curva característica do Transistor BC548 e assim encontrar o ponto

quiescente (ponto de operação ou trabalho)

I CSat=12

R2

= 121000

=12 mA

V CEMáx=V CC=12V

Para encontrar o ponto quiescente faz:

- Uma reta entre os pontos I CSate V CEM á x

- Faz as projeções de IC e VCE na reta traçada acima.

- A intersecção entre esta reta de carga traçada e os pontos IC e VCE é denominada

ponto Quiescente do transistor no circuito. Estes dados são referentes ao circuito da figura 13.

A figura 14 mostra o ponto de operação do transistor no circuito da figura 13.

19

Observando a localização do ponto quiescente encontrado pode-se afirmar que o

transistor está operando na região ativa.

6. CONCLUSÃO

Ao final desses procedimentos conseguimos absorver diversas informações de grande

importância para o planejamento de um projeto no qual seja usado transistores, pois com os

experimentos aprendemos há identificar os terminais de um transistor, sua polarização, as

informações do transistor operando na região ativa, na região de corte e saturação. Durante os

experimentos trabalhamos com o transistor na polarização fixa haja vista que também se pode

trabalhar com o mesmo na configuração polarização estável do emissor ou por polarização

por divisor de tensão. E por fim com os dados obtidos montamos a reta de carga e

encontramos o ponto quiescente e vimos que o transistor esta operando na região ativa.

Figura 14 - Ponto Quiescente do transistor na polarização fixa.

20

REFERÊNCIAS

BOYLESTAD e NASHELSKY, Robert L. e Louis. Dispositivos Eletrônicos e teoria

dos circuitos, 8 ed. São Paulo: Pearson, 2004.

BRAGA, Newton. C. Como identificar transistores com o multímetro . Disponível em: <

http://www.newtoncbraga.com.br/index.php/instrumentacao/108-artigos-diversos/2748-

ins134 > Acesso em: 20/06/2015.

CORRADI. Transistor de Junção Bipolar – I. Disponível em: <

http://www.corradi.junior.nom.br/TJBExerc.pdf>. Acesso em: 20/06/2015.