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Universidade Federal do Amazonas Faculdade de Tecnologia Bacharelado em Engenharia de Materiais. Controle de crescimento da estrutura dependente da síntese de nanofios via em película formação de nanofios (OFF-ON). Método de OFF-ON (Filme para formação do Nanofio). - PowerPoint PPT Presentation
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Controle de crescimento da estrutura dependente da síntese de nanofios via em película formação de
nanofios (OFF-ON)
Universidade Federal do Amazonas
Faculdade de Tecnologia
Bacharelado em Engenharia de Materiais
Acadêmico: Emerson Gama Professor: Dr. Lucas Berti
Manaus- Am
Março- 2013
Método de OFF-ON (Filme para formação do Nanofio)
FT - EngMat Emerson Gama
UFAMUniversidade Federal do Amazonas
Sistema de Pulverização Catódica (sputtering)
Taxa de Deposição
Recozimento (260 ~270 °C)
Colocando o filme de Bi sob tensão de compressão
Diferentes Coeficientes de expansão térmica
Crescimento Espontâneo dos Nanofios Devido o
Relaxamento da tensões compressivas
Resfriamento
Método de OFF-ON
FT - EngMat Emerson Gama
UFAMUniversidade Federal do Amazonas
1. Combinação da deposição de filmes finos e simples com formação nanofios altamente cristalinos.
2. Não há necessidade de usar catalisadores, evitando assim a contaminação
3. Ferramenta única e altamente desejável para o cultivo de nanofios livre de defeitos e composta de um material de interesse.
4. Ampliação do método para uma grande variedade de materiais e estruturas
Método de OFF-ONVantagens
Desvantagem
Para obter bom rendimento do nanofio precisa-se programar e combinar os parâmetros.
FT - EngMat Emerson Gama
UFAMUniversidade Federal do Amazonas Parâmetro e Limitações Taxa de Deposição
Área do Filme e distribuição da tensão no momento Alivio
Incompatibilidade de expansão térmica
2,7 Â / s 32,7 Â / s
Áreas dos filmes: (104 µm)2, (103 µm)2, (102 µm)2, e (10 µm)2
1. Bi (13,4 × 10-6 / ° C) 2. SiO2 (0,5 × 10-6 / ° C) 3. Si (2,4 × 10-6 / ° C)
FT - EngMat Emerson Gama
UFAMUniversidade Federal do Amazonas Referências Bibliográficas
Shim W, Ham J, Lee K, Jeung WY, Johnson M, Lee W: On-Film Formation of Bi Nanowires with Extraordinary Electron Mobility. Nano Lett 2009, 9(1):18.
Zhang ZB, Gekhtman D, Dresslhaus MS, Ying JY: Processing and characterization of single-crystalline ultrafine bismuth nanowires. Chem Mater 1999, 11:1659.