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8/20/2019 Revisão FETs
1/85
Eletrô
U
Resposta em Frequênc a:
Campo
Professor Davidso
davidson@
ica II
IVERSIDADE FEDERAL DE SÃO JOÃO DEL REIDepartamento de Engenharia Elétrica
Eletrônica IIResposta em frequência: FETs
rans stores e
E e to e
- FET
n Lafitte Firmo
fsj.edu.br
8/20/2019 Revisão FETs
2/85
Tópicos:
1. Revisão da teoria dos transistores de
2. Modelagem dos FETs;
U
.
4. A resposta em frequência dos FETs.
feito de campo - FETs;
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Eletrônica IIResposta em frequência: FETs
2
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Revisão: Transistores de Efeito
Mosfets (Metal-Oxide-Semiconductor
Depleção
U
JFETs
e Campo
ield Effect Transistor)
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Eletrônica IIResposta em frequência: FETs
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Revisão: Transistores de Efeito
Mosfets (Metal-Oxide-Semiconductor
Mais utilizado;
U
Possibilidade de projetos “mixe
e Campo
ield Effect Transistor)
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Eletrônica IIResposta em frequência: FETs
-signal”.
4
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Revisão: Transistores de Efeito
Mosfets (Metal-Oxide-Semiconductor
Depleção
U
JFETs
e Campo
ield Effect Transistor)
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Eletrônica IIResposta em frequência: FETs
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Revisão: Transistores de Efeito
Mosfets (Metal-Oxide-Semiconductor
Depleção
U
Canal N;
Canal P;
JFETs
e Campo
ield Effect Transistor)
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Eletrônica IIResposta em frequência: FETs
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Revisão: Transistores de Efeito
Estrutura e operação física do dispositiv
U
e Campo
o
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Eletrônica IIResposta em frequência: FETs
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8/85
Revisão: Transistores de Efeito
Estrutura e operação física do dispositiv
U
e Campo
o
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Eletrônica IIResposta em frequência: FETs
8
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Revisão: Transistores de Efeito
Estrutura e operação física do dispositiv
U
nm50a2:oxt
μm3a0,1: L
μm100a0,2:W
e Campo
o
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Revisão: Transistores de EfeitoOperação sem tensão de porta
U
e Campo
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Revisão: Transistores de EfeitoOperação sem tensão de porta
U
fonte porta
corpo
e Campo
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dreno
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Revisão: Transistores de EfeitoOperação sem tensão de porta
U
fonte porta
corpo
e Campo
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dreno
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Revisão: Transistores de EfeitoOperação sem tensão de porta
U
fonte porta
corpo
:fonteedrenoentrecaminho
e Campo
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dreno
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Não há
condução! Com
vg=0120
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Revisão: Transistores de EfeitoCriação do canal para condução de corr
U
e Campo nte
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Revisão: Transistores de EfeitoCriação do canal para condução de corr
U
e Campo nte
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Revisão: Transistores de EfeitoCriação do canal para condução de corr
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Revisão: Transistores de EfeitoCriação do canal para condução de corr
U
Ca
e Campo nte
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Nal
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Revisão: Transistores de EfeitoAplicação de um “pequeno” valor de
U
v e Campo
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S
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Revisão: Transistores de EfeitoAplicação de um “pequeno” valor de
U
v e Campo
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S
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Revisão: Transistores de EfeitoAplicação de um “pequeno” valor de
U
v e Campo
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50mV)( S
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Revisão: Transistores de EfeitoExemplo: Da descrição sobre a operação do M
proporcionalidade k n para um dispositivo cujas
Obtenha também a resistência dreno-fonte para
U
(mA) Di
50 100 150 20
1,0
2,0
3,0
4,0
e Campo SFET apresentada, obtenha a constante de
características são mostradas abaixo.
s diferentes valores de vgs
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22(mV) DS v
V5,1 t GS V v
V1 t GS V v
V5,0 t GS V v
t GS V v
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Revisão: Transistores de EfeitoExemplo: Da descrição sobre a operação do M
proporcionalidade k n para um dispositivo cujas
Obtenha também a resistência dreno-fonte para
U
(mA) Di V2 t GS V v
(m DS v
5,1 t GS V v
V1 t GS V v
5,0 t GS V v
GS v
50 100 150 200
1,0
2,0
3,0
4,0
e Campo SFET apresentada, obtenha a constante de
características são mostradas abaixo.
