Electrónica I 1º Semestre 2010/2011

2º Trabalho de Laboratório

Amplificador com Transístores Bipolares

Teresa Mendes de Almeida

Fernando Gonçalves

INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO

Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores

Área Científica de Electrónica

Outubro de 2008

Revisto em Outubro de 2010

2

1. Introdução

Pretende-se com este trabalho de laboratório analisar o funcionamento do circuito amplificador da

figura 1, que é constituído por dois blocos amplificadores ligados em cascata (amplificador de

emissor comum e amplificador seguidor de emissor) e realizados de forma discreta. Serão

considerados diversos aspectos da sua topologia e do seu modo de funcionamento,

nomeadamente determinação do ponto de funcionamento em repouso, dos ganhos de tensão e

de corrente, das resistências de entrada e de saída na banda de passagem do amplificador e

ainda a sua resposta em frequência.

A realização do amplificador discreto baseia-se na utilização de dois transístores bipolares NPN

BC547B (ver a folha de características em anexo a este guia de trabalho).

A realização do trabalho de laboratório compreende os seguintes passos:

i. antes da primeira sessão de trabalho no laboratório deve ser realizada toda a análise

teórica do circuito;

ii. na primeira sessão de laboratório devem ser realizadas as simulações (com o programa

PSpice Schematics) e os resultados obtidos devem ser confrontados com os cálculos

teóricos (os ficheiros necessários às simulações podem ser preparados antes da aula

de laboratório);

iii. os componentes para a montagem do circuito serão entregues na primeira sessão de

laboratório. Caso disponham de tempo livre, podem aproveitar a parte final da aula para

montarem o circuito. Nota: A placa de bread-board para a montagem do circuito deverá

ser trazida pelos alunos;

iv. na segunda sessão de laboratório devem ser realizadas as medições experimentais e

os resultados obtidos devem ser comparados com os cálculos teóricos e com os

resultados das simulações. O relatório é entregue no final desta segunda aula de

laboratório.

2. Material de Laboratório e Equipamento

Para a realização do trabalho experimental é necessário o seguinte material e equipamento:

2 Transístores bipolares NPN - BC547B

Resistências: 220 , 820 , 1 k, 1,6 k, 2,7 k, 12 k, 39 k, 68 k

Condensadores: 0,1 F, 2 10 F

1 Placa de bread-board e fios de ligação

3

Osciloscópio digital (com ligação a PC para utilização do programa HIMES)

Gerador de sinais

Multímetro

3. Análise Teórica

Considere o circuito amplificador da figura 1, que é constituído por dois andares amplificadores, de

acordo com o diagrama de blocos da figura 2. O primeiro andar é um amplificador de emissor

comum e o segundo andar amplificador é um circuito seguidor de emissor.

RE1

vin

RC

VCC

R2

R1

C1

C2

vo2

vO1

Q1

RS

vs

RE2CE

RE3

Q2

+

Vout

-

RL

VCCVCC

iout

iin

Ri1 Ri2 Ro2Ro1

vB1

VCC=15 V, Q1=Q2 [VBEon=0,67 V, F=o=305, VCEsat=0,2 V, VA=+ e VT=25 mV],

C1=0.1 F, C2=CE=10 F,

RS=12 k, R1=68 k, R2=39 k, RC=1,6 k, RE1=220 , RE2=820 , RE3=2,7 k, RL=1 k

Figura 1 – Amplificador discreto com transístores bipolares.

C1 C2RS

vs

+

Vout

-

RL

Ampli-

ficador

1

Ampli-

ficador

2

Figura 2 – Diagrama de blocos do circuito amplificador.

4

Analise teoricamente o circuito, respondendo às questões seguintes:

3.1. Determine o PFR dos transístores, apresentando os valores das seguintes grandezas:

VB1, VC1, VE1, VE2, IR1, IR2, IB1, IC1, IE1, IB2, IC2 e IE2.

