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Oficina de Microfabricação:Projeto e Construção de CI´s MOS
Temas• Seminários:
– Conceitos de Semicondutores– Teoria de Dispositivos– Conceitos de Processos de Fabricação– Projeto de Processo e Dispositivo– Projeto de CI´s– Microssistemas
• CAD– Simulação de Processos e Dispositivos– Projeto de CI´s
Temas - cont.
• Laboratório de Fabricação– Etapas de Processos– Integração de Processo nMOS e pMOS.– Medidas de caracterização de processo– Visitas a laboratórios: CCS, LPD e ITI
• Laboratório de Medidas Elétricas:– Chip didático da U. de Edinburg– Chip didático CCS fabricado.
Instrutures
• Seminários:– Prof. Doi - CCS– Prof. Jacobus - CCS– Dr. Diniz - CCS– Dr. Stanislav - CCS– Dr. Moreira - LSI/USP– Eng Emílio Bortolucci - CCS– Dr. Luiz Otávio - LNLS
Instrutores - cont.• Laboratório de
Fabricação– Prof. Doi
– Dr. Diniz
– Dra. Maria Beny
– Godoy
– Mara
– Regina
– Eudoxio
• Medidas Elétricas– Dr. Diniz
– Dra. Maria Beny
– Rosana
– Leandro
• CAD– Hugo
– Emílio
– Moreira
– Leandro
Apostila - Sumário
• . Evolução de Microeletrônica a Microssistemas• . Conceitos Básicos para Semicondutores• . Semicondutores• . Capacitor MOS• . Transistor MOSFET• . Escalamento e Limites dos Dispositivos MOS • . Integração de Processos: CMOS em Si• . Estruturas de Dispositivos Semicondutores• . Plasma Etching• . Deposição de Filmes Finos• . Conceitos de Vácuo• .Projeto de Processos e Dispositivos
Apostila - Sumário - cont.
• .Microssistemas: Fabricação e Aplicações• .Introdução à Tecnologia LIGA• .Projeto de CI´s MOS.• .Descrição do Processo MOS do CCS• .Descrição do Chip Didático CCS2• .Descrição das Medidas dos Dispositivos• .Elaboração de Relatório.• .Enquête de Opinião.
Enquete de Opinião• Dê uma nota de 0 a 10 em cada quadro abaixo. No item conteúdo, além da nota, acrescentar também um dos
qualificativos: R (reduzido), A (apropriado) ou D (demasiado).
• Tema Instrutores Conteúdo Apresentação• Rev. Semicondutores Jacobus• Rev. MOS Diniz• Modelo de oxidação Jacobus• Integração processos Jacobus• Difusão e implantaçãoJacobus• Etching úmido e seco Stanislav• Descrição SUPREM Emílio• Descrição PISCES Emílioa• Processos CVD Doi• Cargas SiO2/Si Diniz• Vácuo e Metalização Doi• Projeto CI´s Moreira• Programa Microeletr. Moreira• Evolução de MicroeletJacobus• Microssensores Luiz Ot’svio• LIGA Luiz Otávio• Lab. de Fabricação Vários• Medidas físicas/proc. Mara• LabSUPREM/PISCESHugo, Paula• Lab. medidas CMOS Diniz, Beny• Lab. medidas MOS Diniz, Beny• Lab. projeto CI´s Moreira• Visita ao LPD Beny e Stanislav• Visita ao CTI Doi, outros• Relatório• Nota geral do curso
• Apresente comentários e sugestões: a) gerais sobre o curso, b) sobre os temas específicos.
Integração de Processos
A) Processo nMOS e pMOS
CCS/UNICAMP
Lâminas:
• Orientação (100)
• tipo:– p para nMOS– n para pMOS
• resistividade:– 4 a 9 .cm para lâmina n– 11 a 22 .cm para lâmina p
• Limpeza RCA completa.
Oxidação Inicial
• 1000 °C
• H2O + O2
• 3h
• Xox = 0.7 m
MOS TechnologyMOS Technology
Máscara CCS2
Máscara CCS2
Máscara CCS01
Sugestões e Avisos
• Não hesitem em fazer perguntas!
• Cuidado nos laboratórios:– produtos químicos– gases– equipamentos sofisticados.
• Aproveitem bem o curso.