Tecnologias Memória Ram

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    Memrias RAM e ROM

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  • (memoria.php)IntroduoNo que se refere ao hardware dos computadores,entendemos como memria os dispositivos quearmazenam os dados com os quais o processadortrabalha. H, essencialmente, duas categorias dememrias: ROM (Read-Only Memory), que permiteapenas a leitura dos dados e no perde informao naausncia de energia; e RAM (Random-Access Memory),que permite ao processador tanto a leitura quanto a

    gravao de dados e perde informao quando no h alimentao eltrica. Neste artigo, oInfoWester apresenta os principais tipos de memrias ROM e RAM, assim como mostra ascaractersticas mais importantes desses dispositivos, como frequncia, latncia,encapsulamento, tecnologia, entre outros.

    Memria ROMAs memrias ROM (Read-Only Memory - Memria Somente de Leitura) recebem esse nomeporque os dados so gravados nelas apenas uma vez. Depois disso, essas informaes nopodem ser apagadas ou alteradas, apenas lidas pelo computador, exceto por meio deprocedimentos especiais. Outra caracterstica das memrias ROM que elas so do tipo novolteis, isto , os dados gravados no so perdidos na ausncia de energia eltrica aodispositivo. Eis os principais tipos de memria ROM:

    - PROM (Programmable Read-Only Memory): esse um dos primeiros tipos de memria ROM. Agravao de dados neste tipo realizada por meio de aparelhos que trabalham atravs de umareao fsica com elementos eltricos. Uma vez que isso ocorre, os dados gravados na memriaPROM no podem ser apagados ou alterados;

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  • - EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory): as memrias EPROM tm como principalcaracterstica a capacidade de permitir que dados sejam regravados no dispositivo. Isso feitocom o auxlio de um componente que emite luz ultravioleta. Nesse processo, os dados gravadosprecisam ser apagados por completo. Somente depois disso que uma nova gravao pode serfeita;

    - EEPROM (Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory): este tipo de memria ROMtambm permite a regravao de dados, no entanto, ao contrrio do que acontece com asmemrias EPROM, os processos para apagar e gravar dados so feitos eletricamente, fazendocom que no seja necessrio mover o dispositivo de seu lugar para um aparelho especial paraque a regravao ocorra;

    - EAROM (Electrically-Alterable Programmable Read-Only Memory): as memrias EAROM podemser vistas como um tipo de EEPROM. Sua principal caracterstica o fato de que os dadosgravados podem ser alterados aos poucos, razo pela qual esse tipo geralmente utilizado emaplicaes que exigem apenas reescrita parcial de informaes;

    - Flash: as memrias Flash tambm podem ser vistas como um tipo de EEPROM, no entanto, oprocesso de gravao (e regravao) muito mais rpido. Alm disso, memrias Flash so maisdurveis e podem guardar um volume elevado de dados. possvel saber mais sobre esse tipode memria no artigo Cartes de memria Flash (cartoesflash.php), publicado aqui noInfoWester;

    - CD-ROM, DVD-ROM e afins: essa uma categoria de discos pticos onde os dados sogravados apenas uma vez, seja de fbrica, como os CDs de msicas, ou com dados prprios dousurio, quando o prprio efetua a gravao. H tambm uma categoria que pode sercomparada ao tipo EEPROM, pois permite a regravao de dados: CD-RW e DVD-RW e afins.

    Memria RAMAs memrias RAM (Random-Access Memory - Memria de Acesso Aleatrio) constituem umadas partes mais importantes dos computadores, pois so nelas que o processador armazena os

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  • dados com os quais est lidando. Esse tipo de memria tem um processo de gravao de dadosextremamente rpido, se comparado aos vrios tipos de memria ROM. No entanto, asinformaes gravadas se perdem quando no h mais energia eltrica, isto , quando ocomputador desligado, sendo, portanto, um tipo de memria voltil.

