[Apostila] Transistor Bipolar - SENAI

7/31/2019 [Apostila] Transistor Bipolar - SENAI

1/32

SENAI-RJ 103

Eletrnica Bsica Transistor bipolar

Transistorbipolar

Nesta seo...

4

Conceito

Estrutura bsica

Tipos de transistores

Terminais do transistor

Simbologia

Aspecto real dos transistores

Teste de transistores

Defeitos comuns nos transistores

Tenses nos terminais do transistor

Junes do transistor e polaridade das tenses nos terminais

Polarizao simultnea das junes

Princpio de funcionamento do transistor bipolar

Ganho de corrente do transistor

Configuraes de ligao do transistor

Curvas caractersticas de um transistor


2/32

104 SENAI-RJ



3/32

SENAI-RJ 105


Conceito

O transistor bipolar um componente constitudo por materiais semicondutores, capaz de atuar

como controlador da corrente, o que possibilita o seu uso como amplificador de sinais ou como inter-

ruptor eletrnico.

Em qualquer uma das duas funes, o transistor encontra ampla aplicao:

amplificador de sinais equipamentos de som e imagem e controles industriais;

interruptor eletrnico controles industriais e computadores eletrnicos.

O transistor bipolar proporcionou um grande desenvolvimento eletrnica, devido sua versati-

lidade de aplicao, constituindo-se em elemento chave de grande parte dos equipamentos eletrni-

cos.

Estrutura bsica

A estrutura bsica do transistor se compe de duas pastilhas de material semicondutor, de mes-

mo tipo, entre as quais colocada uma terceira pastilha, bastante mais fina, de material semicondutor

com tipo diferente de dopagem, formando uma configurao semelhante a um sanduche. (Fig. 1)

Mesmadopagem

Material comdopagem diferente

Fig. 1


4/32

106 SENAI-RJ


Tipos de transistores

A configurao de estrutura em forma de sanduche permite que se obtenham dois tipos distintos

de transistores:

um, com pastilhas externas de material N e pastilha central de material P. (Fig. 2)

Este tipo de transistor denominado de transistor bipolar NPN.

Fig. 2

outro, com pastilhas externas de material P e pastilha central de material N, denominado de

transistor bipolarPNP. (Fig. 3)

Fig. 3

Os dois tipos de transistores podem cumprir as mesmas funes, diferindo apenas na forma

como as fontes de alimentao so ligadas ao circuito eletrnico.

N

P

N

P

N

P


5/32

SENAI-RJ 107


Terminais do transistor

Cada uma das pastilhas formadoras do transistor conectada a um terminal que permite a

interligao da estrutura do componente aos circuitos eletrnicos. (Fig.4)

Fig. 4

Os terminais recebem uma designao que permite identificar cada uma das pastilhas:

a pastilha central denominada de base, representada pela letra B;

uma das pastilhas externas denominada de coletor, representada pela letra C;

a outra pastilha externa denominada de emissor, representada pela letra E.

A figura 5 apresenta os dois tipos de transistores com a identificao dos terminais.

N P N

P N PE C

B

N P N

B

CE

Fig. 5

Embora as pastilhas do coletor e do emissor sejam do mesmo tipo de material semicondutor, no

possvel trocar as ligaes de um terminal com o outro nos circuitos eletrnicos porque existe

diferena de volume de material semicondutor e de intensidade de dopagem entre as pastilhas.


6/32

108 SENAI-RJ


Simbologia

A figura 6 apresenta o smbolo dos transistores NPN e PNP, indicando a designao dos termi-

nais.

Fig. 6

Observe que a diferena entre os smbolos dos dois transistores apenas o sentido da seta no

terminal emissor.

Alguns transistores, fabricados para aplicaes especficas, so dotados de blindagem. Essa

blindagem consiste em um invlucro metlico ao redor das pastilhas semicondutoras, que tem por

finalidade evitar que o funcionamento do transistor seja afetado por campos eltricos ou magnticos

do ambiente.

