Amplificadores de Pequena (1)

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  • 8/18/2019 Amplificadores de Pequena (1)

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    UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA,ELECTRÓNICA ANALOGA II, AMPLIFICADORES DE PEQUEÑA SEÑAL 1

    Amplificadores de Pequeña SeñalUniversidad Nacional de Colombia-Sede Bogotá, Departamento de Ingenierı́a Eléctrica y Electrónica

    Oscar Sanchez- [email protected],

    Anderson [email protected],

    Juan David Ramirez- [email protected].

     Resumen—En el siguiente documento describiremos levementecomo es el comportamiento de los tres tipos de amplificadoresen los transistores BJT y como varia su comportamiento paraun NPN y PNP.

     Index Terms—Peque ˜ na se ˜ nal, transistor NPN y PNP, Ganancia,ancho de banda, impedancia de entrada y salida.

    I. INTRODUCCIÓN

    El transistor Bipolar BJT, es un dispositivo semiconductor

    de tres terminales empleado en muchas aplicaciones de dife-

    rentes ramas de la electrónica. Entre una de las tantas aplica-

    ciones de este dispositivo está el desarrollo de amplificadores

    para señales pequeñas, el documento se enfoca al análisis y

    diseño de estos amplificadores al utilizar el transistor de las

    tres configuraciones básicas, y verificar los resultados anterior-

    mente propuestos para ciertos requerimientos propuestos para

    el diseñador.

    En el desarrollo de la practica trabajaron Anderson Guerrero

    como gerente, Oscar Sanchez como tesorero y Juan Ramı́rez

    como analista.

    II. MARCO TEÓRICO

    El diseño de un amplificador utilizando transistores BJT

    se basa en el principio de pequeña señal, el cual consiste

    en operar al dispositivo en una región totalmente lineal, esta

    relación se presenta cuando analizamos la relación de la curva

    corriente y tensión.[1]

    Para realizar el diseño se debe partir de las condiciones que

    se impongan y resolver el circuito para determinar las variables

    que cumplan con las restricciones. Para lograr amplificación

    el transistor debe estar polarizado de tal manera que la curva

    presente la condiciones necesarias para operen en la región

    activa.  V B  < V C   [1]

    Figura 1. Modelo de pequeña señal

     II-A. Ecuaciones de dise˜ no

    I C  = βI B   (1)

    I E  = I C (1 + β )   (2)

    gm =  I C V T 

    (3)

    ro = V AI C 

    (4)

    re  = V T I E 

    (5)

    Av  = vovi

    (6)

    rπ  = V T I B

    = β V T I C 

    (7)

    III. MATERIALES E INSTRUMENTOS REQUERIDOS

    -Osciloscopio

    -Fuente DC

    -Generador de señales

    -Multı́metro  True RMS 

    -Tres sondas

    -Resistencias

    -Condensadores

    -Transistores

    Se adquirieron 6 transistores (3 NPN y 3 PNP) aun costo

    de 1000 $ cada uno y un aproximado de 25 resistencias a 50 $cada una otos materiales ya sea cable y resistencias adicionales

    ya se poséıan y no se compraron para la realización del

    montaje dando un total de 7250 $ invertidos en los montajes.

    IV. DIS EÑO

    Los diseños presentados a continuación, son con el fin de

    obtener una ganancia   Av   <   200V /V , un ancho de bandaBW m >  1 MHz  polarizado con un voltaje de  V CC  

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     IV-A. Emisor Com´ un

    El tipo de transistor utilizado para la amplificación con un

    NPN es:

    Figura 2. Emisor Común NPN

    Av  = −57,27V /V 

    Rin = 1,86kΩ

    Rout  = 1,47kΩ

    Figura 3. Emisor Común PNP

     IV-B. Base com´ un

    Figura 4. Base común NPN

    Av  = 0,94  V /V 

    Rin = 78Ω

    Rout = 28,57K Ω

    Figura 5. Base común PNP

    Av  = 0,94  V /V 

    Rin = 78Ω

    Rout = 28,57K Ω

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     IV-C. Colector Com´ un

    Figura 6. Colector común NPN

    Av  = 0,96  V /V 

    Rin = 100Ω

    Rout  = 135Ω

    Figura 7. Colector común PNP

    Rout  = 165Ω

    Rin = 110Ω

    V A = 44  V /V 

    V. SIMULACIONES

    V-A. Emisor com´ un

    Figura 8. Ganancia para un NPN

    Figura 9. Ancho de Banda

     //PNP

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    Figura 10. Ganancia para un PNP

    Figura 11. Ancho de Banda transistor PNP

    V-B. Base Com´ un

    Figura 12. Ganancia transistores NPN

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    Figura 13. Ganancia para un PNP

    Figura 14. Ancho de Banda del PNP

    V-C. Colector com´ un

    Figura 15. Ganancia del colector NPN

    Figura 16. Ancho de Banda del colector NPN

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    de entrada puede ser muy baja pues depende de la resistencia

    de la juntura BC (1/gm) y la resistencia de salida muy altapues depende mayormente de Rc y r0 que pueden tener valoresmuy altos.

    VII-C. Colector Com´ un

    La caracterı́stica principal de esta configuración es una ga-

    nancia muy cercana a 1 lo que se corrobora por los resultadosobtenidos, este circuito cuenta con una resistencia de entrada

    muy alta y una resistencia se salida muy baja lo que favorece

    su uso como seguidor de voltaje o adaptador de impedancias.

    Los resultados de las tres configuraciones difieren entren el

    calculo, la simulación y la implementación, en el primer caso

    se debe a las aproximaciones y modelos que se utilizan al

    hacer los cálculos, ademas los datos modelos obtenidos para

    el simulador o los datos provistos por la hoja de datos pueden

    ser diferentes a los del transistor real.

    VI II. CONCLUSIONES

    Los simuladores son una herramienta muy   útil para

    comprobar la certidumbre de los cálculos y como una

    manera de predecir el comportamiento que puede tener

    el diseño en la implementación ası́ como la opción de

    realizar correcciones y cambiaos al diseño.

    La hoja de datos o los modelos para el simulador son

    solo una guı́a para el diseño pues los valores exactos

    necesarios son independientes a cada dispositivo y hacer

    la caracterización individualmente tomarı́a mucho tiem-

    po, sin embargo los valores dados sirven para hacer un

    diseño funcional lo bastante aproximado.

    Los transistores NPN y PNP arrojan resultados similares

    al momento de realizar la practica.

    Las tres configuraciones ofrecen un buen ancho de banda(de 1kHz a mas de 1MHz) para operaciones en baja

    frecuencia y pequeña señal tal como el audio.

    REFERENCIAS

    [1] Adel S. Sedra, Kenneth C.Smith,   Microelectronic Circuits,  5ta Edi-ción, Oxford University, 2004, páginas 421-483.

    [2] Behzad Razavi,  Fundamentals of Microeletronics,   2da Edición, Wi-ley, 2013, páginas 193-253.