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Electrónica I 1º Semestre 2010/2011
2º Trabalho de Laboratório
Amplificador com Transístores Bipolares
Teresa Mendes de Almeida
Fernando Gonçalves
INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO
Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores
Área Científica de Electrónica
Outubro de 2008
Revisto em Outubro de 2010
2
1. Introdução
Pretende-se com este trabalho de laboratório analisar o funcionamento do circuito amplificador da
figura 1, que é constituído por dois blocos amplificadores ligados em cascata (amplificador de
emissor comum e amplificador seguidor de emissor) e realizados de forma discreta. Serão
considerados diversos aspectos da sua topologia e do seu modo de funcionamento,
nomeadamente determinação do ponto de funcionamento em repouso, dos ganhos de tensão e
de corrente, das resistências de entrada e de saída na banda de passagem do amplificador e
ainda a sua resposta em frequência.
A realização do amplificador discreto baseia-se na utilização de dois transístores bipolares NPN
BC547B (ver a folha de características em anexo a este guia de trabalho).
A realização do trabalho de laboratório compreende os seguintes passos:
i. antes da primeira sessão de trabalho no laboratório deve ser realizada toda a análise
teórica do circuito;
ii. na primeira sessão de laboratório devem ser realizadas as simulações (com o programa
PSpice Schematics) e os resultados obtidos devem ser confrontados com os cálculos
teóricos (os ficheiros necessários às simulações podem ser preparados antes da aula
de laboratório);
iii. os componentes para a montagem do circuito serão entregues na primeira sessão de
laboratório. Caso disponham de tempo livre, podem aproveitar a parte final da aula para
montarem o circuito. Nota: A placa de bread-board para a montagem do circuito deverá
ser trazida pelos alunos;
iv. na segunda sessão de laboratório devem ser realizadas as medições experimentais e
os resultados obtidos devem ser comparados com os cálculos teóricos e com os
resultados das simulações. O relatório é entregue no final desta segunda aula de
laboratório.
2. Material de Laboratório e Equipamento
Para a realização do trabalho experimental é necessário o seguinte material e equipamento:
2 Transístores bipolares NPN - BC547B
Resistências: 220 , 820 , 1 k, 1,6 k, 2,7 k, 12 k, 39 k, 68 k
Condensadores: 0,1 F, 2 10 F
1 Placa de bread-board e fios de ligação
3
Osciloscópio digital (com ligação a PC para utilização do programa HIMES)
Gerador de sinais
Multímetro
3. Análise Teórica
Considere o circuito amplificador da figura 1, que é constituído por dois andares amplificadores, de
acordo com o diagrama de blocos da figura 2. O primeiro andar é um amplificador de emissor
comum e o segundo andar amplificador é um circuito seguidor de emissor.
RE1
vin
RC
VCC
R2
R1
C1
C2
vo2
vO1
Q1
RS
vs
RE2CE
RE3
Q2
+
Vout
-
RL
VCCVCC
iout
iin
Ri1 Ri2 Ro2Ro1
vB1
VCC=15 V, Q1=Q2 [VBEon=0,67 V, F=o=305, VCEsat=0,2 V, VA=+ e VT=25 mV],
C1=0.1 F, C2=CE=10 F,
RS=12 k, R1=68 k, R2=39 k, RC=1,6 k, RE1=220 , RE2=820 , RE3=2,7 k, RL=1 k
Figura 1 – Amplificador discreto com transístores bipolares.
C1 C2RS
vs
+
Vout
-
RL
Ampli-
ficador
1
Ampli-
ficador
2
Figura 2 – Diagrama de blocos do circuito amplificador.
4
Analise teoricamente o circuito, respondendo às questões seguintes:
3.1. Determine o PFR dos transístores, apresentando os valores das seguintes grandezas:
VB1, VC1, VE1, VE2, IR1, IR2, IB1, IC1, IE1, IB2, IC2 e IE2.
3.2. Considere a partir de agora o amplificador a funcionar na banda de passagem
(C1=CE=C2=+). Calcule os valores das resistências de entrada dos blocos
amplificadores, Ri2 e Ri1 (calcule primeiro Ri2 e use o seu valor para calcular Ri1),
considerando que RL exerce um efeito de carga no circuito.
3.3. Calcule os valores das resistências de saída dos blocos amplificadores, Ro1 e Ro2
(calcule primeiro Ro1 e use o seu valor para calcular Ro2).