3.2. Considere a partir de agora o amplificador a funcionar na banda de passagem

(C1=CE=C2=+). Calcule os valores das resistências de entrada dos blocos

amplificadores, Ri2 e Ri1 (calcule primeiro Ri2 e use o seu valor para calcular Ri1),

considerando que RL exerce um efeito de carga no circuito.

3.3. Calcule os valores das resistências de saída dos blocos amplificadores, Ro1 e Ro2

(calcule primeiro Ro1 e use o seu valor para calcular Ro2).

3.4. Considere o primeiro bloco amplificador de forma isolada e calcule o ganho de tensão

em vazio, A1=vo1/vin (quando io1=0, ou seja, considerando Ri2=+).

3.5. Considere o segundo bloco amplificador de forma isolada e calcule o ganho de tensão

em vazio, A2=vo2/vo1 (quando io2=0, ou seja, considerando RL=+).

3.6. Calcule agora os ganhos de tensão A1L=vo1/vin e A2L=vout/vo1 quando se consideram os

efeitos de carga, pelo facto de os blocos amplificadores não estarem isolados (note que

os circuitos incrementais são os mesmos considerados anteriormente, apenas mudam

os valores de algumas das resistências). Com base nos ganhos de tensão A1L e A2L

determine o ganho de tensão do circuito amplificador carregado, A12L=vout/vin=A1LA2L, e

o ganho incremental de tensão total do circuito: Av=vout/vs=Ri1/(RS+Ri1)A1LA2L.

3.7. Com base no ganho de tensão A12L, calcule o ganho de corrente Ai=iout/iin.

3.8. Qual seria o ganho do amplificador carregado com RL, AV’=vout/vs, se não fosse usado o

segundo andar amplificador? Com base nos valores das resistências e dos ganhos de

tensão calculados, explique porque há vantagem em serem usados dois andares

amplificadores.

3.9. Admitindo que a frequência de corte inferior do amplificador é unicamente imposta pelo

condensador CE, faça uma estimativa do seu valor.

NOTAS:

Em cada questão apresente sempre os esquemas eléctricos usados, o conjunto de

equações iniciais e as equações finais, assim como os valores numéricos calculados

(não precisa de apresentar os cálculos relativos aos passos intermédios da

manipulação simbólica).

Caso faça alguma aproximação nos cálculos, apresente a sua justificação e validação.

5

4. Simulação

Para realizar a simulação do funcionamento do circuito considere os transístores caracterizados

pelo modelo descrito na tabela apresentada a seguir. Deve introduzir o componente QBreakN

para os transístores e de seguida deve alterar os seus parâmetros seleccionando o componente e

acedendo à seguinte sequência de comandos: Edit Model… Edit Instance Model (Text) e na

janela que fica aberta devem ser introduzidos os parâmetros de acordo com a tabela (pode ser

feito «copy» e «paste» a partir de um editor que não introduza caracteres escondidos, por

exemplo o «notepad»). As características ficam então guardadas num ficheiro ***.lib, cujo nome e

directoria é o indicado na janela de edição em «Save To».

.MODEL BC547B NPN( IS=2.39E-14 NF=1.008 ISE=3.545E-15 NE=1.541 BF=294.3 IKF=0.1357 VAF=63.2 NR=1.004 ISC=6.272E-14 NC=1.243 BR=7.946

IKR=0.1144 VAR=25.9 RB=1 IRB=1E-06 RBM=1 RE=0.4683 RC=0.85 XTB=0 EG=1.11 XTI=3 CJE=4.858E-11 VJE=0.65

XTF=120 VTF=2.643 ITF=0.7495 PTF=0 CJC=6.928E-12 VJC=0.3997 MJC=0.2955 XCJC=0.6193 TR=1E-32 CJS=0 VJS=0.75 MJS=0.333 FC=0.9579 )

Simule o funcionamento do circuito e responda às questões seguintes.