Esses transistores apresentam um quarto terminal, ligado blindagem para que esta possa ser

ligada ao terra do circuito eletrnico.

O smbolo desses transistores mostra a existncia do quarto terminal.(Fig. 7)

Blindagem

C

E

B

Fig. 7

NPN PNP

B

C

E

C

E

B


7/32

SENAI-RJ 109


Aspecto real dos transistores

Os transistores podem se apresentar nos mais diversos formatos (encapsulamentos), que geral-

mente variam em funo:

do fabricante;

da funo da montagem;

do tipo de montagem;

da capacidade de dissipar calor.

Por essa razo, a identificao dos terminais do transistor deve sempre ser feita com auxlio de

um manual de transistores ou folheto tcnico especfico do fabricante do componente.

Fig. 8

A figura 8 apresenta alguns tipos construtivos de transistores.

A figura 9, abaixo, parte de um folheto tcnico de um transistor, mostrando a posio dos seus

terminais.

Vista inferior Vista frontal

Vista lateral

Fig. 9


8/32

110 SENAI-RJ


Teste de transistores

Existem equipamentos destinados especificamente aos mais diversos testes nos transistores.

Entretanto, pode-se realizar um teste nos transistores usando um multmetro, o que permite

detectar os seus defeitos mais comuns.

Da mesma forma que em um diodo, o teste de transistores com multmetro no definitivo. Um

diodo pode no apresentar defeito no teste com multmetro e mesmo assim apresentar mau funciona-

mento quando operando com tenses elevadas.

O teste com o multmetro detecta apenas os defeitos mais comuns nos transistores e diodos

como:

curto em uma juno PN;

abertura de uma juno PN.

Relembrando o teste de diodos

Para testar um diodo com multmetro, primeiro realiza-se a identificao da polaridade real das

pontas de prova do multmetro.

Aps essa identificao, realiza-se o teste do diodo. (Fig. 10)

Baixa resistncia Alta resistncia

Fig. 10

Se a juno PN (diodo) em teste estiver em curto ou aberta, as leituras indicaro.


9/32

SENAI-RJ 111


Ateno

Uma juno PN em curto ou aberta pode ser detectada usando-se um multmetro.

Teste entre os terminais de um transistor

Analisando-se a estrutura do transistor, observa-se que entre a base e o coletor se forma uma

juno PN que para fins de teste pode ser tratada como um diodo. (Fig. 11)

Fig. 11

Da mesma forma, entre a base e emissor forma-se outra juno PN, que para fins de teste

tambm pode ser tratada como diodo. (Fig. 12)

Fig. 12

C

BN

P

N

C

B B

C

C

B

B

E

B

E

N

P

N

P

N

P

P

N

P

B

E

E

B


10/32

112 SENAI-RJ


Dessa forma verifica-se que o transistor,para fins de teste com o multmetro, pode ser tratado

como dois diodos ligados em oposio. (Fig. 13)

Fig. 14

vermelho

preto

pretoOs diodosdevemconduzir

NPN

B

C

E

c

E

B

B

E

c

NPN

PNP

B

c

c

B

E

E

Fig. 13

A partir dessa concluso, pode-se afirmar que testar um transistor verificar se existe curto-

-circuito ou abertura entre cada par de terminais (BC, BE, CE).

Teste das junes base-coletor e base-emissorAtravs desse teste pode-se verificar se h curto-circuito ou abertura das junes PN entre

baseemissor e basecoletor.

A polaridade apresentada nas pontas de prova das figuras que seguem corresponde a sua po-

laridade real (ponta de prova preta - (sinal negativo); ponta de prova vermelha

+ (sinal positivo).

Tomando como base um transistor NPN para a realizao do teste de abertura das junes,

temos a situao mostrada na figura 14.