3.4. Considere o primeiro bloco amplificador de forma isolada e calcule o ganho de tensão
em vazio, A1=vo1/vin (quando io1=0, ou seja, considerando Ri2=+).
3.5. Considere o segundo bloco amplificador de forma isolada e calcule o ganho de tensão
em vazio, A2=vo2/vo1 (quando io2=0, ou seja, considerando RL=+).
3.6. Calcule agora os ganhos de tensão A1L=vo1/vin e A2L=vout/vo1 quando se consideram os
efeitos de carga, pelo facto de os blocos amplificadores não estarem isolados (note que
os circuitos incrementais são os mesmos considerados anteriormente, apenas mudam
os valores de algumas das resistências). Com base nos ganhos de tensão A1L e A2L
determine o ganho de tensão do circuito amplificador carregado, A12L=vout/vin=A1LA2L, e
o ganho incremental de tensão total do circuito: Av=vout/vs=Ri1/(RS+Ri1)A1LA2L.
3.7. Com base no ganho de tensão A12L, calcule o ganho de corrente Ai=iout/iin.
3.8. Qual seria o ganho do amplificador carregado com RL, AV’=vout/vs, se não fosse usado o
segundo andar amplificador? Com base nos valores das resistências e dos ganhos de
tensão calculados, explique porque há vantagem em serem usados dois andares
amplificadores.
3.9. Admitindo que a frequência de corte inferior do amplificador é unicamente imposta pelo
condensador CE, faça uma estimativa do seu valor.
NOTAS:
Em cada questão apresente sempre os esquemas eléctricos usados, o conjunto de
equações iniciais e as equações finais, assim como os valores numéricos calculados
(não precisa de apresentar os cálculos relativos aos passos intermédios da
manipulação simbólica).
Caso faça alguma aproximação nos cálculos, apresente a sua justificação e validação.
5
4. Simulação
Para realizar a simulação do funcionamento do circuito considere os transístores caracterizados
pelo modelo descrito na tabela apresentada a seguir. Deve introduzir o componente QBreakN
para os transístores e de seguida deve alterar os seus parâmetros seleccionando o componente e
acedendo à seguinte sequência de comandos: Edit Model… Edit Instance Model (Text) e na
janela que fica aberta devem ser introduzidos os parâmetros de acordo com a tabela (pode ser
feito «copy» e «paste» a partir de um editor que não introduza caracteres escondidos, por
exemplo o «notepad»). As características ficam então guardadas num ficheiro ***.lib, cujo nome e
directoria é o indicado na janela de edição em «Save To».
.MODEL BC547B NPN( IS=2.39E-14 NF=1.008 ISE=3.545E-15 NE=1.541 BF=294.3 IKF=0.1357 VAF=63.2 NR=1.004 ISC=6.272E-14 NC=1.243 BR=7.946
IKR=0.1144 VAR=25.9 RB=1 IRB=1E-06 RBM=1 RE=0.4683 RC=0.85 XTB=0 EG=1.11 XTI=3 CJE=4.858E-11 VJE=0.65
XTF=120 VTF=2.643 ITF=0.7495 PTF=0 CJC=6.928E-12 VJC=0.3997 MJC=0.2955 XCJC=0.6193 TR=1E-32 CJS=0 VJS=0.75 MJS=0.333 FC=0.9579 )
Simule o funcionamento do circuito e responda às questões seguintes.
4.1. Faça uma análise do ponto de funcionamento em repouso (Bias Point Detail) e
determine as seguintes tensões e correntes: VB1, VC1, VE1, VE2, IR1, IR2, IB1, IC1, IE1, IB2, IC2
e IE2. Obtenha uma figura com o esquema do circuito, onde as tensões e correntes em
repouso devem estar visíveis. Identifique os valores pedidos e elimine os valores
que não foram pedidos.
NOTAS:
A fim de facilitar a identificação das formas de onda nos gráficos dos resultados, dê
nomes ilustrativos aos sinais de tensão (vs, vin, vb1, etc.). Para isso basta seleccionar
uma linha de ligação entre dois componentes do circuito (clicar duas vezes na linha) e
atribuir-lhe o nome (Label).
Utilize a opção Plot Label Mark para assinalar pontos nos gráficos. Quando
impresso, esses pontos ficarão visíveis, permitindo comprovar os valores
mencionados no relatório. Todos os valores pedidos ou usados em cálculos devem ser
identificados com esta opção.