4.1. Faça uma análise do ponto de funcionamento em repouso (Bias Point Detail) e

determine as seguintes tensões e correntes: VB1, VC1, VE1, VE2, IR1, IR2, IB1, IC1, IE1, IB2, IC2

e IE2. Obtenha uma figura com o esquema do circuito, onde as tensões e correntes em

repouso devem estar visíveis. Identifique os valores pedidos e elimine os valores

que não foram pedidos.

NOTAS:

A fim de facilitar a identificação das formas de onda nos gráficos dos resultados, dê

nomes ilustrativos aos sinais de tensão (vs, vin, vb1, etc.). Para isso basta seleccionar

uma linha de ligação entre dois componentes do circuito (clicar duas vezes na linha) e

atribuir-lhe o nome (Label).

Utilize a opção Plot Label Mark para assinalar pontos nos gráficos. Quando

impresso, esses pontos ficarão visíveis, permitindo comprovar os valores

mencionados no relatório. Todos os valores pedidos ou usados em cálculos devem ser

identificados com esta opção.

6

4.2. Aplique na entrada um sinal sinusoidal com 200 mV de amplitude e 2 kHz de frequência

(gerador de sinal VSIN). Visualize 5 períodos dos sinais e obtenha um gráfico com as

tensões vs(t), vin(t), vo1(t) e vout(t) fazendo uma análise no domínio do tempo

(Transient…). A partir do gráfico obtido, determine os ganhos de tensão A1L, A2L e Av.

Não utilize os 3 períodos iniciais para estes cálculos, pois ainda não correspondem ao

regime estacionário. Nota: Para que as formas de onda fiquem mais perceptíveis, pode

visualizar a tensão vO1(t) noutra janela. Essa janela deve ser criada com a opção Plot

Add Plot to Window.

4.3. Mantendo as condições da alínea anterior, obtenha um novo gráfico com vB1(t), vo1(t) e

vo2(t). Obtenha os valores médios de cada uma das formas de onda usando a fórmula

(MAX(vx) + MIN(vx))/2. Compare-os com os valores obtidos em repouso (alínea 4.1).

4.4. Obtenha um gráfico com as tensões vs(t), vo1(t) e vce1(t). Aumente a amplitude do sinal

de entrada até se verificar distorção forte no sinal de saída (distorção na parte superior

e inferior de vo1). Sobre a forma de onda de vo1(t) identifique, justificando, as diferentes

zonas de funcionamento do transístor Q1.

4.5. Altere o gerador sinusoidal para um gerador AC (gerador de sinal VAC) com 200 mV de

amplitude e determine a resposta em frequência do amplificador, obtendo um gráfico de

|Vout()/Vs()| em dB. Para isso faça uma análise na frequência (AC Sweep…), variando

a frequência entre 1 Hz e 100 MHz com 101 pontos por década. Identifique o ganho

para as frequências intermédias e determine as frequências de corte a -3 dB, fH e fL.

Com base nas frequências de corte, calcule a largura de banda do amplificador,

f = fH - fL.

5. Trabalho Experimental

5.1. Identifique na figura 1 os terminais dos transístores (consulte a folha de características

do transístor que está em anexo a este guia). Ao montar o circuito na placa de bread-

board tente manter uma topologia com correspondência directa ao circuito da figura 1

PRECAUÇÕES / RECOMENDAÇÕES:

Antes de aplicar sinais na entrada do circuito verifique que o circuito já está

alimentado, ou seja, VCC está ligado a 15 V e a massa do circuito está ligada a um ponto

GND da base de alimentação.

Antes de aplicar um sinal na entrada do circuito visualize-o no osciloscópio e verifique

se corresponde ao sinal pretendido.

7

(base à esquerda, colector em cima, VCC em cima, GND em baixo, etc.), o que facilita as

medições experimentais e a detecção de eventuais erros na montagem do circuito.