    H dois tipos de tecnologia de memria RAM que so muitos utilizados: esttico e dinmico, isto, SRAM e DRAM, respectivamente. H tambm um tipo mais recente chamado de MRAM. Eisuma breve explicao de cada tipo:

    - SRAM (Static Random-Access Memory - RAM Esttica): esse tipo muito mais rpido que asmemrias DRAM, porm armazena menos dados e possui preo elevado se considerarmos ocusto por megabyte. Memrias SRAM costumam ser utilizadas como cache (saiba mais sobrecache neste artigo sobre processadores (processadores.php));

    - DRAM (Dynamic Random-Access Memory - RAM Dinmica): memrias desse tipo possuemcapacidade alta, isto , podem comportar grandes quantidades de dados. No entanto, o acessoa essas informaes costuma ser mais lento que o acesso s memrias estticas. Esse tipotambm costuma ter preo bem menor quando comparado ao tipo esttico;

    - MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory - RAM Magneto-resistiva): a memria MRAMvem sendo estudada h tempos, mas somente nos ltimos anos que as primeiras unidadessurgiram. Trata-se de um tipo de memria at certo ponto semelhante DRAM, mas que utilizaclulas magnticas. Graas a isso, essas memrias consomem menor quantidade de energia,so mais rpidas e armazenam dados por um longo tempo, mesmo na ausncia de energiaeltrica. O problema das memrias MRAM que elas armazenam pouca quantidade de dados eso muito caras, portanto, pouco provavelmente sero adotadas em larga escala.

    Aspectos do funcionamento das memrias RAMAs memrias DRAM so formadas por chips que contm uma quantidade elevadssima decapacitores e transistores. Basicamente, um capacitor e um transistor, juntos, formam umaclula de memria. O primeiro tem a funo de armazenar corrente eltrica por um certo

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  • tempo, enquanto que o segundo controla a passagem dessa corrente.

    Se o capacitor estiver armazenamento corrente, tem-se um bit 1. Se no estiver, tem-se um bit0. O problema que a informao mantida por um curto de perodo de tempo e, para que nohaja perda de dados da memria, um componente do controlador de memria responsvelpela funo de refresh (ou refrescamento), que consiste em regravar o contedo da clula detempos em tempos. Note que esse processo realizado milhares de vezes por segundo.

    O refresh uma soluo, porm acompanhada de "feitos colaterais": esse processo aumenta oconsumo de energia e, por consequncia, aumenta o calor gerado. Alm disso, a velocidade deacesso memria acaba sendo reduzida.

    A memria SRAM, por sua vez, bastante diferente da DRAM e o principal motivo para isso ofato de que utiliza seis transistores (ou quatro transistores e dois resistores) para formar umaclula de memria. Na verdade, dois transistores ficam responsveis pela tarefa de controle,enquanto que os demais ficam responsveis pelo armazenamento eltrico, isto , pela formaodo bit.

    A vantagem desse esquema que o refresh acaba no sendo necessrio, fazendo com que amemria SRAM seja mais rpida e consuma menos energia. Por outro lado, como sua fabricao mais complexa e requer mais componentes, o seu custo acaba sendo extremamente elevado,encarecendo por demais a construo de um computador baseado somente nesse tipo. porisso que sua utilizao mais comum como cache, pois para isso so necessrias pequenasquantidades de memria.

    Como as memrias DRAM so mais comuns, eles sero o foco deste texto a partir deste ponto.

    CAS e RASO processador armazena na memria RAM as informaes com os quais trabalha, portanto, atodo momento, operaes de gravao, eliminao e acesso aos dados so realizadas. Essetrabalho todo possvel graas ao trabalho de um circuito j citado chamado controlador de

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  • memria.

    Para facilitar a realizao dessas operaes, as clulas de memria so organizadas em umaespcie de matriz, ou seja, so orientadas em um esquema que lembra linhas e colunas. Ocruzamento de uma certa linha (tambm chamada de wordline), com uma determinada coluna(tambm chamada de bitline) forma o que conhecemos como endereo de memria. Assim,para acessar o endereo de uma posio na memria, o controlador obtm o seu valor decoluna, ou seja, o valor RAS (Row Address Strobe) e o seu valor de linha, ou seja, o valor CAS(Column Address Strobe).

    Temporizao e latncia das memriasOs parmetros de temporizao e latncia indicam quanto tempo o controlador de memriagasta com as operaes de leitura e escrita. Em geral, quanto menor esse valores, mais rpidasso as operaes.