6
4.2. Aplique na entrada um sinal sinusoidal com 200 mV de amplitude e 2 kHz de frequência
(gerador de sinal VSIN). Visualize 5 períodos dos sinais e obtenha um gráfico com as
tensões vs(t), vin(t), vo1(t) e vout(t) fazendo uma análise no domínio do tempo
(Transient…). A partir do gráfico obtido, determine os ganhos de tensão A1L, A2L e Av.
Não utilize os 3 períodos iniciais para estes cálculos, pois ainda não correspondem ao
regime estacionário. Nota: Para que as formas de onda fiquem mais perceptíveis, pode
visualizar a tensão vO1(t) noutra janela. Essa janela deve ser criada com a opção Plot
Add Plot to Window.
4.3. Mantendo as condições da alínea anterior, obtenha um novo gráfico com vB1(t), vo1(t) e
vo2(t). Obtenha os valores médios de cada uma das formas de onda usando a fórmula
(MAX(vx) + MIN(vx))/2. Compare-os com os valores obtidos em repouso (alínea 4.1).
4.4. Obtenha um gráfico com as tensões vs(t), vo1(t) e vce1(t). Aumente a amplitude do sinal
de entrada até se verificar distorção forte no sinal de saída (distorção na parte superior
e inferior de vo1). Sobre a forma de onda de vo1(t) identifique, justificando, as diferentes
zonas de funcionamento do transístor Q1.
4.5. Altere o gerador sinusoidal para um gerador AC (gerador de sinal VAC) com 200 mV de
amplitude e determine a resposta em frequência do amplificador, obtendo um gráfico de
|Vout()/Vs()| em dB. Para isso faça uma análise na frequência (AC Sweep…), variando
a frequência entre 1 Hz e 100 MHz com 101 pontos por década. Identifique o ganho
para as frequências intermédias e determine as frequências de corte a -3 dB, fH e fL.
Com base nas frequências de corte, calcule a largura de banda do amplificador,
f = fH - fL.
5. Trabalho Experimental
5.1. Identifique na figura 1 os terminais dos transístores (consulte a folha de características
do transístor que está em anexo a este guia). Ao montar o circuito na placa de bread-
board tente manter uma topologia com correspondência directa ao circuito da figura 1
PRECAUÇÕES / RECOMENDAÇÕES:
Antes de aplicar sinais na entrada do circuito verifique que o circuito já está
alimentado, ou seja, VCC está ligado a 15 V e a massa do circuito está ligada a um ponto
GND da base de alimentação.
Antes de aplicar um sinal na entrada do circuito visualize-o no osciloscópio e verifique
se corresponde ao sinal pretendido.
7
(base à esquerda, colector em cima, VCC em cima, GND em baixo, etc.), o que facilita as
medições experimentais e a detecção de eventuais erros na montagem do circuito.
5.2. Monte o circuito na placa de bread-board sem incluir os condensadores, e as
resistências RS e RL. Não ligue ainda a fonte de alimentação.
5.3. Ajuste a fonte de tensão para 15 V. Só depois de ter verificado que o nível de tensão
está correcto é que deve proceder à ligação da fonte ao circuito.
5.4. Com o voltímetro meça e registe as tensões VCC, VB1, VC1, VE1 e VE2. Se os valores não
corresponderem ao esperado, abra a ligação entre os dois andares (fio que liga o
colector de Q1 à base de Q2) e verifique primeiro a montagem do primeiro andar
amplificador, medindo as tensões pedidas. Verifique depois a montagem do segundo
andar e ligue-o ao primeiro, voltando a medir as tensões pedidas.
5.5. Inclua agora no circuito os condensadores e as resistências RS e RL. Verifique que não
há engano na montagem, vendo que não há qualquer alteração nas tensões DC
medidas anteriormente.
5.6. Ligue o gerador de sinais ao canal 1 do osciloscópio (canal 1, em modo DC) e ajuste-o
para obter um sinal sinusoidal de 200 mV de amplitude e 2 kHz de frequência. Depois
de ter ajustado o sinal, desligue-o do osciloscópio e aplique-o na entrada do circuito,
vs. Colocando o canal 2 do osciloscópio em modo AC, observe e registe os seguintes
gráficos: Gráfico 1: vin e vo1; Gráfico 2: vo1 e vout. Não confunda vin com vs. Comente
os resultados obtidos. Nota: Em cada gráfico identifique o sinal de entrada e de saída e
não se esqueça de indicar o posicionamento da tensão de referência (GND) para os
dois canais.