s diferentes valores de vgs
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)
V
t V
DS t GS n D
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Revisão: Transistores de EfeitoExemplo: Da descrição sobre a operação do M
proporcionalidade k n para um dispositivo cujas
Obtenha também a resistência dreno-fonte para
U
(mA) Di V2 t GS V v
(m DS v
5,1 t GS V v
V1 t GS V v
5,0 t GS V v
GS v
50 100 150 200
1,0
2,0
3,0
4,0
e Campo SFET apresentada, obtenha a constante de
características são mostradas abaixo.
s diferentes valores de vgs
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)
V
t V
DS t GS n D
vV v
ik
DS t GS
Dn
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Revisão: Transistores de EfeitoExemplo: Da descrição sobre a operação do M
proporcionalidade k n para um dispositivo cujas
Obtenha também a resistência dreno-fonte para
U
(mA) Di V2 t GS V v
(m DS v
5,1 t GS V v
V1 t GS V v
5,0 t GS V v
GS v
50 100 150 200
1,0
2,0
3,0
4,0
e Campo SFET apresentada, obtenha a constante de
características são mostradas abaixo.
s diferentes valores de vgs
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)
V
t V
DS t GS n D
vV v
ik
DS t GS
Dn
k n2
2
3
mA/V1V2,02
A104,0
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Revisão: Transistores de EfeitoExemplo: Da descrição sobre a operação do M
proporcionalidade k n para um dispositivo cujas
Obtenha também a resistência dreno-fonte para
U
(mA) Di V2 t GS V v
(m DS v
5,1 t GS V v
V1 t GS V v
5,0 t GS V v
GS v
50 100 150 200
1,0
2,0
3,0
4,0
e Campo SFET apresentada, obtenha a constante de
características são mostradas abaixo.
s diferentes valores de vgs
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)
V
t V
DS t GS n D
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Revisão: Transistores de EfeitoExemplo: Da descrição sobre a operação do M
proporcionalidade k n para um dispositivo cujas
Obtenha também a resistência dreno-fonte para
U
(mA) Di V2 t GS V v
(m DS v
5,1 t GS V v
V1 t GS V v
5,0 t GS V v
GS v
50 100 150 200
1,0
2,0
3,0
4,0
e Campo SFET apresentada, obtenha a constante de
características são mostradas abaixo.
s diferentes valores de vgs
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)
V
t V
DS t GS n D
t GS n D DS
V vk
i
v
1
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Revisão: Transistores de EfeitoExemplo: Da descrição sobre a operação do M
proporcionalidade k n para um dispositivo cujas
Obtenha também a resistência dreno-fonte para
U
(mA) Di V2 t GS V v
(m DS v
5,1 t GS V v
V1 t GS V v
5,0 t GS V v
GS v
50 100 150 200
1,0
2,0
3,0
4,0
e Campo SFET apresentada, obtenha a constante de
características são mostradas abaixo.
s diferentes valores de vgs
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500200 v DS
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)
V
t V
4,0
i D
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Revisão: Transistores de EfeitoExemplo: Da descrição sobre a operação do M
proporcionalidade k n para um dispositivo cujas
Obtenha também a resistência dreno-fonte para
U
(mA) Di V2 t GS V v
(m DS v
5,1 t GS V v
V1 t GS V v
5,0 t GS V v
GS v
50 100 150 200
1,0
2,0
3,0
4,0
e Campo SFET apresentada, obtenha a constante de
características são mostradas abaixo.
s diferentes valores de vgs
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500200 v DS
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)
V
t V
4,0
i D
6673,0
200
i
v
D
DS
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Revisão: Transistores de EfeitoExemplo: Da descrição sobre a operação do M
proporcionalidade k n para um dispositivo cujas
Obtenha também a resistência dreno-fonte para
U
(mA) Di V2 t GS V v
(m DS v
5,1 t GS V v
V1 t GS V v
5,0 t GS V v
GS v
50 100 150 200
1,0
2,0
3,0
4,0
e Campo SFET apresentada, obtenha a constante de
características são mostradas abaixo.
