Si

Si

Si

Si

Si

Si Si

Si

Si Si Si Si

O O O O

NÍVEL DE INTEGRAÇÃONÍVEL DE INTEGRAÇÃO

NÍVEL DE INTEGRAÇÃO DISPOSITIVOS/CHIP

SSI 2 a 50

MSI 150 a 5.000

LSI 5.000 a 100.000

VLSI 100.000 a 10.000.000

ULSI 10.000.000 a 1.000.000.000

SLSI acima de 1.000.000.000

ALGUNS PROBLEMAS COM ALGUNS PROBLEMAS COM CONTAMINAÇÃOCONTAMINAÇÃO

DEGRADAÇÃO DO DESEMPENHO

- QUALIDADE DO ÓXIDO DE PORTA

- TEMPO DE VIDA DOS PORTADORES DE CARGA

FONTE DRENO

“METAL” PORTA

ÓXIDO DE PORTA

Contaminantes atuam como armadilhas, degradando tempo de

vida e mobilidade no canal

Contaminantes atuam como armadilhas ou cargas no óxido

TRANSISTOR MOS

DEGRADAÇÃO DA CONFIABILIDADE

FONTE DRENO

“METAL” PORTA

ÓXIDO DE PORTA

Contaminantes atuam como “pontos fracos”, degradando a rigidez

dielétrica do óxido de porta

- RUPTURA DO ÓXIDO DE CAMPO

- CONTATO RUIM

DEGRADAÇÃO DO RENDIMENTO

- UM ÚNICO DEFEITO PODE ARRUINAR TODO UM CIRCUITO

Defeito fatal no circuito

- PARTÍCULAS

C) JATO DE NITROGÊNIO

MAIS ADEQUADO

MAIS DIFÍCIL

PODE CONTAMINAR COM METAIS DA PINÇA

MELHOR LIMPEZA?

DEPENDE DA SUPERFÍCIE DA AMOSTRA

Fonte:FiberSystems International Vol.3 N.1 pg.29 February 2002

Base Mundial de ComputadoresM

ilhões

de U

suári

os

80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 2000

8 bitsUso pessoal

8/16 bits 16 bits 16bits 32 bits 32 bits 64 bits

APPLE PC PC XT PC AT 386PS

486 PowerPC 601

686 Alpha

MIPS 10000Pentium-proPower PC620

0

100

600

300

200

500

400

1100

1000

900

800

700

1500

1300

1400

1200

.....................2005 ....................2010

128 bits

Micros a serem desenvolvidos

Micros multi-núcleos de 64 a 256 bits

1960 1965 1970 1975 1980 1985 1990 1995 2000 2005 2010 2015 2020

MSI – 100K Hz clock

1Kbit 1sr calculator , 1st Proc.

16K RAM Proc. – 1MHz clock

64K RAM

1M RAM

64M RAM

16M RAM

1G RAM

4G RAM

16G RAM

64G RAM

1 Terabit RAM

Proc. 32 bits – 10MHz

50 MHz clock

2000 MHz clock

Proc. with 25M comp. 400 MHZ clock

P 500MHz 50M.

P 625MHz 100M com

Número de Componentes

Ano

1E+00

1E+02

1E+01

1E+03

1E+05

1E+04

1E+06

1E+08

1E+07

1E+09

1E+11

1E+10

1E+12

1E+13

Capacidade de Integração em Microeletrônica e Relógios

as

Dimensões mínimas adotadas na pastilha para os dispositivos eletrônicos

0.35m

0.035m

Figura 3. Projeção a longo prazo da tendência de redução das dimensões dos dispositivos eletrônicos, contidos numa pastilha de silício associada com a tendência de aumento de área física dessas pastilhas para os próximos 70 anos

Redução de dimensões e tamanhos das pastilhas de silício