11/32

SENAI-RJ 113


Com potencial positivo aplicado base (anodos dos diodos), o instrumento deve indicar que

existe continuidade entre basecoletor e baseemissor. Pode-se afirmar, ento, que no existe juno

aberta (BC ou BE).

Se houver uma juno aberta (BC ou BE) o instrumento indicar resistncia altssima (infinita)

quando esta juno estiver sendo testada.

Confira agora o teste de curto-circuito nas junes, apresentado na figura 15.

Os diodosdevembloquear

NPN

B

E

C

Fig. 15

Observa-se que agora a polaridade aplicada aos diodos tal que deve fazer com que estes se

bloqueiem, indicando alta resistncia. Se isto ocorrer, ser possvel afirmar que no existe curto entre

basecoletor e baseemissor.Se houver uma juno em curto, o instrumento indicar baixa resistncia.

Deve-se ainda proceder a teste entre coletor e emissor do transistor NPN, que deve apresentar

alta resistncia nas duas medies, como mostram as figuras 16 e 17.

Fig. 16


12/32

114 SENAI-RJ


Ateno

Todos os testes devem ser feitos na escala R X 10 e com o transistor desligado de

qualquer circuito.

As figuras 18, 19 e 20 ilustram o teste de um transistor PNP.

Teste de abertura

Fig. 18

PNP

Os diodos

devemconduzir

C

E

B

Fig. 17


13/32

SENAI-RJ 115


Teste de curto-circuito

Fig. 19

Teste de coletor-emissor

Alta resistncia nas duas medidas

Fig. 20

PNP

Os diodosdevembloquear

C

E

B

Importante

Os testes devem ser realizados utilizando as escalas de resistncia R X 10 ou

R X 100 (preferencialmente usa-se a escala R X 10). No se podem encostar uma na outra as

partes metlicas das pontas de prova, pois isso pode provocar erro nos testes.


14/32

116 SENAI-RJ


Defeitos comuns nos transistores

As junes basecoletor e baseemissor so diodos. Assim sendo, devem indicar conduo em

um sentido e bloqueio em outro, quando se invertem as ponteiras do multiteste sobre os terminais do

transistor. Se isso no ocorre, h um defeito que deve ser identificado.

Com este teste identificam-se os seguintes defeitos:

Curto em juno

Se, ao realizar o teste em uma das junes, foi verificada conduo nos dois sentidos, a juno

est em curto e o transistor est danificado.

A figura 21 ilustra a existncia de um curto na juno basecoletor do transistor.

Fig. 21

Abertura de uma juno

Se, ao realizar teste em uma das junes, se verifica bloqueio nos dois sentidos, houve rompi-

mento na ligao entre as duas pastilhas semicondutoras. Diz-se que a juno em teste est aberta e,

neste caso, o transistor est danificado.

A figura 22 mostra os resultados do teste realizado em uma juno baseemissor aberta.

Preto

Vermelho

C

B

E

Vermelho

Preto

ConduoConduo

B

C

E

BC

E E

C

B

Bloqueio Bloqueio

Preto

Vermelho

Vermelho

Preto

Fig. 22


15/32

SENAI-RJ 117


Curto ou fuga entre coletor e emissor

Se qualquer uma das medidas entre coletor e emissor provocar um movimento no ponteiro do

ohmmetro (em escala X 10), existe fuga ou curto-circuito entre coletor e emissor do transistor.

O teste com o multmetro no permite detectar alteraes de caractersticas no transistor.

Isto significa que:

se o transistor no passar no teste com o multmetro, pode-se garantir que ele est danificado.

se o transistor passar no teste, ainda h a possibilidade de que existam alteraes nas suas

caractersticas que o tornem imprprio para funcionar em um circuito.

Tenses nos terminais do transistor

O estudo do princpio de funcionamento do transistor consiste em uma anlise do movimento dos

eltrons livres e de lacunas no interior do componente, provocados pela aplicao de tenses externas

ao coletor, base e ao emissor.