5.2. Monte o circuito na placa de bread-board sem incluir os condensadores, e as

resistências RS e RL. Não ligue ainda a fonte de alimentação.

5.3. Ajuste a fonte de tensão para 15 V. Só depois de ter verificado que o nível de tensão

está correcto é que deve proceder à ligação da fonte ao circuito.

5.4. Com o voltímetro meça e registe as tensões VCC, VB1, VC1, VE1 e VE2. Se os valores não

corresponderem ao esperado, abra a ligação entre os dois andares (fio que liga o

colector de Q1 à base de Q2) e verifique primeiro a montagem do primeiro andar

amplificador, medindo as tensões pedidas. Verifique depois a montagem do segundo

andar e ligue-o ao primeiro, voltando a medir as tensões pedidas.

5.5. Inclua agora no circuito os condensadores e as resistências RS e RL. Verifique que não

há engano na montagem, vendo que não há qualquer alteração nas tensões DC

medidas anteriormente.

5.6. Ligue o gerador de sinais ao canal 1 do osciloscópio (canal 1, em modo DC) e ajuste-o

para obter um sinal sinusoidal de 200 mV de amplitude e 2 kHz de frequência. Depois

de ter ajustado o sinal, desligue-o do osciloscópio e aplique-o na entrada do circuito,

vs. Colocando o canal 2 do osciloscópio em modo AC, observe e registe os seguintes

gráficos: Gráfico 1: vin e vo1; Gráfico 2: vo1 e vout. Não confunda vin com vs. Comente

os resultados obtidos. Nota: Em cada gráfico identifique o sinal de entrada e de saída e

não se esqueça de indicar o posicionamento da tensão de referência (GND) para os

dois canais.

5.7. Meça as amplitudes dos sinais vin, vo1 e vout usando um voltímetro em modo AC, o qual

indica o valor eficaz e não a amplitude da sinusóide. Com base nas amplitudes medidas

experimentalmente calcule os ganhos de tensão A1L=vo1/vin e A2L=vout/vo1.

5.8. Observe os sinais vs e vo1 em modo DC. Aumente a amplitude do sinal de entrada até

que se verifique distorção significativa em vo1 (transístores a saírem da zona activa

directa). Registe os sinais de entrada e de saída, vs e vo1, identificando cada uma das

formas de onda.

5.9. Reponha a amplitude do sinal de entrada em 200 mV. Observando a tensão vout em

modo AC, varie a frequência do sinal e registe as frequências de corte inferior, fL, e

superior, fH, do circuito amplificador (-3 dB 2/1 ). Calcule a sua largura de banda,

f = fH - fL.

8

6. Relatório

O relatório (entregue no final da segunda sessão de laboratório) deve obrigatoriamente

respeitar a seguinte sequência de capítulos/secções:

Análise teórica (inclui as respostas às questões 3.1 a 3.9)

Simulação (inclui as respostas às questões 4.1 a 4.5 – sempre que se justifique, assinale

os valores pedidos sobre os próprios gráficos)

Trabalho experimental (inclui as respostas e gráficos referentes às questões 5.4 a 5.9)

Análise dos resultados (no mínimo, inclui as comparações de resultados que se indicam

nas tabelas abaixo – sugestão: utilize as tabelas para resumir os valores que obteve ao

longo do trabalho e aproveite a coluna “Comentário” para inserir a sua análise dos

resultados)

Conclusões

Grandezas a comparar Teórica Simulação Experimental Comentários

Tensões e correntes em repouso 3.1 4.1 5.4

Ganhos A1L, A2L e Av 3.6 4.2 5.6 e 5.7

Distorção 4.4 5.8

Resposta em frequência 3.9 4.5 5.9

Como na segunda sessão de laboratório é necessário realizar o trabalho experimental e completar

o relatório, o relatório deve ser estruturado e parcialmente realizado antes da segunda aula de

laboratório, para que durante a aula apenas seja necessário completar os aspectos referentes aos

resultados experimentais.