5.7. Meça as amplitudes dos sinais vin, vo1 e vout usando um voltímetro em modo AC, o qual
indica o valor eficaz e não a amplitude da sinusóide. Com base nas amplitudes medidas
experimentalmente calcule os ganhos de tensão A1L=vo1/vin e A2L=vout/vo1.
5.8. Observe os sinais vs e vo1 em modo DC. Aumente a amplitude do sinal de entrada até
que se verifique distorção significativa em vo1 (transístores a saírem da zona activa
directa). Registe os sinais de entrada e de saída, vs e vo1, identificando cada uma das
formas de onda.
5.9. Reponha a amplitude do sinal de entrada em 200 mV. Observando a tensão vout em
modo AC, varie a frequência do sinal e registe as frequências de corte inferior, fL, e
superior, fH, do circuito amplificador (-3 dB 2/1 ). Calcule a sua largura de banda,
f = fH - fL.
8
6. Relatório
O relatório (entregue no final da segunda sessão de laboratório) deve obrigatoriamente
respeitar a seguinte sequência de capítulos/secções:
Análise teórica (inclui as respostas às questões 3.1 a 3.9)
Simulação (inclui as respostas às questões 4.1 a 4.5 – sempre que se justifique, assinale
os valores pedidos sobre os próprios gráficos)
Trabalho experimental (inclui as respostas e gráficos referentes às questões 5.4 a 5.9)
Análise dos resultados (no mínimo, inclui as comparações de resultados que se indicam
nas tabelas abaixo – sugestão: utilize as tabelas para resumir os valores que obteve ao
longo do trabalho e aproveite a coluna “Comentário” para inserir a sua análise dos
resultados)
Conclusões
Grandezas a comparar Teórica Simulação Experimental Comentários
Tensões e correntes em repouso 3.1 4.1 5.4
Ganhos A1L, A2L e Av 3.6 4.2 5.6 e 5.7
Distorção 4.4 5.8
Resposta em frequência 3.9 4.5 5.9
Como na segunda sessão de laboratório é necessário realizar o trabalho experimental e completar
o relatório, o relatório deve ser estruturado e parcialmente realizado antes da segunda aula de
laboratório, para que durante a aula apenas seja necessário completar os aspectos referentes aos
resultados experimentais.
Deve trazer o relatório já impresso.
7. Folha de Características do Transístor BC547B
(ver páginas seguintes)
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2007
March, 2007 − Rev. 61 Publication Order Number:
BC546/D
BC546B, BC547A, B, C,BC548B, C
Amplifier Transistors
NPN Silicon
Features
• Pb−Free Packages are Available*
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol Value Unit
Collector - Emitter VoltageBC546BC547BC548
VCEO654530
Vdc
Collector - Base VoltageBC546BC547BC548
VCBO805030
Vdc
Emitter - Base Voltage VEBO 6.0 Vdc
Collector Current − Continuous IC 100 mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25°CDerate above 25°C
PD 6255.0
mWmW/°C
Total Device Dissipation @ TC = 25°CDerate above 25°C
PD 1.512
WmW/°C
Operating and Storage JunctionTemperature Range
TJ, Tstg −55 to +150 °C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic Symbol Max Unit
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient R�JA 200 °C/W
Thermal Resistance, Junction−to−Case R�JC 83.3 °C/W
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. MaximumRatings are stress ratings only. Functional operation above the RecommendedOperating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above theRecommended Operating Conditions may affect device reliability.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, pleasedownload the ON Semiconductor Soldering and Mounting TechniquesReference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
COLLECTOR
1
2
BASE
3
EMITTER
See detailed ordering and shipping information in the packagedimensions section on page 5 of this data sheet.