Para que os portadores se movimentem no interior da estrutura do transistor, necessrio apli-

car tenses aos seus terminais. O movimento dos eltrons livres e lacunas est intimamente ligado

polaridade da tenso aplicada a cada um dos terminais do transistor.

Por esta razo, a polaridade da tenso de funcionamento dos terminais do transistor NPN

diferente dos transistores PNP.

Junes do transistor e polaridade das ten-ses nos terminais

A estrutura fsica do transistor propicia a formao de duas junes entre cristais P e N:

uma juno PN entre o cristal da base e o cristal do emissor, chamada de juno base

emissor. (Fig. 23)

Fig. 23

Juno BEC

E

B B

C

E

P

N

P

N

P

N


16/32

118 SENAI-RJ


uma juno PN entre o cristal de base e o cristal do coletor, chamada de juno basecoletor.

(Fig. 24)

Fig. 24

Ao se unirem as trs pastilhas semicondutoras de um transistor, ocorre um processo de difusodos portadores. Como em um diodo, esse processo de difuso d origem a uma barreira de potencial

em cada juno.

No transistor, portanto, existem duas barreiras de potencial que se formam com a juno dos

cristais:

a barreira de potencial na juno baseemissor.

a barreira de potencial na juno basecoletor.

As figuras 25 e 26 mostram as barreiras de potencial nos dois tipos de transistor.

Fig. 25 Fig. 26

Juno baseemissor

Na condio de funcionamento, denominada de funcionamento na regio ativa, a juno

baseemissor polarizada diretamente.

A conduo da juno baseemissor provocada pela aplicao de tenso externa entre base e

emissor, com polaridade correta (tenso positiva no material P e negativa no material N).

C

E

BP

N

P

B

C

E

N

P

N

Juno CB

N

P

N

P

N

P


17/32

SENAI-RJ 119


As figuras 27 e 28 mostram a polaridade das tenses de base e de emissor em cada tipo de

transistor.

P

N

P

PNP

B

C

E

N

P

N

B

C

E

NPN

Fig. 29 Fig. 30

NPN

N

P

N

B

E

C

P

N

P

B

C

E

PNP

Fig. 27

Fig. 28

Juno base-coletor

Na regio de funcionamento ativo, a juno basecoletor polarizada inversamente.

O bloqueio da funo basecoletor provocado pela aplicao de tenso externa entre base

coletor, com polaridade adequada (tenso positiva no material N e negativa no material P).

As figuras 29 e 30 mostram a polaridade das tenses de coletor em relao base em cada tipo de

transistor.


18/32

120 SENAI-RJ


Observao

As baterias representam as tenses de polarizao.

Pode-se, ainda, obter a polarizao correta das junes com outra configurao de ligao das

baterias.

A figura 33 mostra a forma alternativa de polarizao, tomando o transistor NPN como exemplo.

P

NP

N

P

N

B

E

C

C

E

B

NPN

PNP

Polarizao simultnea das junes

Para que o transistor funcione corretamente, as duas junes devem ser polarizadas ao mesmo

tempo. Isto pode ser feito aplicando duas tenses externas entre os terminais do transistor. (Figs. 31

e 32)

Fig. 31

Fig. 32


19/32

SENAI-RJ 121


B1B2

Ateno

Transistor regio ativa

a juno baseemissor deve ser polarizada diretamente.

a juno basecoletor deve ser polarizada inversamente.

Fig. 33

Analisando a figura observa-se que:

a bateria B1 polariza a juno baseemissor do transistor diretamente.

a bateria B2 aplica uma tenso positiva ao coletor, maior que a tenso positiva da base.

