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Crescimento de Filmes Finos Supercondutores de Alta Temperatura Crítica por Desbastamento Iônico Thiago J. de A. Mori , Lúcio S. Dorneles Laboratório de Magnetismo e Materiais Magnéticos Departamento de Física Centro de Ciências Naturais e Exatas Universidade Federal de Santa Maria 97105-900 Santa Maria – RS – Brasil www.ufsm.br/lmmm

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Crescimento de Filmes Finos

Supercondutores de Alta Temperatura

Crítica por Desbastamento Iônico

Thiago J. de A. Mori, Lúcio S. Dorneles

Laboratório de Magnetismo e Materiais Magnéticos

Departamento de Física

Centro de Ciências Naturais e Exatas

Universidade Federal de Santa Maria

97105-900 Santa Maria – RS – Brasil

www.ufsm.br/lmmm

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Objetivos

Introduzir os conceitos fundamentais que caracterizam o fenômeno da supercondutividade;

Definir os parâmetros de deposição adequados para a formação da fase supercondutora em filmes finos de Y-Ba-Cu-O, no novo sistema de deposição de filmes finos de óxidos do LMMM / UFSM.

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Supercondutividade

Kammerling Onnes (em 1911)

Condutividade Perfeita Diamagnetismo Perfeito - Efeito Meissner

Meissner e Ochsenfeld (em 1933)

Além de os supercondutores excluírem o campo magnético de seu interior, um campo em uma amostra inicialmente normal também é expelido quando ele é resfriado abaixo de Tc

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Supercondutores dos Tipos I e II

Curvas de Magnetização características de supercondutores (a) do tipo I e (b) do tipo II

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Deposição por Desbastamento Iônico (Sputtering)

RESPUTTERING (íons O- e átomos de O)

Diferença na estequiometria entre filme e alvo

Resputtering

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Deposição por Desbastamento Iônico (Sputtering)

Maneiras de contornar o problema:

• Trabalhar com pressões tão altas quanto for possível;

• Projetar o sistema para que a voltagem e a potência no canhão sejam as menores possíveis;

• Posicionar o substrato fora do eixo do canhão;

• Magnetron Sputtering com configuração não balanceada.

Eom et al. [2] mostraram que foi com uma geometria fora do eixo e altas pressões foi possível produzir filmes com estequiometrias excelentes, e ainda resolveu-se o problema da inomogeneidade ao longo do filme.

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Deposição por Desbastamento Iônico (Sputtering)

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Estrutura Cristalina

Ortorrômbica

OU

Tetragonal

Fase Supercondutora ‘123’

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Estrutura Cristalina

Ortorrômbica

OU

Tetragonal

Tratamento Térmico (in situ ou ex situ)

CT oS 800~

Condições para o crescimento da fase ‘123’:

• A deposição deve ocorrer a uma temperatura próxima da transição da fase tetragonal para supercondutora;

• A cristalização do filme durante a deposição precisa ser completa;

• A oxidação durante a deposição e resfriamento precisa ser suficiente para resultar na estequiometria correta.

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Estrutura Cristalina

Substratos:

• As estruturas cristalinas e os coeficientes de expansão térmica do filme e do substrato devem ser compatíveis;

• O substrato não pode ser reativo quimicamente com o HTS;

• A superfície do substrato deve ser polida e estável.

Substratos Não-Compatíveis precisam ser cobertos por uma camada buffer.

Bons candidatos para substrato de filmes finos de Y-Ba-Cu-O:

LaAlO3 , SrTiO3 , MgO

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Espessura

Em filmes finos (< 0,5 µm) a temperatura crítica e a densidade de corrente crítica são menores que em filmes mais grossos.

Resistividade em filmes de Er-Ba-Cu-O

Mesmo filmes com apenas 50% da fase supercondutora apresentam a queda brusca em ρ(T)

A supercondutividade na fase ‘123’ é fortemente anisotrópica e a resistividade é duas ordens de grandeza maior ao longo do plano do que no eixo c.

JC paralela ao plano do filme é da ordem de 102A/cm2, perpendicular ao plano é da ordem de 104A/cm2

Como a espessura é da ordem da célula unitária, a rugosidade do substrato sempre influencia nas características do filme depositado.

Na camada superior normalmente se observa a formação de ilhas ou então crescimento espiral.

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Proposta de Trabalho

Construir um porta-substratos adequado:

Que proporcione o crescimento de filmes finos na geometria fora do eixo;

Sistema de aquecimento e controle de temperatura.

Determinar os parâmetros necessários para o crescimento de filmes finos de óxidos com os equipamentos disponíveis no LMMM, com o objetivo de obter um filme fino.

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Referências Bibliográficas

Trabalho financiado com recursos

[1] M. Leskelä, J. K. Truman et al., J. Vac. Sci. Technol. A 7, 3147 (1989).[2] C. B. Eom, J. Z. Sun, B. M. Lairson et al., Physica C 171, 354 (1990).[3] J. M. Triscone and O. Fischer, Rep. Prog. Phys. 60, 1673 (1997).[4] N. Savvides and A. Katsaros, Appl. Phys. Lett. 62, 528 (1992).[5] C. B. Eom, J. Z. Sun, K. Yamamoto et al., Appl. Phys. Lett. 55, 595 (1989).[6] A. Tsukamoto, E. Tsurukiri, Y. Soutome et al., Physica C 392, 1245 (2003).[7] P. G. Quigley, R. A. Rao and C. B. Eom J. Vac. Sci. Technol. A 15, 2854 (1997).[8] C. P. Foley, S. W. Filipczuk, N. Savvides et al., IEEE Trans. Magnet. 27, 3036 (1991).[9] C. Blue and P. Boolchand, Appl. Phys. Lett. 58, 2036 (1991).[10] R. A. Rao, Q. Gan and C. B. Eom, Appl. Phys. Lett. 69, 3911 (1996).[11] MAROUCHKINE, A. Room-Temperature Superconductivity. 1a. ed. Cambridge InternationalScience Publishing, 2004.[12] TINKHAM, M. Introduction to Superconductivity. 2a. ed. Dover Books on Physics,2004.