UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA – UNESP
FACULDADE DE ENGENHARIA DE ILHA SOLTEIRA – FEIS
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA – DEE
CURSO DE ELETRÔNICA II
O Transistor Bipolar de Junção - TBJ
Prof. Cláudio Kitano
Março 2017
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Nota
O emissor N é fortemente dopado Emite elétrons. Largura intermediária.
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Nota
O coletor N é fracamente dopado. Coleta elétrons. Largura muito ampla.
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Nota
A base P tem dopagem intermediária. Largura estreita.
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Nota
Junção PN polarizada diretamente.
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Nota
Junção PN polarizada reversamente.
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Nota
Entrada de lacunas para repor a recombinação.
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Nota
Formação de campo E1
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Nota
Formação de campo E2
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Nota
Campo E1 decresce
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Nota
Campo E2 cresce
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Nota
Corrente de emissor
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Nota
Corrente de coletor
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Nota
Junção reversa Elétrons acelerados
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Nota
Corrente de base
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Nota
Corrente de emissor: elétrons + lacunas
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Nota
Corrente de coletor: elétrons + lacunas