NANOMATERIAISALUNO: GELSON GOMES ALVES20901844
• O que é CVD?• Tipos de CVD
– MO-CVD, PE-CVD, etc
• CVD processos / aplicações
http://www.nature.com/srep/2013/130215/srep01172/fig_tab/srep01172_F1.html
• Chemical vapor deposition (CVD) é um processo químico utilizado para a produção de materiais sólidos de alta pureza e de alto desempenho.
• O processo é frequentemente utilizado na indústria de semicondutores para produzir filmes finos.
• Num processo típico de CVD, a pastilha (substrato) é exposta a um ou mais precursores de voláteis, que reagem e / ou decompõem-se na superfície do substrato para produzir o depósito pretendido.
http://en.wikipedia.org/wiki/Chemical_vapor_deposition
• Chemical Vapor Deposition é a formação de uma película não volátil sólida sobre um substrato por meio da reação de produtos químicos na fase de vapor (reagentes) que contêm os componentes necessários.
• Os gases reagentes são introduzidos numa câmara de reação e são decompostas e reage a uma superfície aquecida de modo a formar a película fina.
• Processos de microfabricação amplamente utilizados CVD para depositar materiais em várias formas, incluindo: policristalino, monocristalino, amorfa, e epitaxial.
• Estes materiais incluem: silício, fibra de carbono, nanofibras de carbono, filamentos, nanotubos de carbono, SiO2, silício, germânio, tungsténio, carboneto de silício, nitreto de silício, oxinitreto de silício, nitreto de titânio, e vários high-k dieléctricos.
• O processo de CVD também é usado para produzir diamantes sintéticos.
http://en.wikipedia.org/wiki/Chemical_vapor_deposition
• Na técnica de deposição física de vapor, o material é aquecido para produzir um vapor, que é então introduzido através dos poros do molde e arrefecida até solidificar.
• A deposição de vapor é normalmente capaz de preparar os nanofios de menor diâmetro (• 20 nm).
• Filamento quente de deposição de vapor químico. Utiliza o metano e o gás hidrogênio como fonte e filamentos de tungstênio.
• Crescimento como diamante nanocristalino de carbono amorfo e nanotubos de carbono.
• Pirometro Cyclop 100 é utilizado para medir tanto o filamento e a temperatura da amostra.
• Fase de aquecimento opcional programável permite controlar temperaturas de substrato até 800 C com termopar.
Horizontal APCVD Reactor
Chemical Vapor Deposition Apparatushttp://en.wikipedia.org/wiki/Chemical_vapor_deposition
Chemical Vapor Deposition Apparatushttp://en.wikipedia.org/wiki/Chemical_vapor_deposition
Fonte: http://www.hlphys.jku.at/fkphys/epitaxy/mocvd.html
• Minimiza os impactos dos processos em alta temperatura anteriormente utilizados.
DESVANTAGENS
VANTAGEM
A REAÇÀO DE CVD É MUITO COMPLEXA E ENVOLVEUMA SÉRIE DE REAÇÒES.
• CVD é uma família de técnicas
- CVD, PVD, PE-CVD, MO-CVD• Química em fase de vapor• Reações na superfície do substrato• O plasma pode "melhorar" as condições de reação• Usado principalmente na indústria de semicondutores
• Demonstrou com sucesso a fase de vapor técnica em que a condensação do óxido de espécies acima das suas temperaturas de decomposição leva ao crescimento de nanofios metálicos. O aumento da temperatura para além da temperatura de decomposição reduziu o diametro dos nanofios.
• Esta técnica pode ser estendida para a sintese dos nanofios de metal.
CONCLUSÀO DO ARTIGO
VAPOR PHASE SYNTESIS OF TUNGTEN NANOWIRES
• Microelectronics Processing Course - J. Salzman - Jan. 2002 . Microelectronics Processing Chemical Vapor Deposition
• http://en.wikipedia.org/wiki/Chemical_vapor_deposition• Microelectronics Processing Course - J. Salzman – Fall
2006 . Microelectronics Processing . Ion Implantation • American Vacuum Society (AVS)
• “A mente que se abre a uma nova ideia jamais volta ao seu tamanho original.” -
Albert Einstein