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Tema 4: Unión PN (introducción, descripción cualitativa). Características IV. Capacidad de la unión. Modelos para circuitos. Conmutación. Diodos especiales: diodos Schottky, Zéner, … Lecturas recomendadas: “Electrónica Integrada” Cap.3J.Millman y Ch.C.Halkias. Ed. Hispano Europea. “Microelectrónica” Cap.2J.Millman y A.Grabel. Ed. Hispano Europea

Tema 4: Unión PN I V. de la para circuitos. Diodos ... · Aplicaciones del diodo Zener ‐ Esquema de una fuente de alimentación de tensión constante ‐ Establecer tensiones de

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Page 1: Tema 4: Unión PN I V. de la para circuitos. Diodos ... · Aplicaciones del diodo Zener ‐ Esquema de una fuente de alimentación de tensión constante ‐ Establecer tensiones de

Tema 4: Unión PN (introducción, descripción cualitativa). Características I‐V. Capacidad de la unión. Modelos para circuitos. Conmutación. Diodos especiales: diodos Schottky, Zéner, …

Lecturas recomendadas:“Electrónica Integrada” Cap.3‐ J.Millmany Ch.C.Halkias. Ed. Hispano Europea.“Microelectrónica” Cap.2‐ J.Millman y 

A.Grabel. Ed. Hispano Europea

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Potencial de contacto

‐ Potencial de contacto (tensión en circuito abierto):

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FORMACIÓN DE LA UNIÓN

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Potencial de contacto

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ZONA DE CARGA ESPACIAL

V > 0:  polarización directa

V < 0:  polarización inversa

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BARRERA DE POTENCIAL Y CONCENTRACIONES DE PORTADORES

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Zona de carga espacial

‐ Neutralidad de carga:

‐ Unión unilateral: 

‐ Ecuación de Poisson:

‐ Campo eléctrico:

‐ Campo eléctrico máximo:

‐ Integrando entre x y W:

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Capacidad de transición

‐ Potencial:

‐ Diferencia de potencial:

‐ Capacidad (diferencial ) de transición:

‐ Anchura de la zona de carga: 

‐ Todas las propiedades de la unión dependen exclusivamente del lado menos dopado

q(              )

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CORRIENTES DE DIFUSIÓN Y ARRASTRE

Modelo de Shockley: no hay generación ni recombinación en la zona de carga

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CORRIENTES DE DIFUSIÓN

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CARACTERISTICA I‐V

‐ Unión unilateral: ‐ NA<<ND

‐ Las características dependen del lado menos dopado

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CAPACIDAD DE DIFUSIÓN

‐ Capacidad de difusión:

‐ Capacidad total:

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CONMUTACIÓN

Tiempo de recuperación mayor o igual que la vida media:del orden de microsegundos

‐ Tiempo de tránsito

‐ Tiempo de recombinación

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RECTA DE CARGA

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MODELOS DE CORRIENTE CONTINUA

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RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA

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CIRCUITO PUENTE: RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA

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MODELO DE PEQUEÑA SEÑAL

Polarización directa Polarización inversa

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DIODO ZENER

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Aplicaciones del diodo Zener

‐ Esquema de una fuente de alimentación de tensión constante

‐ Establecer tensiones de referencia – reguladores de tensión

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Varactores y filtros

Vin Vout

1N5148

L1 mH

‐ Frecuencia de resonancia:

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DIODO TÚNEL‐ En 1973 Leo Esaki recibió el Premio Nobel por el desarrollo (en 1959) de los dispositivos basados en efecto túnel

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DIODO TÚNEL: CARACTERÍSTICAS I‐V

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Osciladores y filtros con diodo túnel

‐ La resistencia diferencial negativa del diodo tiende a disminuir la resistencia parásita del circuito resonante haciendo el ancho de banda más estrecho y reduciendo la atenuación

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DIODOS SCHOTTKY

‐ Transporte por mayoritarios

‐ Tiempo de recuperación: 

= W/vl

10‐10 s

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EFECTO DE LA FUERZA IMAGEN

‐ Fuerza imagen:

‐ Potencial inducido por la presencia cercana del metal

‐ Potencial combinado

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DIODOS SCHOTTKY VERSUS P‐N