Deve trazer o relatório já impresso.

7. Folha de Características do Transístor BC547B

(ver páginas seguintes)

© Semiconductor Components Industries, LLC, 2007

March, 2007 − Rev. 61 Publication Order Number:

BC546/D

BC546B, BC547A, B, C,BC548B, C

Amplifier Transistors

NPN Silicon

Features

• Pb−Free Packages are Available*

MAXIMUM RATINGS

Rating Symbol Value Unit

Collector - Emitter VoltageBC546BC547BC548

VCEO654530

Vdc

Collector - Base VoltageBC546BC547BC548

VCBO805030

Vdc

Emitter - Base Voltage VEBO 6.0 Vdc

Collector Current − Continuous IC 100 mAdc

Total Device Dissipation @ TA = 25°CDerate above 25°C

PD 6255.0

mWmW/°C

Total Device Dissipation @ TC = 25°CDerate above 25°C

PD 1.512

WmW/°C

Operating and Storage JunctionTemperature Range

TJ, Tstg −55 to +150 °C

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic Symbol Max Unit

Thermal Resistance, Junction−to−Ambient R�JA 200 °C/W

Thermal Resistance, Junction−to−Case R�JC 83.3 °C/W

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. MaximumRatings are stress ratings only. Functional operation above the RecommendedOperating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above theRecommended Operating Conditions may affect device reliability.

*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, pleasedownload the ON Semiconductor Soldering and Mounting TechniquesReference Manual, SOLDERRM/D.

http://onsemi.com

COLLECTOR

1

2

BASE

3

EMITTER

See detailed ordering and shipping information in the packagedimensions section on page 5 of this data sheet.

ORDERING INFORMATION

1 23

12

BENT LEADTAPE & REELAMMO PACK

STRAIGHT LEADBULK PACK

3

TO−92CASE 29STYLE 17

MARKING DIAGRAM

BC54x

AYWW �

�

x = 6, 7, or 8A = Assembly LocationY = YearWW = Work Week� = Pb−Free Package

(Note: Microdot may be in either location)

BC546B, BC547A, B, C, BC548B, C

http://onsemi.com2

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic Symbol Min Typ Max Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector − Emitter Breakdown Voltage(IC = 1.0 mA, IB = 0) BC546

BC547BC548

V(BR)CEO654530

−−−

−−−

V

Collector − Base Breakdown Voltage(IC = 100 �Adc) BC546

BC547BC548

V(BR)CBO805030

−−−

−−−

V

Emitter − Base Breakdown Voltage(IE = 10 �A, IC = 0) BC546

BC547BC548

V(BR)EBO6.06.06.0

−−−

−−−

V

Collector Cutoff Current(VCE = 70 V, VBE = 0) BC546(VCE = 50 V, VBE = 0) BC547(VCE = 35 V, VBE = 0) BC548(VCE = 30 V, TA = 125°C) BC546/547/548

ICES−−−−

0.20.20.2−

1515154.0

nA

�A

ON CHARACTERISTICS

DC Current Gain(IC = 10 �A, VCE = 5.0 V) BC547A

BC546B/547B/548BBC548C

(IC = 2.0 mA, VCE = 5.0 V) BC546BC547BC548

BC547ABC546B/547B/548B

BC547C/BC548C

(IC = 100 mA, VCE = 5.0 V) BC547A/548ABC546B/547B/548B

BC548C

hFE−−−

110110110110200420

−−−

90150270

−−−

180290520

120180300

−−−

450800800220450800

−−−

−

Collector − Emitter Saturation Voltage(IC = 10 mA, IB = 0.5 mA)(IC = 100 mA, IB = 5.0 mA)(IC = 10 mA, IB = See Note 1)

VCE(sat)−−−

0.090.20.3

0.250.60.6

V

Base − Emitter Saturation Voltage(IC = 10 mA, IB = 0.5 mA)