s diferentes valores de vgs
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Eletrônica IIResposta em frequência: FETs
500200 v DS
30
)
V
t V
4,0
i D
6673,0
200
i
v
D
DS
10002,0
200
i
v
D
DS
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Revisão: Transistores de EfeitoExemplo: Da descrição sobre a operação do M
proporcionalidade k n para um dispositivo cujas
Obtenha também a resistência dreno-fonte para
U
(mA) Di V2 t GS V v
(m DS v
5,1 t GS V v
V1 t GS V v
5,0 t GS V v
GS v
50 100 150 200
1,0
2,0
3,0
4,0
e Campo SFET apresentada, obtenha a constante de
características são mostradas abaixo.
s diferentes valores de vgs
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500200 v DS
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)
V
t V
4,0
i D
6673,0
200
i
v
D
DS
10002,0
200
i
v
D
DS
20001,0
200
i
v
D
DS
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Revisão: Transistores de EfeitoOperação com o aumento de
U
DS v e Campo
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Revisão: Transistores de EfeitoOperação com o aumento de
U
DS v e Campo
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Revisão: Transistores de EfeitoOperação com o aumento de
U
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à Ã
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Revisão: Transistores de EfeitoOperação com o aumento de
U
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à Ã
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Revisão: Transistores de EfeitoOperação com o aumento de
U
DS v e Campo
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à Ã
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Revisão: Transistores de EfeitoOperação com o aumento de
U
DS v e Campo
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Eletrônica IIResposta em frequência: FETs
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à Ã
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Revisão: Transistores de EfeitoOperação com o aumento de
U
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SaturaçãoTriodo
e Campo
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U IVERSIDADE FEDERAL DE SÃO JOÃO DEL REI
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Revisão: Transistores de EfeitoOperação com o aumento de
U
DS v e Campo
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U IVERSIDADE FEDERAL DE SÃO JOÃO DEL REI
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Revisão: Transistores de EfeitoOperação com o aumento de
U
DS v
SaturaçãoTriodo
e Campo
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U IVERSIDADE FEDERAL DE SÃO JOÃO DEL REI
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Revisão: Transistores de EfeitoDeterminação da relação
U
DS D vi
t GS V v 1.)
t GS DS V vv 2.)
e Campo
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U IVERSIDADE FEDERAL DE SÃO JOÃO DEL REI
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Revisão: Transistores de EfeitoDeterminação da relação
U
DS D vi
t GS V v 1.)
t GS DS V vv 2.)
e Campo
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r o o
U IVERSIDADE FEDERAL DE SÃO JOÃO DEL REI
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U
Porta
W
x
CanalFonte
áreadeunidade poriaCapacitânc
mF1045,39,3 110
ox
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oxt
Fonte
44
Dreno
ox
oxoxt C
U IVERSIDADE FEDERAL DE SÃO JOÃO DEL REI
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45/85
U
Porta
W
x
CanalFonte
10145,3 10nmPara
oxox C t
23 1045,3mF1045,3 oxC
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Eletrônica IIResposta em frequência: FETs
oxt
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WdxC ox
valor deCapacitor
45
Dreno
m0mF0 9
11
23 mFf
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U
Porta
W
x
CanalFonte
Qual a carga armazenada na porção ?WdxC ox
V C q
t GS ox V xvv xW C q )(dd
t GS ox V xvv xW C q )(dd
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oxt
2SiO
WdxC ox
valor deCapacitor
46
Dreno
Sinal negativo: dq é uma carga
negativa!
U IVERSIDADE FEDERAL DE SÃO JOÃO DEL REI
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U
Porta
W
dqCarga
dx
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)(
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x
CanalFonte
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oxt
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valor deCapacitor
2SiO
47
dt
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DS v
L
Dreno
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U
Porta
W
dqCarga
dx
xdv E
)(
)( xdv
)( xv
velocid
x
CanalFonte
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oxt
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valor deCapacitor
2SiO
48
dt
dx ade
DS v
L
Dreno
vDS produz um campo elétrico ao longo
do canal
U IVERSIDADE FEDERAL DE SÃO JOÃO DEL REI
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U
Porta
W
dqCarga
dx
xdv E
)(
)( xdv
)( xv
velocid
x
CanalFonte
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oxt
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valor deCapacitor
2SiO
49
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DS v
L
Dreno
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adquiram velocidade!