    Para que voc possa entender, tomemos como exemplo um mdulo de memria que informaos seguintes valores em relao latncia: 5-4-4-15-1T. Esse valor est escrito nesta forma:tCL-tRCD-tRP-tRAS-CR. Vejamos o que cada um desses parmetros significa:

    - tCL (CAS Latency): quando uma operao de leitura de memria iniciada, sinais soacionados para ativar as linhas (RAS) e as colunas (RAS) correspondentes, determinar se a

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  • operao de leitura ou escrita (CS - Chip Select) e assim por diante. O parmetro CAS Latencyindica, em ciclos de clock (saiba mais sobre clock nesta matria sobre processadores(processadores.php)), qual o perodo que h entre o envio do sinal CAS e a disponibilizao dosrespectivos dados. Em outras palavras, o intervalo existente entre a requisio de um dadopelo processador e a entrega deste pela memria. Assim, no caso do nosso exemplo, esse valor de 5 ciclos de clock;

    - tRCD (RAS to CAS Delay): esse parmetro indica, tambm em ciclos de clock, o intervalo que hentre a ativao da linha e da coluna de um determinado dado. No exemplo acima, esse valorcorresponde a 4;

    - tRP (RAS Precharge): intervalo em clocks que informa o tempo gasto entre desativar o acesso auma linha e ativar o acesso a outra. Em nosso exemplo, esse valor de 4 ciclos;

    - tRAS (Active to Precharge Delay): esse parmetro indica o intervalo, tambm em clocks,necessrio entre um comando de ativar linha e a prxima ao do mesmo tipo. Em nossoexemplo, esse valor de 15 ciclos de clock;

    - CR (Command Rate): intervalo que h entre a ativao do sinal CS e qualquer outro comando.Em geral, esse valor de 1 ou 2 ciclos de clock e acompanhado da letra T. No nosso exemploesse valor de 1 ciclo.

    Esses parmetros costumam ser informados pelo fabricante em um etiqueta colada ao pente dememria (muitas vezes, o valor de CMD no informado). Quando isso no ocorre, possvelobter essa informao atravs de softwares especficos (como o gratuito CPU-Z, para Windows,mostrado abaixo) ou mesmo pelo setup do BIOS.

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  • CPU-Z exibindo dados sobre memria

    Os parmetros de temporizao fornecem uma boa noo do tempo de acesso das memrias.Note que, quando falamos disso, nos referimos ao tempo que a memria leva para fornecer osdados requisitados. O que no foi dito acima que esse tempo medido em nanossegundos(ns), isto , 1 segundo dividido por 1.000.000.000.

    Assim, para se ter uma noo de qual a frequncia mxima utilizada pela memria, bastadividir 1000 pelo seu tempo de acesso em nanossegundos (essa informao pode constar emuma etiqueta no mdulo ou pode ser informada atravs de softwares especiais). Por exemplo:se um pente de memria trabalha com 15 ns, sua frequncia de 66 MHz, pois 1000/15=66.

    Outros parmetrosAlgumas placas-me atuais ou direcionadas ao pblico que faz overclock (em poucas palavras,prtica onde dispositivos de hardware so ajustados para que trabalhem alm das

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  • especificaes de fbrica) ou, ainda, softwares que detalham as caractersticas do hardware docomputador, costumam informar outros parmetros, alm dos mencionados acima.Geralmente, estes parmetros adicionais so informados da seguinte forma: tRC-tRFC-tRRD-tWR-tWTR-tRTP (por exemplo: 22-51-3-6-3-3), tambm considerando ciclos de clock.Vejamos o que cada um significa:

    - tRC (Row Cycle): consiste no tempo necessrio para que se complete um ciclo de acesso a umalinha da memria;

    - tRFC (Row Refresh Cycle): consiste no tempo necessrio para a execuo dos ciclos de refreshda memria;

    - tRRD (Row To Row Delay): semelhante ao tRP, mas considera o tempo que o controladornecesita esperar aps uma nova linha ter sido ativada;

    - tWR (Write Recovery): informa o tempo necessrio para que o controlador de memria comecea efetuar uma operao de escrita aps realizar uma operao do mesmo tipo;

    - tWTR (Write to Read Delay): consiste no tempo necessrio para que o controlador de memriacomece a executar operaes de leitura aps efetuar uma operao de escrita;

    - tRTP (Read to Precharge Delay): indica o tempo necessrio entre uma operao de leituraefetuada e ativao do prximo sinal.

    VoltagemEm comparao com outros itens de um computador, as memrias so um dos componentesque menos consomem energia. O interessante que esse consumo diminuiu com a evoluo datecnologia. Por exemplo, mdulos de memria DDR2 (tecnologia que ainda ser abordada nestetexto), em geral, exigem entre 1,8 V e 2,5 V. possvel encontrar pentes de memria DDR3(padro que tambm ser abordado neste artigo) cuja exigncia de 1,5 V. Mdulos dememria antigos exigiam cerca de 5 V.