VBE(sat) − 0.7 − V

Base − Emitter On Voltage(IC = 2.0 mA, VCE = 5.0 V)(IC = 10 mA, VCE = 5.0 V)

VBE(on)0.55

−−−

0.70.77

V

SMALL−SIGNAL CHARACTERISTICS

Current − Gain − Bandwidth Product(IC = 10 mA, VCE = 5.0 V, f = 100 MHz) BC546

BC547BC548

fT150150150

300300300

−−−

MHz

Output Capacitance(VCB = 10 V, IC = 0, f = 1.0 MHz)

Cobo − 1.7 4.5 pF

Input Capacitance(VEB = 0.5 V, IC = 0, f = 1.0 MHz)

Cibo − 10 − pF

Small − Signal Current Gain(IC = 2.0 mA, VCE = 5.0 V, f = 1.0 kHz) BC546

BC547/548BC547A

BC546B/547B/548BBC547C/548C

hfe125125125240450

−−

220330600

500900260500900

−

Noise Figure (IC = 0.2 mA, VCE = 5.0 V, RS = 2 k�, f = 1.0 kHz, �f = 200 Hz)BC546BC547BC548

NF−−−

2.02.02.0

101010

dB

1. IB is value for which IC = 11 mA at VCE = 1.0 V.

BC546B, BC547A, B, C, BC548B, C

http://onsemi.com3

BC547/BC548

Figure 1. Normalized DC Current Gain

IC, COLLECTOR CURRENT (mAdc)

2.0

Figure 2. “Saturation” and “On” Voltages

IC, COLLECTOR CURRENT (mAdc)

0.2 0.5 1.0 10 20 500.2

100

Figure 3. Collector Saturation Region

IB, BASE CURRENT (mA)

Figure 4. Base−Emitter Temperature Coefficient

IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

2.0 5.0 200

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

0.5

0

0.2

0.4

0.1

0.3

1.6

1.2

2.0

2.8

2.4

1.2

1.6

2.0

0.02 1.0 100

200.1

0.4

0.8

hF

E, N

OR

MA

LIZ

ED

DC

CU

RR

EN

T G

AIN

V, V

OLT

AG

E (

VO

LTS

)

VC

E, C

OLL

EC

TO

R−E

MIT

TE

R V

OLT

AG

E (

V)

VB

, TE

MP

ER

AT

UR

E C

OE

FF

ICIE

NT

(m

V/

C)

°θ

1.5

1.0

0.8

0.6

0.4

0.3

0.2 0.5 1.0 10 20 502.0 10070307.05.03.00.70.30.1

0.2 1.0 10 100

TA = 25°C

VBE(sat) @ IC/IB = 10

VCE(sat) @ IC/IB = 10

VBE(on) @ VCE = 10 V

VCE = 10 V

TA = 25°C

−55°C to +125°CTA = 25°C

IC = 50 mA IC = 100 mA

IC = 200 mA

IC =

20 mA

IC =

10 mA

1.0

Figure 5. Capacitances

VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)

10

Figure 6. Current−Gain − Bandwidth Product

IC, COLLECTOR CURRENT (mAdc)

0.4 0.6 1.0 10 201.0

2.0 6.0 40

80

100

200

300

400

60

20

40

30

7.0

5.0

3.0

2.0

0.7 1.0 10 202.0 50307.05.03.00.5

VCE = 10 V

TA = 25°C

C, C

AP

AC

ITA

NC

E (

pF)

f�, C

UR

RE

NT

−GA

IN −

BA

ND

WID

TH

PR

OD

UC

T (

MH

z)T

0.8 4.0 8.0

TA = 25°C

Cob

Cib

BC546B, BC547A, B, C, BC548B, C

http://onsemi.com4

BC546

Figure 7. DC Current Gain

IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 8. “On” Voltage

IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

0.8

1.0

0.6

0.2

0.4

1.0

2.0

0.1 1.0 10 1000.2

0.2

0.5

0.2 1.0 10 200

TA = 25°C

VBE(sat) @ IC/IB = 10

VCE(sat) @ IC/IB = 10

VBE @ VCE = 5.0 V

Figure 9. Collector Saturation Region

IB, BASE CURRENT (mA)

