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UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA – UNESP FACULDADE DE ENGENHARIA DE ILHA SOLTEIRA – FEIS DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA – DEE CURSO DE ELETRÔNICA II O Transistor Bipolar de Junção - TBJ Prof. Cláudio Kitano Março 2017

O Transistor Bipolar de Junção - TBJ · O Transistor Bipolar de Junção - TBJ Prof. Cláudio Kitano Março 2017 . O emissor N é fortemente dopado\rEmite elétrons.\rLargura intermediária

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UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA – UNESP

FACULDADE DE ENGENHARIA DE ILHA SOLTEIRA – FEIS

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA – DEE

CURSO DE ELETRÔNICA II

O Transistor Bipolar de Junção - TBJ

Prof. Cláudio Kitano

Março 2017

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Nota
O emissor N é fortemente dopado Emite elétrons. Largura intermediária.
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Nota
O coletor N é fracamente dopado. Coleta elétrons. Largura muito ampla.
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Nota
A base P tem dopagem intermediária. Largura estreita.
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Nota
Junção PN polarizada diretamente.
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Nota
Junção PN polarizada reversamente.
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Nota
Entrada de lacunas para repor a recombinação.
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Nota
Formação de campo E1
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Nota
Formação de campo E2
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Nota
Campo E1 decresce
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Nota
Campo E2 cresce
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Nota
Corrente de emissor
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Nota
Corrente de coletor
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Nota
Junção reversa
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Nota
Junção reversa
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Nota
Junção direta
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Nota
Junção reversa Elétrons acelerados
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Nota
Reverso
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Nota
Reverso
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Nota
Direto
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Nota
Reverso
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Nota
Corrente de base
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Nota
Corrente de emissor: elétrons + lacunas
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Nota
Corrente de coletor: elétrons + lacunas
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