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  • Algumas pessoas com bastante conhecimento no assunto fazem overclock nas memriasaumentando sua voltagem. Com esse ajuste, quando dentro de certos limites, possvel obternveis maiores de clock.

    SPD (Serial Presence Detect)O SPD um pequeno chip (geralmente do tipo EEPROM) inserido nos mdulos de memria quecontm diversas informaes sobre as especificaes do dispositivo, como tipo (DDR, DDR2,etc), voltagem, temporizao/latncia, fabricante, nmero de srie, etc.

    Chip SPD

    Muitas placas-me contam com um setup de BIOS que permite uma srie de ajustes deconfigurao. Nesses casos, um usurio experimente pode definir os parmetros da memria,no entanto, quem no quiser ter esse trabalho, pode manter a configurao padro. Algumasvezes, essa configurao indicada por algo relacionado ao SPD, como mostra a imagemabaixo:

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  • Exemplo de ajuste de memria em setup de BIOS baseado em SPD

    Deteco de errosAlguns mecanismos foram desenvolvidos para ajudar na deteco de erros da memria, falhasessas que podem ter vrias causas. Esses recursos so especialmente teis em aplicaes dealta confiabilidade, como servidores de misso crtica (missaocritica.php), por exemplo.

    Um desses mecanismos a paridade, capaz apenas de ajudar a detectar erros, mas no decorrig-los. Nesse esquema, um bit adicionado a cada byte de memria (lembre-se: 1 bytecorresponde a 8 bits). Esse bit assume o valor 1 se a quantidade de bits 1 do byte for par eassume o valor 0 (zero) se a referida quantidade por mpar (o contrrio tambm podeacontecer: 1 para mpar e 0 para par). Quando a leitura de dados for feita, um circuito verificarse a paridade corresponde quantidade de bits 1 (ou 0) do byte. Se for diferente, um erro foidetectado.

    A paridade, no entanto, pode no ser to precisa, pois um erro em dois bits, por exemplo, podefazer com que o bit de paridade corresponda quantidade par ou mpar de bits 1 do byte.Assim, para aplicaes que exigem alta preciso dos dados, pode-se contar com memrias quetenham ECC (Error Checking and Correction), um mecanismo mais complexo capaz de detectar e

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  • corrigir erros de bits.

    Tipos de encapsulamento de memriaO encapsulamento correspondente ao artefato que d forma fsica aos chips de memria. Eisuma breve descrio dos tipos de encapsulamento mais utilizados pela indstria:

    - DIP (Dual In-line Package): um dos primeiros tipos de encapsulamento usados em memrias,sendo especialmente popular nas pocas dos computadores XT e 286. Como possui terminaisde contato - "perninhas" - de grande espessura, seu encaixe ou mesmo sua colagem atravs desolda em placas pode ser feita facilmente de forma manual;

    Encapsulamento DIP - Imagem por Wikipedia (http://en.wikipedia.org/wiki/File:Three_IC_circuit_chips.JPG)

    - SOJ (Small Outline J-Lead): esse encapsulamento recebe este nome porque seus terminais decontato lembram a letra 'J'. Foi bastante utilizado em mdulos SIMM (vistos mais frente) e suaforma de fixao em placas feita atravs de solda, no requerendo furos na superfcie dodispositivo;

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  • Encapsulamento SOJ

    - TSOP (Thin Small Outline Package): tipo de encapsulamento cuja espessura bastantereduzida em relao aos padres citados anteriormente (cerca de 1/3 menor que o SOJ). Porconta disso, seus terminais de contato so menores, alm de mais finos, diminuindo aincidncia de interferncia na comunicao. um tipo aplicado em mdulos de memriaSDRAM e DDR (que sero abordados adiante). H uma variao desse encapsulamentochamado STSOP (Shrink Thin Small Outline Package) que ainda mais fino;

    Encapsulamento TSOP

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  • - CSP (Chip Scale Package): mais recente, o encapsulamento CSP se destaca por ser "fino" e porno utilizar pinos de contato que lembram as tradicionais "perninhas". Ao invs disso, utiliza umtipo de encaixe chamado BGA (Ball Grid Array). Esse tipo utilizado em mdulos como DDR2 eDDR3 (que sero vistos frente).

