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MEMORIA RAM INTEGRANTES: - POOL DE LA CRUZ ZAMBRANO. - FRANK VARGAS CHIPANA. “REPUBLICA DEL ECUADOR” “B”

Memoria RAM

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MEMORIA RAM

INTEGRANTES:- POOL DE LA

CRUZ ZAMBRANO.

- FRANK VARGAS CHIPANA.

“REPUBLICA DEL ECUADOR”

5° “B”

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¿ QUE ES LA MEMORIA RAM ?

RAM son las siglas de random access memory, un tipo de memoria de ordenador a la que se puede acceder aleatoriamente; es decir, se puede

acceder a cualquier byte de memoria sin acceder a los bytes precedentes. La memoria RAM es el tipo de memoria más común en ordenadores y otros

dispositivos como impresoras.- La meoria RAM dinámica necesita actualizarse miles de veces por

segundo.- Memoria RAM estática no necesita actualizarse, por lo que es más

rápida, aunque también más cara. Ambos tipos de memoria RAM son volátiles, es

decir, que pierden su contenido cuando se apaga el equipo.

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HISTORIA DE LA MEMORIA RAM

- Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de núcleo magnético, desarrollada entre 1949 y 1952 y usada en muchos computadores hasta el desarrollo de circuitos integrados a finales de los años 60 y principios

de los 70. Esa memoria requería que cada bit estuviera almacenado en un toroide de material ferromagnético de algunos milímetros de diámetro, lo que

resultaba en dispositivos con una capacidad de memoria muy pequeña.- En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en semiconductores de silicio por parte de Intel con el integrado 3101 de 64 bits de memoria y para el siguiente año se presentó una memoria DRAM de 1024 bytes, referencia 1103 que se constituyó en un hito, ya que fue la primera en

ser comercializada con éxito, lo que significó el principio del fin para las memorias de núcleo magnético. En comparación con los integrados de

memoria DRAM actuales, la 1103 es primitiva en varios aspectos, pero tenía un desempeño mayor que la memoria de núcleos.

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TIPOS DE MEMORIA RAM

•VRAM (Vídeo RAM)•SRAM (Static RAM)•FPM (Fast PPB SRAM (Pipeline Burst SRAM) age Mode)•EDO (Extended Data Output)•BEDO (Burst EDO)•SDRAM (Synchronous DRAM)•DDR SDRAM ó SDRAM II (Double Data Rate SDRAM)

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•RAMBUS•ENCAPSULADOS•SIMM (Single In line Memory Module)•DIMM (Dual In line Memory Module)•DIP (Dual In line Package)•Memoria Caché ó RAM Caché•RAM Disk

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GENERACIONES DE MEMORIA RAM

Primera generación (1946-1958) Se caracteriza por el uso de las válvulas de vacío. Su velocidad

de proceso se mide en milisegundos (10-3); sus circuitos eran semejantes a los empleados entonces en la construcción de radios.

Si comparamos los ordenadores de la primera generación con los actuales, se podría decir que eran lentos, de gran tamaño, inflexibles, con necesidad de controles muy estrictos en cuanto al suministro de energía eléctrica y de aire acondicionado.

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Segunda generación (1958-1965) Hasta aquel momento el avance había sido relativamente lento

debido a que los ordenadores no sólo eran caros, sino que exigían mucho espacio y abundancia de medios para diseñarlos y fabricarlos. La aparición del transistor, que es un dispositivo en estado sólido capaz de adoptar la forma de pequeños paralelepípedos, hizo cambiar la situación en gran medida.

El transistor surgió en los laboratorios de Bell Telephone en 1948, y se introdujo en los ordenadores en 1958. Las nuevas máquinas fueron más pequeñas y además aumentaron su velocidad de proceso (la velocidad se medía en microsegundos 10-6); sus circuitos eran más sencillos; las memorias se construían con ferrita, lo que permitía reducir el tamaño de la máquina y aumentar su rapidez y capacidad.

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Tercera generación (1965-1970) La aparición de los circuitos integrados fue la revolución de los

ordenadores. Los circuitos integrados son del tamaño de los transistores y contienen decenas o centenas de componentes elementales interconectados entre sí. Esto supuso reducir aún más el tamaño de los ordenadores, incrementando el tiempo medio de averías de la unidad central.

La velocidad de ejecución de las operaciones elementales pasó a medirse en nanosegundos (10-9); se desarrollaron dispositivos periféricos más efectivos y unidades de almacenamiento secundario

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Cuarta generación Su desarrollo comenzó en 1971 y continúa hasta la fecha

aprovechando los avances conseguidos por la microelectrónica. Los elementos principales de los ordenadores de esta generación son los microprocesadores, que son dispositivos de estado sólido, manufacturados sobre "chips" de silicio que contienen miles de transistores, resistencias y demás elementos de los circuitos electrónicos. Esta densidad de componentes hace que los microprocesadores pertenezcan también a la familia de los circuitos integrados.

Quinta generación El proyecto de esta generación es el de producir ordenadores

auténticamente inteligentes, sistemas a los que el usuario se puede dirigir en lenguaje natural y con los cuales se puede conversar.

Los lenguajes de esta generación, cuyo primer prototipo apareció en los 90, tienen las siguientes características:

- Nueva tecnología de fabricación, basadas posiblemente en materiales distintos al silicio.

- Se sustituyen los lenguajes de alto nivel: COBOL, FORTRAN, etc. por el PROLOG y LISP, que poseen más recursos lógicos.

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DETECCION Y CORRECCION DE ERRORES DE MEMORIA

RAMExisten dos clases de errores en los sistemas de memoria, las fallas (Hard fails) que son daños en el hardware y los errores (soft errors) provocados por causas fortuitas. Los primeros son relativamente

fáciles de detectar (en algunas condiciones el diagnóstico es equivocado), los segundos al ser resultado de eventos aleatorios, son más difíciles de hallar. En la actualidad la confiabilidad de las memorias RAM frente a los errores, es suficientemente alta como para no realizar verificación sobre los datos almacenados, por lo menos para aplicaciones de oficina y caseras. En los usos más

críticos, se aplican técnicas de corrección y detección de errores basadas en diferentes estrategias:

La técnica del bit de paridad consiste en guardar un bit adicional por cada byte de datos y en la lectura se comprueba si el número

de unos es par (“paridad par”) o impar (“paridad impar”), detectándose así el error.