ORDERING INFORMATION
1 23
12
BENT LEADTAPE & REELAMMO PACK
STRAIGHT LEADBULK PACK
3
TO−92CASE 29STYLE 17
MARKING DIAGRAM
BC54x
AYWW �
�
x = 6, 7, or 8A = Assembly LocationY = YearWW = Work Week� = Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
BC546B, BC547A, B, C, BC548B, C
http://onsemi.com2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic Symbol Min Typ Max Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector − Emitter Breakdown Voltage(IC = 1.0 mA, IB = 0) BC546
BC547BC548
V(BR)CEO654530
−−−
−−−
V
Collector − Base Breakdown Voltage(IC = 100 �Adc) BC546
BC547BC548
V(BR)CBO805030
−−−
−−−
V
Emitter − Base Breakdown Voltage(IE = 10 �A, IC = 0) BC546
BC547BC548
V(BR)EBO6.06.06.0
−−−
−−−
V
Collector Cutoff Current(VCE = 70 V, VBE = 0) BC546(VCE = 50 V, VBE = 0) BC547(VCE = 35 V, VBE = 0) BC548(VCE = 30 V, TA = 125°C) BC546/547/548
ICES−−−−
0.20.20.2−
1515154.0
nA
�A
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain(IC = 10 �A, VCE = 5.0 V) BC547A
BC546B/547B/548BBC548C
(IC = 2.0 mA, VCE = 5.0 V) BC546BC547BC548
BC547ABC546B/547B/548B
BC547C/BC548C
(IC = 100 mA, VCE = 5.0 V) BC547A/548ABC546B/547B/548B
BC548C
hFE−−−
110110110110200420
−−−
90150270
−−−
180290520
120180300
−−−
450800800220450800
−−−
−
Collector − Emitter Saturation Voltage(IC = 10 mA, IB = 0.5 mA)(IC = 100 mA, IB = 5.0 mA)(IC = 10 mA, IB = See Note 1)
VCE(sat)−−−
0.090.20.3
0.250.60.6
V
Base − Emitter Saturation Voltage(IC = 10 mA, IB = 0.5 mA)
VBE(sat) − 0.7 − V
Base − Emitter On Voltage(IC = 2.0 mA, VCE = 5.0 V)(IC = 10 mA, VCE = 5.0 V)
VBE(on)0.55
−−−
0.70.77
V
SMALL−SIGNAL CHARACTERISTICS
Current − Gain − Bandwidth Product(IC = 10 mA, VCE = 5.0 V, f = 100 MHz) BC546
BC547BC548
fT150150150
300300300
−−−
MHz
Output Capacitance(VCB = 10 V, IC = 0, f = 1.0 MHz)
Cobo − 1.7 4.5 pF
Input Capacitance(VEB = 0.5 V, IC = 0, f = 1.0 MHz)
Cibo − 10 − pF
Small − Signal Current Gain(IC = 2.0 mA, VCE = 5.0 V, f = 1.0 kHz) BC546
BC547/548BC547A
BC546B/547B/548BBC547C/548C
hfe125125125240450
−−
220330600
500900260500900
−
Noise Figure (IC = 0.2 mA, VCE = 5.0 V, RS = 2 k�, f = 1.0 kHz, �f = 200 Hz)BC546BC547BC548
NF−−−
2.02.02.0
101010
dB
1. IB is value for which IC = 11 mA at VCE = 1.0 V.
BC546B, BC547A, B, C, BC548B, C
http://onsemi.com3
BC547/BC548
Figure 1. Normalized DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mAdc)
2.0
Figure 2. “Saturation” and “On” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mAdc)
0.2 0.5 1.0 10 20 500.2
100
Figure 3. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 4. Base−Emitter Temperature Coefficient
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
2.0 5.0 200
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.5
0
0.2
0.4
0.1
0.3
1.6
1.2
2.0
2.8
2.4
1.2
1.6
2.0
0.02 1.0 100
200.1
0.4
0.8
hF
E, N
OR
MA
LIZ
ED
DC
CU
RR
EN
T G
AIN
V, V
OLT
AG
E (
VO
LTS
)
VC
E, C
OLL
EC
TO
R−E
MIT
TE
R V
OLT
AG
E (
V)
VB
, TE
MP
ER
AT
UR
E C
OE
FF
ICIE
NT
(m
V/
C)
°θ
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2 0.5 1.0 10 20 502.0 10070307.05.03.00.70.30.1
0.2 1.0 10 100
TA = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(on) @ VCE = 10 V
VCE = 10 V
TA = 25°C
−55°C to +125°CTA = 25°C
IC = 50 mA IC = 100 mA
IC = 200 mA
IC =
20 mA
IC =
10 mA
1.0
Figure 5. Capacitances
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
10
Figure 6. Current−Gain − Bandwidth Product
IC, COLLECTOR CURRENT (mAdc)
0.4 0.6 1.0 10 201.0
2.0 6.0 40
80
100
200
300
400
60
20
40
30
7.0
5.0
3.0
2.0
0.7 1.0 10 202.0 50307.05.03.00.5
VCE = 10 V
TA = 25°C
C, C
AP
AC