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U IVERSIDADE FEDERAL DE SÃO JOÃO DEL REI
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U
dqCarga
dx
xdv E
)(
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)( xdv
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Eletrônica IIResposta em frequência: FETs
dt
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dxn
x
xv
dt
dxn
d
)(d
50
DS v
L
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51/85
U
dqCarga
dx
xdv E
)(
velocid
dx
CanalFonte
)( xdv
x
xv
dt
dxn
d
)(d
x
xv
x
V xvv xW C i n
t GS ox
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IVERSIDADE FEDERAL DE SÃO JOÃO DEL REIDepartamento de Engenharia Elétrica
Eletrônica IIResposta em frequência: FETs
dt
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dxn
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dt
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d
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51
DS v
L
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U
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dx
xdv E
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velocid
dx
CanalFonte
)( xdv
x
xv xvV vW C i t GS oxn
d
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IVERSIDADE FEDERAL DE SÃO JOÃO DEL REIDepartamento de Engenharia Elétrica
Eletrônica IIResposta em frequência: FETs
dt
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DS v
L
t xt i
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U IVERSIDADE FEDERAL DE SÃO JOÃO DEL REI
8/20/2019 Revisão FETs
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U
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dx
xdv E
)(
velocid
dx
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)( xdv
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)(dd WvC xvV vW C xi oxnt GS oxn D
V S S O JO ODepartamento de Engenharia Elétrica
Eletrônica IIResposta em frequência: FETs
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DS v
L
t xt i
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U IVERSIDADE FEDERAL DE SÃO JOÃO DEL REI
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dqCarga
dx
xdv E
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velocid
dx
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)( xdv
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2
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W C vV vW C Li
JDepartamento de Engenharia Elétrica
Eletrônica IIResposta em frequência: FETs
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dx ade Dreno )( x E dt
dxn
x
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dt
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d
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L
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ddd
t GS ox V xvv xW C q )(dd
)(d) xv
)
U IVERSIDADE FEDERAL DE SÃO JOÃO DEL REI
8/20/2019 Revisão FETs
55/85
2
2
DS oxn DS t GS oxn D
vW C vV vW C Li
2
2
DS oxn DS t GS oxn D
v
L
W C vV v
L
W C i
2
2
DS n DS t GS n D
v
Lk vV v
Lk i
utânciatranscondde parâmetronk
aspectoderazão L
W
JDepartamento de Engenharia Elétrica
Eletrônica IIResposta em frequência: FETs
55
U IVERSIDADE FEDERAL DE SÃO JOÃO DEL REI
8/20/2019 Revisão FETs
56/85
2
2
DS n DS t GS n D
v
L
W k vV v
L
W k i
DS t GS vV v
2
GS nt GS t GS n D
v
L
W k V vV v
L
W k i
2
2
2 t GS nt GS n D V v LW k V v
LW k i
22
1t GS n D V v
L
W k i
JDepartamento de Engenharia Elétrica
Eletrônica IIResposta em frequência: FETs
Modelagem para a região de triodo
Para região de saturação
56
2t
Modelo para a região de saturação
U IVERSIDADE FEDERAL DE SÃO JOÃO DEL REI
8/20/2019 Revisão FETs
57/85
T
2
DS n DS t GS n D
vW k vV v
W k i Saturaçãoriodo
JDepartamento de Engenharia Elétrica
Eletrônica IIResposta em frequência: FETs
22
1t GS n D V v
L
W k i
57
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8/20/2019 Revisão FETs
58/85
Revisão: Transistores de EfeitoExercício: Para um processo tecnológico de 0
cm2/V∙s, obtenha Cox, k n’ e a sobretensão de co
transistor com W/L=2,5 opere na saturação com
para VDS?
e Campo 8μm para o qual tox=15nm e μn=550
dução Vov=VGS-Vt necessários para que um
ID=4mA. Qual é o valor mínimo necessário
Departamento de Engenharia ElétricaEletrônica II
Resposta em frequência: FETs
58
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8/20/2019 Revisão FETs
59/85
Revisão: Transistores de EfeitoExercício: Para um processo tecnológico de 0
cm2/V∙s, obtenha Cox, k n’ e a sobretensão de co
transistor com W/L=2,5 opere na saturação com
para VDS?