Figure 10. Base−Emitter Temperature Coefficient

IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

−1.0

1.2

1.6

2.0

0.02 1.0 100

200.1

0.4

0.8

VC

E, C

OLL

EC

TO

R−E

MIT

TE

R V

OLT

AG

E (

VO

LTS

)

VB

, TE

MP

ER

AT

UR

E C

OE

FF

ICIE

NT

(m

V/

C)

°θ

0.2 2.0 10 2001.0

TA = 25°C

200 mA50 mA

IC =

10 mA

hF

E, D

C C

UR

RE

NT

GA

IN (

NO

RM

ALI

ZE

D)

V, V

OLT

AG

E (

VO

LTS

)

VCE = 5 V

TA = 25°C

00.5 2.0 5.0 20 50 100

0.05 0.2 0.5 2.0 5.0

100 mA20 mA

−1.4

−1.8

−2.2

−2.6

−3.00.5 5.0 20 50 100

−55°C to 125°C

�VB for VBE

Figure 11. Capacitance

VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)

40

Figure 12. Current−Gain − Bandwidth Product

IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

0.1 0.2 1.0 502.0

2.0 10 100

100

200

500

50

20

20

10

6.0

4.0

1.0 10 50 1005.0

VCE = 5 V

TA = 25°C

C, C

AP

AC

ITA

NC

E (

pF)

f�, C

UR

RE

NT

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BC548BRL1G TO−92(Pb−Free)

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†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel PackagingSpecifications Brochure, BRD8011/D.

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PACKAGE DIMENSIONS

TO−92 (TO−226)CASE 29−11ISSUE AM

NOTES:1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI

Y14.5M, 1982.2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.3. CONTOUR OF PACKAGE BEYOND DIMENSION R

IS UNCONTROLLED.4. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED IN P AND

BEYOND DIMENSION K MINIMUM.

R

A

P

J

L

B

K

GH

SECTION X−X

CV

D

N

N

X X

SEATING

PLANE DIM MIN MAX MIN MAX

MILLIMETERSINCHES

A 0.175 0.205 4.45 5.20

B 0.170 0.210 4.32 5.33

C 0.125 0.165 3.18 4.19

D 0.016 0.021 0.407 0.533

G 0.045 0.055 1.15 1.39

H 0.095 0.105 2.42 2.66

J 0.015 0.020 0.39 0.50

K 0.500 −−− 12.70 −−−

L 0.250 −−− 6.35 −−−

N 0.080 0.105 2.04 2.66

P −−− 0.100 −−− 2.54

R 0.115 −−− 2.93 −−−

V 0.135 −−− 3.43 −−−1

NOTES:1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER

ASME Y14.5M, 1994.2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.3. CONTOUR OF PACKAGE BEYOND

DIMENSION R IS UNCONTROLLED.4. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED IN P

AND BEYOND DIMENSION K MINIMUM.

RA

P

J

B

K

G

SECTION X−X

CV

D

N

X X

SEATING

PLANEDIM MIN MAX

MILLIMETERS

A 4.45 5.20

B 4.32 5.33

C 3.18 4.19

D 0.40 0.54

G 2.40 2.80

J 0.39 0.50

K 12.70 −−−

N 2.04 2.66

P 1.50 4.00

R 2.93 −−−

V 3.43 −−−1

T

STRAIGHT LEADBULK PACK

BENT LEADTAPE & REELAMMO PACK

STYLE 17:PIN 1. COLLECTOR

2. BASE3. EMITTER

ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further noticeto any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liabilityarising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages.“Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. Alloperating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rightsnor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applicationsintended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. ShouldBuyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates,and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or deathassociated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an EqualOpportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.

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