Se o coletor mais positivo que a base, ento esta mais negativa que aquele, de forma que ajuno basecoletor fica polarizada inversamente. (Fig. 34)

Fig. 34


20/32

122 SENAI-RJ


tenso de coletor a base (denominada de VCB). (Fig. 36)

Fig. 36

tenso de coletor a emissor (denominada de VCE). (Fig. 37)

Fig. 37

Fig. 35

B

VBE

C

E

A alimentao simultnea das duas junes, atravs das baterias externas, d origem a trs

tenses entre os terminais do transistor. Observe:

tenso de base a emissor (denominada de VBE). (Fig. 35)

VCB

E

B

C

VCE

C

E

B


21/32

SENAI-RJ 123


Dispondo as trs tenses em uma mesma figura, observa-se que as tenses VBE + VCB,

somadas, so iguais a VCE. (Fig. 38)

Fig. 39

Princpio de funcionamento do transistor

bipolarA aplicao de tenses externas ao transistor provoca o movimento dos eltrons livres e lacunas

no interior da estrutura cristalina.

VCB

VCE

VBE

VCE = VBE+ VCBFig. 38

Para o transistor NPN a regra tambm vlida, invertendo-se apenas a polaridade das baterias

de polarizao. (Fig. 39)

VCE = VBE+ VCB

VCB

VBE

VCE


22/32

124 SENAI-RJ


O movimento dos portadores livres d origem a trs correntes que circulam nos trs terminais do

transistor. (Fig. 40)

I

I

I+

Fig. 40

A corrente do terminal emissor denominada de corrente emissor(representada pela notaoIE); a do terminal base, de corrente de base (IB) e a do terminal coletor, de corrente de coletor

(IC). Por conveno, toda corrente que entra no transistor positiva; a corrente que sai negativa.

As figuras 41 e 42 mostram os dois tipos de transistor com suas correntes.

BIB

E

C

IE

IC

IB

IC

IEE

Fig. 41 Fig. 42

O princpio bsico de funcionamento, que explica a origem das correntes no transistor, o

mesmo para os transistores NPN e PNP.

Por esta razo usa-se estudar o princpio de funcionamento apenas de um tipo. O comportamen-

to do tipo no analisado semelhante, diferindo apenas na polaridade das baterias e no sentido das

correntes.

Corrente de base

A corrente de base provocada pela tenso aplicada entre a base e o emissor do transistor (VBE).

Tomando-se como exemplo o transistor PNP, para analisar o efeito causado pela tenso VBE

tem-se:

o potencial positivo aplicado ao emissor repele as lacunas do material P em direo base (Fig. 43)


23/32

SENAI-RJ 125


Fig. 43

Se a tenso VBE tiver um valor adequado (0,6 V para o silcio e 0,3 V para o germnio),

as lacunas adquirem velocidade suficiente para atravessar a barreira de potencial formada na juno

baseemissor, recombinando-se com os eltrons livres da base.

Esta recombinao d origem corrente de base. (Fig. 44)

Barreira depotencial

Fig. 44

VBE > 0,6 V

(silcio)

B

VBE

C

E

P

N

P

B

C

E

P

N

P

IB


24/32

126 SENAI-RJ


Ateno

A corrente de base provocada pela aplicao de um potencial VBE ao transistor.

Essa corrente muito pequena porque se deve recombinao de portadores na base.

Devido pequena espessura da base e tambm ao seu pequeno grau de dopagem, a recombinao

acontece em pequena escala (poucos portadores que provm do emissor podem se recombinar). Isto

faz com que a corrente de base seja pequena, com valores que se situam na faixa de microampres

ou miliampres.

Como o emissor fortemente dopado, um grande nmero de lacunas se desloca em direo

base, repelido pela tenso positiva do emissor e atrado pela tenso negativa da base.

A base, entretanto, no tem eltrons livres suficientes para recombinar com a maior parte destas

lacunas que provm do emissor.

Assim, um grande nmero de lacunas atinge a base em grande velocidade e no se recombina,

por falta de eltrons livres disponveis. (Fig. 45)

N

P

E

IB

VBE > 0,6 V

(Transistor de silcio)

Fig. 45

B


25/32

SENAI-RJ 127


Corrente de coletor

As lacunas provenientes do emissor que no se recombinam caracterizam-se por serem porta-

dores minoritrios na base do transistor que de material N.