ITA
NC
E (
pF)
f�, C
UR
RE
NT
−GA
IN −
BA
ND
WID
TH
PR
OD
UC
T (
MH
z)T
0.8 4.0 8.0
TA = 25°C
Cob
Cib
BC546B, BC547A, B, C, BC548B, C
http://onsemi.com4
BC546
Figure 7. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 8. “On” Voltage
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.8
1.0
0.6
0.2
0.4
1.0
2.0
0.1 1.0 10 1000.2
0.2
0.5
0.2 1.0 10 200
TA = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 5.0 V
Figure 9. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 10. Base−Emitter Temperature Coefficient
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
−1.0
1.2
1.6
2.0
0.02 1.0 100
200.1
0.4
0.8
VC
E, C
OLL
EC
TO
R−E
MIT
TE
R V
OLT
AG
E (
VO
LTS
)
VB
, TE
MP
ER
AT
UR
E C
OE
FF
ICIE
NT
(m
V/
C)
°θ
0.2 2.0 10 2001.0
TA = 25°C
200 mA50 mA
IC =
10 mA
hF
E, D
C C
UR
RE
NT
GA
IN (
NO
RM
ALI
ZE
D)
V, V
OLT
AG
E (
VO
LTS
)
VCE = 5 V
TA = 25°C
00.5 2.0 5.0 20 50 100
0.05 0.2 0.5 2.0 5.0
100 mA20 mA
−1.4
−1.8
−2.2
−2.6
−3.00.5 5.0 20 50 100
−55°C to 125°C
�VB for VBE
Figure 11. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
40
Figure 12. Current−Gain − Bandwidth Product
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.1 0.2 1.0 502.0
2.0 10 100
100
200
500
50
20
20
10
6.0
4.0
1.0 10 50 1005.0
VCE = 5 V
TA = 25°C
C, C
AP
AC
ITA
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†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel PackagingSpecifications Brochure, BRD8011/D.
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PACKAGE DIMENSIONS
TO−92 (TO−226)CASE 29−11ISSUE AM
NOTES:1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.3. CONTOUR OF PACKAGE BEYOND DIMENSION R
IS UNCONTROLLED.4. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED IN P AND
BEYOND DIMENSION K MINIMUM.
R
A
P
J
L
B
K
GH
SECTION X−X
CV
D
N
N
X X
SEATING
PLANE DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERSINCHES
A 0.175 0.205 4.45 5.20
B 0.170 0.210 4.32 5.33
C 0.125 0.165 3.18 4.19
D 0.016 0.021 0.407 0.533
G 0.045 0.055 1.15 1.39
H 0.095 0.105 2.42 2.66
J 0.015 0.020 0.39 0.50
K 0.500 −−− 12.70 −−−
L 0.250 −−− 6.35 −−−
N 0.080 0.105 2.04 2.66
P −−− 0.100 −−− 2.54
R 0.115 −−− 2.93 −−−
V 0.135 −−− 3.43 −−−1
NOTES:1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ASME Y14.5M, 1994.2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.3. CONTOUR OF PACKAGE BEYOND
DIMENSION R IS UNCONTROLLED.4. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED IN P
AND BEYOND DIMENSION K MINIMUM.
RA
P
J
B
K
G
SECTION X−X
CV
D
N
X X
SEATING
PLANEDIM MIN MAX
MILLIMETERS
A 4.45 5.20
B 4.32 5.33
C 3.18 4.19
D 0.40 0.54
G 2.40 2.80
J 0.39 0.50
K 12.70 −−−
N 2.04 2.66
P 1.50 4.00
R 2.93 −−−
V 3.43 −−−1
T
STRAIGHT LEADBULK PACK
BENT LEADTAPE & REELAMMO PACK
STYLE 17:PIN 1. COLLECTOR
2. BASE3. EMITTER
ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further noticeto any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liabilityarising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages.“Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. Alloperating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rightsnor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applicationsintended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. ShouldBuyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates,and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or deathassociated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an EqualOpportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.
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