    Encapsulamento CSP

    Mdulos de memriaEntendemos como mdulo ou, ainda, pente, uma pequena placa onde so instalados osencapsulamentos de memria. Essa placa encaixada na placa-me por meio de encaixes(slots) especficos para isso. Eis uma breve descrio dos tipos mais comuns de mdulos:

    - SIPP (Single In-Line Pins Package): um dos primeiros tipos de mdulos que chegaram aomercado. formato por chips com encapsulamento DIP. Em geral, esses mdulos eramsoldados na placa-me;

    - SIMM (Single In-Line Memory Module): mdulos deste tipo no eram soldados, masencaixados na placa-me. A primeira verso continha 30 terminais de contato (SIMM de 30 vias)e era formada por um conjunto de 8 chips (ou 9, para paridade). Com isso, podiam transferir umbyte por ciclo de clock. Posteriormente surgiu uma verso com 72 pinos (SIMM de 72 vias),

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  • portanto, maior e capaz de transferir 32 bits por vez. Mdulos SIMM de 30 vias podiam serencontrados com capacidades que iam de 1 MB a 16 MB. Mdulos SIMM de 72 vias, por sua vez,eram comumente encontrados com capacidades que iam de 4 MB a 64 MB;

    - DIMM (Double In-Line Memory Module): os mdulos DIMM levam esse nome por teremterminais de contatos em ambos os lados do pente. So capazes de transmitir 64 bits por vez. Aprimeira verso - aplicada em memria SDR SDRAM - tinha 168 pinos. Em seguida, foramlanados mdulos de 184 vias, utilizados em memrias DDR, e mdulos de 240 vias, utilizadosem mdulos DDR2 e DDR3. Existe um padro DIMM de tamanho reduzido chamado SODIMM(Small Outline DIMM), que so utilizados principalmente em computadores portteis, comonotebooks;

    - RIMM (Rambus In-Line Memory Module): formado por 168 vias, esse mdulo utilizado pelasmemrias Rambus, que sero abordadas ainda neste artigo. Um fato curioso que para cadapente de memria Rambus instalado no computador necessrio instalar um mdulo "vazio",de 184 vias, chamado de C-RIMM (Continuity-RIMM).

    Mdulo de memria inserido em um slot

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  • Tecnologias de memriasVrias tecnologias de memrias foram (e so) criadas com o passar do tempo. graas a issoque, periodicamente, encontramos memrias mais rpidas, com maior capacidade e atmemrias que exigem cada vez menos energia. Eis uma breve descrio dos principais tipos dememria RAM:

    - FPM (Fast-Page Mode): uma das primeiras tecnologias de memria RAM. Com o FPM, aprimeira leitura da memria tem um tempo de acesso maior que as leituras seguintes. Issoporque so feitos, na verdade, quatro operaes de leitura seguidas, ao invs de apenas uma,em um esquema do tipo x-y-y-y, por exemplo: 3-2-2-2 ou 6-3-3-3. A primeira leitura acaba sendomais demorada, mas as trs seguintes so mais rpidas. Isso porque o controlador de memriatrabalha apenas uma vez com o endereo de uma linha (RAS) e, em seguida, trabalha com umasequncia de quatro colunas (CAS), ao invs de trabalhar com um sinal de RAS e um de CAS paracada bit. Memrias FPM utilizavam mdulos SIMM, tanto de 30 quanto de 72 vias;

    - EDO (Extended Data Output): a sucessora da tecnologia FPM a EDO, que possui comodestaque a capacidade de permitir que um endereo da memria seja acessado ao mesmotempo em que uma solicitao anterior ainda est em andamento. Esse tipo foi aplicadoprincipalmente em mdulos SIMM, mas tambm chegou a ser encontrado em mdulos DIMMde 168 vias. Houve tambm uma tecnologia semelhante, chamada BEDO (Burst EDO), quetrabalhava mais rapidamente por ter tempo de acesso menor, mas quase no foi utilizada, poistinha custo maior por ser de propriedade da empresa Micron. Alm disso, foi "ofuscada" pelachegada da tecnologia SDRAM;

    Mdulo de memria EDO

    - SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory): as memrias FPM e EDO so