A barreira de potencial da juno coletorbase favorece o deslocamento das lacunas para o

coletor, onde existe um alto potencial negativo.

As lacunas que atingem o coletor, passando atravs da juno basecoletor do origem cor-

rente de coletor. (Fig. 46)

Grande IC

(Devido ao grandenmero de lacunas no

recombinadas na base.)

P

N

P

IC

IB

Pequena IB

Pequena recombinaona base

Fig. 46

A corrente de coletor tem valores muito maiores que a corrente de base, porque a grande

maioria das lacunas que partem do emissor no se recombinam, sendo absorvidas pelo coletor.

IC >> IB

IC muito maior que IB


26/32

128 SENAI-RJ


Em geral, do total de lacunas que entra no emissor de um transistor PNP, apenas 5% ou menos

correspondem corrente de base. Os restantes 95% (ou mais) correspondem corrente de coletor.

(Fig. 47)

Fig. 47

Corrente de emissor

Analisando um transistor PNP e suas correntes, verifica-se que:

a corrente de emissor entra no transistor.

as correntes de base e coletor saem do transistor. (Fig. 48)

Fig. 48

A corrente de base formada por portadores que vm do emissor e se recombinam na

base.

A corrente de coletor formada por portadores que vm do emissor e no se recombinam,

dirigindo-se ao coletor.

P

N

P

IC

IE

100%

95%IC

IB5%

IE

IB

IC


27/32

SENAI-RJ 129


Conclui-se, portanto, que tanto a corrente de base como a corrente de coletor provm do emis-

sor, de forma que se pode afirmar IC + IB = IE. (Fig. 49)

Fig. 49

Controle da corrente de base sobre a corrente decoletor

A principal caracterstica do transistor reside no fato de que a corrente de base (pequena cor-rente) exerce um controle eficiente sobre a corrente de coletor (IC).

Esse controle se deve ao fato de que a corrente de base influi na largura de barreira de potencial

da juno baseemissor.

Quando a tenso VBE aumenta, a barreira de potencial na juno baseemissor torna-se

mais estreita. (Fig. 50)

Fig. 50

C

IC

IE

IB

B

E

N

P

N

B

E

C

IB aumenta

VBE aumenta

a barreira de potencial torna-semais estreita


28/32

130 SENAI-RJ


Ganho de corrente do transistor

Atravs de um transistor possvel utilizar uma pequena corrente (IB) para controlar a circula-

o de uma corrente de valor muito maior (IC) que a outra.

A corrente IC e a corrente de controle (IB) podem ser relacionadas entre si para determinar

quantas vezes uma maior que a outra:IC resulta em um nmero que indica quantas vezes a corren-

te de coletor maior que a corrente de base IB.O resultado dessa relao denominado tecnicamente de ganho de corrente contnua entre

base e coletor, representado pela letra grega (beta) em corrente contnua ou hFE.

O estreitamento da barreira de potencial entre base e emissor permite que um maior nmero de

portadores do emissor atinja a base.

Esta maior quantidade de portadores absorvida pelo coletor, uma vez que a base no tem

capacidade para recombin-los. Verifica-se ento um aumento na corrente de coletor.

Concluso:

Por analogia pode-se afirmar que:

Isto significa que a corrente de base de um transistor atua como corrente de controle e a corren-

te de coletor, como corrente controlada.

IB aumenta IC aumenta

IB diminui IC diminui

IB

controla IC

hFE ou BDC =IC

IBganho de corrente contnua

entre base e coletor


29/32

SENAI-RJ 131


Conhecendo-se o ganho de corrente entre base e coletor do transistor (BDC), possvel deter-

minar a corrente de coletor a partir da corrente de base:

importante salientar que o fato de o transistor permitir um ganho de corrente entre base e

coletor no significa que sejam geradas ou criadas correntes no seu interior. Todas as correntes que

circulam em um transistor so provenientes da fonte de alimentao , cabendo ao transistor ape-

nas controlar a quantidade de corrente fornecida por estas fontes.