22
1t GS n D V v
L
W k i
ox
oxox
t C
noxn C k
e Campo 8μm para o qual tox=15nm e μn=550
dução Vov=VGS-Vt necessários para que um
ID=4mA. Qual é o valor mínimo necessário
Departamento de Engenharia ElétricaEletrônica II
Resposta em frequência: FETs
59
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8/20/2019 Revisão FETs
60/85
Revisão: Transistores de EfeitoExercício: Para um processo tecnológico de 0
cm2/V∙s, obtenha Cox, k n’ e a sobretensão de co
transistor com W/L=2,5 opere na saturação com
para VDS?
2μmFf 230
15nm
μmFf 45,3
ox
oxox
t C
sVcm550μmFf 230 22
nk
01,0sV
μm10550
μm
F10230
28
2
15
nk
6,12sV
VsA
01265,0sV
F
01265,0
nk
e Campo 8μm para o qual tox=15nm e μn=550
dução Vov=VGS-Vt necessários para que um
ID=4mA. Qual é o valor mínimo necessário
Departamento de Engenharia ElétricaEletrônica II
Resposta em frequência: FETs
60
sV
F65
2VmA
5
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8/20/2019 Revisão FETs
61/85
Revisão: Transistores de EfeitoExercício: Para um processo tecnológico de 0
cm2/V∙s, obtenha Cox, k n’ e a sobretensão de co
transistor com W/L=2,5 opere na saturação com
para VDS?
2
2
1t GS n D V v
L
W k i
2VmA65,12nk
2
2
V
mA5,265,12
2
1mA4 t GS V v
22
V
mA5,265,12
2
1mA4
t GS V v
e Campo 8μm para o qual tox=15nm e μn=550
dução Vov=VGS-Vt necessários para que um
ID=4mA. Qual é o valor mínimo necessário
Departamento de Engenharia ElétricaEletrônica II
Resposta em frequência: FETs
61
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8/20/2019 Revisão FETs
62/85
Revisão: Transistores de EfeitoExercício: Para um processo tecnológico de 0
cm2/V∙s, obtenha Cox, k n’ e a sobretensão de co
transistor com W/L=2,5 opere na saturação com
para VDS?
2VmA65,12nk
2
2
V
mA5,265,12
2
1mA4 t GS V v
22 5,265,122
1V4 t GS V v
V5,0625,21
V8 22 t GS t GS V vV v
e Campo 8μm para o qual tox=15nm e μn=550
dução Vov=VGS-Vt necessários para que um
ID=4mA. Qual é o valor mínimo necessário
Departamento de Engenharia ElétricaEletrônica II
Resposta em frequência: FETs
62
U IVERSIDADE FEDERAL DE SÃO JOÃO DEL REI
8/20/2019 Revisão FETs
63/85
Revisão: Transistores de EfeitoExercício:
e Campo
Departamento de Engenharia ElétricaEletrônica II
Resposta em frequência: FETs
63
U IVERSIDADE FEDERAL DE SÃO JOÃO DEL REID d E h i El i
8/20/2019 Revisão FETs
64/85
Revisão: Transistores de EfeitoOperação com o aumento de DS v
e Campo
Departamento de Engenharia ElétricaEletrônica II
Resposta em frequência: FETs
64
U IVERSIDADE FEDERAL DE SÃO JOÃO DEL REID d E h i Elé i
8/20/2019 Revisão FETs
65/85
Revisão: Transistores de EfeitoExercícios: (1) Projete o circuito da fig
e Campo ra para o seguinte caso:
Departamento de Engenharia ElétricaEletrônica II
Resposta em frequência: FETs
2VA
60
oxnC
V1t V
65
m3m;120 W W
mA0,3 D I
V0,4 DV
U IVERSIDADE FEDERAL DE SÃO JOÃO DEL REID t t d E h i Elét i
8/20/2019 Revisão FETs
66/85
Revisão: Transistores de EfeitoExercícios: (1) Projete o circuito da fig
G D V V
e Campo ra para o seguinte caso:
Departamento de Engenharia ElétricaEletrônica II
Resposta em frequência: FETs
2VA
60
oxnC
V1t V
66
m3m;120 W W
mA0,3 D I
V0,4 DV
U IVERSIDADE FEDERAL DE SÃO JOÃO DEL REID t t d E h i Elét i
8/20/2019 Revisão FETs
67/85
Revisão: Transistores de EfeitoExercícios: (1) Projete o circuito da fig
G D V V
DD D RV v
S SS S i RV v
e Campo ra para o seguinte caso:
Departamento de Engenharia ElétricaEletrônica II
Resposta em frequência: FETs
2VA
60
oxnC
V1t V Di
67
m3m;120 W W
mA0,3 D I
V0,4 DV
D
U IVERSIDADE FEDERAL DE SÃO JOÃO DEL REID t t d E h i Elét i
8/20/2019 Revisão FETs
68/85
Revisão: Transistores de EfeitoExercícios: (1) Projete o circuito da fig
G D V V
DD D RV v
2
1n D L
W k i
S SS S i RV v
e Campo ra para o seguinte caso:
Departamento de Engenharia ElétricaEletrônica II
Resposta em frequência: FETs
2VA
60
oxnC
V1t V Di
68
m3m;120 W W
mA0,3 D I
V0,4 DV
2t GS V
D
U IVERSIDADE FEDERAL DE SÃO JOÃO DEL REIDepartamento de Engenharia Elétrica
8/20/2019 Revisão FETs
69/85
Revisão: Transistores de EfeitoExercícios: (1) Projete o circuito da fig
G D V V
DD D RV v
2
1n D L
W k i
S SS S i RV v
2
1n D L
W k i
e Campo ra para o seguinte caso:
Departamento de Engenharia ElétricaEletrônica II
Resposta em frequência: FETs
2VA
60
oxnC
V1t V Di
69
m3m;120 W W
mA0,3 D I
V0,4 DV
2t GS V
D
2t S V v
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8/20/2019 Revisão FETs
70/85
Revisão: Transistores de EfeitoExercícios: (1) Projete o circuito da fig
G D V V
DD D RV v
2
1n D L
W k i
S SS S i RV v
2
1n D L
W k i
6
3
VA1060
103,02
e Campo ra para o seguinte caso:
Departamento de Engenharia ElétricaEletrônica II
Resposta em frequência: FETs
2VA
60
oxnC
V1t V Di
70
m3m;120 W W
mA0,3 D I
V0,4 DV
2t GS V
D
2t S V v
2
2 40
At S V v
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8/20/2019 Revisão FETs
71/85
Revisão: Transistores de EfeitoExercícios: (1) Projete o circuito da fig
6
3
A
103,02
V
e Campo ra para o seguinte caso:
Departamento de Engenharia ElétricaEletrônica II
Resposta em frequência: FETs
2VA
60
oxnC
V1t V
2A
t S V v
71
m3m;120 W W
mA0,3 D I
V0,4 DV
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8/20/2019 Revisão FETs
72/85
Revisão: Transistores de EfeitoExercícios: (1) Projete o circuito da fig
6
3
A
103,02
V
1060
13,026
V25,1S v
e Campo ra para o seguinte caso:
Departamento de Engenharia ElétricaEletrônica II
Resposta em frequência: FETs
2VA
60
oxnC
V1t V
2A
t S V v
72
m3m;120 W W
mA0,3 D I
V0,4 DV
S v
1V40
23
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8/20/2019 Revisão FETs
73/85
Revisão: Transistores de EfeitoExercícios: (2) Projete o circuito da fig
e Campo ra de acordo com os dados:
Departamento de Engenharia ElétricaEletrônica II
Resposta em frequência: FETs
2VA
200
oxnC
73
,t
?;? LW
μA160 D I
V1 DV
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8/20/2019 Revisão FETs
74/85
Revisão: Transistores de EfeitoExercícios: (2) Projete o circuito da fig
G D V V
DD D RV v
e Campo ra de acordo com os dados:
Departamento de Engenharia ElétricaEletrônica II
Resposta em frequência: FETs
2VA
200
oxnC
Di
74
,t
?;? LW
μA160 D I
V1 DV
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8/20/2019 Revisão FETs
75/85
Revisão: Transistores de EfeitoExercícios: (2) Projete o circuito da fig
G D V V
DD D RV v
2
1Gn D v
L
W k i
e Campo ra de acordo com os dados:
Departamento de Engenharia ElétricaEletrônica II
Resposta em frequência: FETs
2VA
200
oxnC
Di
75
,t
?;? LW
μA160 D I
V1 DV
2t V
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8/20/2019 Revisão FETs
76/85
Revisão: Transistores de EfeitoExercícios: (2) Projete o circuito da fig
G D V V
DD D RV v
2
1Gn D v
L
W k i
6
22
1
A10160
e Campo ra de acordo com os dados:
Departamento de Engenharia ElétricaEletrônica II
Resposta em frequência: FETs
2VA
200
oxnC
Di
76
,t
?;? LW
μA160 D I
V1 DV
2t V
2
2 V6,0V1VμA
0 L
W
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77/85
Revisão: Transistores de EfeitoExercícios: (2) Projete o circuito da fig
G D V V
DD D RV v
2
1Gn D v
L
W k i
6
22
1
A10160
2
6
V1V
μA200
10320
e Campo ra de acordo com os dados:
Departamento de Engenharia ElétricaEletrônica II
Resposta em frequência: FETs
2VA
200
oxnC
Di
77
,t
?;? LW
μA160 D I
V1 DV
2t V
2
2 V6,0V1VμA
0 L
W
LW
2
V6,0
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78/85
Revisão: Transistores de EfeitoExercícios: (2) Projete o circuito da fig
6
V1μA200
10320
10 L
W
e Campo ra de acordo com os dados:
p gEletrônica II
Resposta em frequência: FETs
2VA
200
oxnC
L
W
2V60
78
,t
?;? LW
μA160 D I
V1 DV
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8/20/2019 Revisão FETs
79/85
Revisão: Transistores de EfeitoExercícios: (2) Projete o circuito da fig
DD D RV v
e Campo ra de acordo com os dados:
p gEletrônica II
Resposta em frequência: FETs
2VA
200
oxnC Di
79
,t
?;? LW
μA160 D I
V1 DV
8/20/2019 Revisão FETs
80/85
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8/20/2019 Revisão FETs
81/85
Revisão: Transistores de EfeitoExercícios: (3) Supondo Q1 e Q2 idêntic
dreno de Q2.
kΩ25kΩ20
e Campoos, determine a tensão e a corrente no
p gEletrônica II
Resposta em frequência: FETs
2
V
A200 oxnC
81
V6,0t V
μm8,0μm;4 W W
U IVERSIDADE FEDERAL DE SÃO JOÃO DEL REIDepartamento de Engenharia Elétrica
8/20/2019 Revisão FETs
82/85
Revisão: Transistores de EfeitoEsquemas de polarização
e Campo
p gEletrônica II
Resposta em frequência: FETs
2V
A200 oxn
C
82
V6,0t V
μm8,0μm;4 W W
μA80 D I
V1 DV
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8/20/2019 Revisão FETs
83/85
Revisão: Transistores de EfeitoEsquemas de polarização
e Campo
Eletrônica IIResposta em frequência: FETs
2V
A200 oxn
C
83
V6,0t V
μm8,0μm;4 W W
μA80 D I
V1 DV
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84/85
Revisão: Transistores de EfeitoEsquemas de polarização
e Campo
Eletrônica IIResposta em frequência: FETs
2V
A200 oxn
C
84
V6,0t V
μm8,0μm;4 W W
μA80 D I
V1 DV
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85/85
Recommended