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  • assncronas, o que significa que no trabalham de forma sincronizada com o processador. Oproblema que, com processadores cada vez mais rpidos, isso comeou a se tornar umproblema, pois muitas vezes o processador tinha que esperar demais para ter acesso aos dadosda memria. As memrias SDRAM, por sua vez, trabalham de forma sincronizada com oprocessador, evitando os problemas de atraso. A partir dessa tecnologia, passou-se a considerara frequncia com a qual a memria trabalha para medida de velocidade. Surgiam ento asmemrias SDR SDRAM (Single Data Rate SDRAM), que podiam trabalhar com 66 MHz, 100 MHz e133 MHz (tambm chamadas de PC66, PC100 e PC133, respectivamente). Muitas pessoas sereferem a essa memria apenas como "memrias SDRAM" ou, ainda, como "memrias DIMM",por causa de seu mdulo. No entanto, a denominao SDR a mais adequada;

    Mdulo de memria SDR SDRAM -Observe que neste tipo h duas divises entre os terminais de contato

    - DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM): as memrias DDR apresentam evoluo significativaem relao ao padro SDR, isso porque elas so capazes de lidar com o dobro de dados emcada ciclo de clock (memrias SDR trabalham apenas com uma operao por ciclo). Assim, umamemria DDR que trabalha frequncia de 100 MHz, por exemplo, acaba dobrando seudesempenho, como se trabalhasse taxa de 200 MHz. Visualmente, possvel identific-lasfacilmente em relao aos mdulos SDR, porque este ltimo contm duas divises na parteinferior, onde esto seus contatos, enquanto que as memrias DDR2 possuem apenas umadiviso. Voc pode saber mais sobre essa tecnologia na matria Memria DDR (memddr.php),publicada aqui no InfoWester;

    - DDR2 SDRAM: como o nome indica, as memrias DDR2 so uma evoluo das memrias DDR.Sua principal caracterstica a capacidade de trabalhar com quatro operaes por ciclo de clock,portanto, o dobro do padro anterior. Os mdulos DDR2 tambm contam com apenas umadiviso em sua parte inferior, no entanto, essa abertura um pouco mais deslocada para o lado.

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    Saiba mais sobre essa tecnologia na matria Memria DDR2 (memddr2.php), disponibilizadaaqui no InfoWester;

    Memria DDR2 acima e DDR abaixo -Note que a posio da diviso entre os terminais de contato diferente

    - DDR3 SDRAM: as memrias DDR3 so, obviamente, uma evoluo das memrias DDR2.Novamente, aqui dobra-se a quantidade de operaes por ciclo de clock, desta vez, de oito. Umanovidade aqui a possibilidade de uso de Triple-Channel. Saiba mais sobre esse tipo nesteartigo sobre DDR3 (memddr3.php);

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    - Rambus (Rambus DRAM): as memrias Rambus recebem esse nome por serem uma criaoda empresa Rambus Inc. e chegaram ao mercado com o apoio da Intel. Elas so diferentes dopadro SDRAM, pois trabalham apenas com 16 bits por vez. Em compensao, memriasRambus trabalham com frequncia de 400 MHz e com duas operaes por ciclo de clock.Tinham como desvantagens, no entanto, taxas de latncia muito altas, aquecimento elevado emaior custo. Memrias Rambus nunca tiveram grande aceitao no mercado, mas tambm noforam um total fiasco: foram utilizadas, por exemplo, no console de jogos Nintendo 64.Curiosamente, as memrias Rambus trabalham em pares com "mdulos vazios" ou "pentescegos". Isso significa que, para cada mdulo Rambus instalado, um "mdulo vazio" tem que serinstalado em outro slot. Essa tecnologia acabou perdendo espao para as memrias DDR.

    FinalizandoCom o passar do tempo, a evoluo das tecnologias de memrias no somente as torna maisrpidas, mas tambm faz com que passem a contar com maior capacidade de armazenamentode dados. Memrias ROM do tipo Flash, por exemplo, podem armazenar vrios gigabytes. Noque se refere s memrias RAM, o mesmo ocorre. Por conta disso, a pergunta natural : quantoutilizar? A resposta depende de uma srie de fatores, no entanto, a indstria no para detrabalhar para aumentar ainda mais a velocidade e a capacidade desses dispositivos. Portanto,no se espante: quando menos voc esperar, vai ouvir falar de uma nova tecnologia dememria que poder se tornar um novo padro de mercado :)

    Escrito por Emerson Alecrim (https://plus.google.com/116535403859047600057) - Publicado em08_07_2009 - Atualizado em 18_08_2011

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