Ateno

Os transistores no geram corrente, atuando apenas como controladores das quanti-

dades de corrente fornecidas pelas fontes de alimentao.

BDC =IC

IBIC = BDC IB

Configuraes de ligao do transistor

No transistor, a corrente de base atua como corrente de controle, determinando a corrente decoletor que poderia ser denominada de corrente controlada.

Em princpio, a circulao de duas correntes de valores diferentes em um componente pressu-

pe a existncia de quatro terminais (dois terminais para cada corrente). (Fig. 51)

Fig. 51

Como o transistor no dispe de quatro terminais (dois de entrada e dois de sada) sua ligao

aos circuitos eletrnicos feita de forma que um dos terminais seja comum ao circuito de entrada e

de sada simultaneamente.

IB IC

Corrente de controle Corrente controlada


30/32

132 SENAI-RJ


Configurao de base comum

Quando a base utilizada como terminal comum, a forma de ligao do transistor denominada

de configurao de base comum. (Fig. 53)

Configurao de emissor comum

Quando o terminal emissor utilizado como terminal comum, a forma de ligao do transistor

denominada tecnicamente de configurao de emissor comum. (Fig. 52)

Observao

As baterias de polarizao no foram colocadas para dar maior clareza figura.

Fig. 52

IC

IB

EntradaSada

Fig. 53

ICIE

SadaEntrada


31/32

SENAI-RJ 133


Configurao de coletor comum

a denominao dada forma de ligao em que o coletor do transistor comum entrada e

sada do circuito. (Fig. 54)

Fig. 54

Curvas caractersticas de um transistor

Quando se analisa o comportamento de um componente eletrnico, procura-se colocar este

componente sob as mais diversas situaes em termos de correntes e tenses.

No diodo semicondutor, por exemplo, a corrente circulante depende do valor e da polaridade da

tenso aplicada aos seus terminais.

Assim , por exemplo, com o diodo zener.

Aplicam-se diversos valores de tenso direta e reversa aos seus terminais e mede-se a correntecirculante.

A figura 55 mostra a curva caracterstica de um diodo zener.

Entrada

SadaIB

IE

Fig. 55

VZ 6V VZ

IZ

IZ

60

40

20

10

30

50

70


32/32

134 SENAI-RJ


O comportamento do transistor tambm expresso atravs de curvas caractersticas, que so

grficos obtidos atravs de medidas eltricas no transistor em vrios circuitos, sob condies de

tenso e corrente controladas.

As curvas caractersticas do transistor assumem grande importncia no projeto de circuitos,

porque expressam o comportamento do componente em ampla faixa de condies de funcionamento,

levando em considerao a forma como o transistor est ligado.

Parmetros eltricos nas curvas caractersticas dotransistor

Nos componentes semicondutores com apenas dois terminais (diodo semicondutor, diodo zener)

so necessrios apenas dois parmetros eltricos para expressar o comportamento em grfico:

tenso entre dois terminais (Ex.: VD).

corrente no dispositivo (Ex.: ID)

No transistor, pelo fato de serem trs terminais, existem seis valores em jogo:

IC: corrente de coletor

IB: corrente de base

IE: corrente de emissor

VBE: tenso de base a emissor

VCE

: tenso de coletor a emissor VCB: tenso de coletor a base

A figura 56 mostra os parmetros eltricos do transistor.

Fig. 56

Com base nestes valores e ainda outros no eltricos, tais como a temperatura, pode ser levan-

tada uma srie de curvas caractersticas que expressam o comportamento do transistor nas mais

diversas condies.

IC

IE

IB

VBE

VCE

VCB

Documents

[Apostila] Transistor Bipolar - SENAI