Seminário - Mosfet e Igbt

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Slide 1

Transistores de efeito de campo metal-xido-semicondutor

MOSFETs

CaractersticasDispositivo controlado por tenso;Alta impedncia de entrada;Requer pequena corrente de entrada;Velocidade de chaveamento muito alta;Tempo de chaveamento da ordem de nanosegundos;Aplicao: conversores de alta frequncia (at 100kHz) e baixa potncia (at alguns KW). Ex.: .Fontes de alimentao chaveadas, nas quais frequncias altas de chaveamento subentendem componentes menores e mais baratos; .Motores de baixa velocidade de controle que utilizem PWM.

Dois tipos:- de depleo;- de enriquecimento.MSFET de depleo

MOSFET de enriquecimento

Smbolo:G (porta)D (dreno)S (fonte)VgsIdIsVdsObs.:. No havendo tenso na porta, a chave fica desligada; a tenso na porta que controla as condies ligado/desligado;. Tanto no estado ligado quanto no desligado, a resistncia de entrada extremamente alta e a corrente de porta , em essncia, igual a zero, pelo isolamento resistivo da porta.Curva CaractersticaVgs1Vgs2Vgs3Vgs4Vgs5Vgs aumentandoRegio de corte (Vgs