PLD SYSTEM£¼요장비_v2015년.pdf · 2015-02-25 · 본 연 구 소 에 서 보 유 한 PLD model 은 Coherent 사 의 COMPexPro205F excimer laser를 이용하여 산화물 박막을

PLD SYSTEM Pulsed Laser Deposition System

PULSED LASER DEPOSITION SYSTEM

Sanhak Bldg, 2F, Dong-eui University, 176, Eomgwangno, Busanjin-gu, Busan 614-714 Korea / Tel. 82-51-890-2762 Fax 82-51-890-2767

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본 연 구 소 에 서 보 유 한 PLD model 은 Coherent 사 의

COMPexPro205F excimer laser를 이용하여 산화물 박막을 증착

할 수 있는 시스템이다. 본 장비에 가장 핵심이 되는 excimer

laser는 2012년에 도입되었으며, 성능은 700mJ@248 nm,

30W@248nm, 50Hz로 우수한 박막을 제조할 수 있다.

펄스 레이저증착 시스템

Pulsed laser deposition system은 excimer laser system를 이용하여 타겟의 물질의 조성

변화 없이 기판에 박막을 증착하는 물리적인 증착 방법이다.

Application - Thin film for semiconductor devices - Magnetic thin film for optical communication - Thin film for optical sensor and filter - Thin film for thermo sensors - Thin film for display device - Thin film for compound semiconductor Specifications

본 연구소에서는 Evaporation system 공정 시 thickness monitor로 박막의 두께를 측정하고 있으나, 사용자의 요청 시 보유하고 있는 Surface Profiler로 박막 두께를 재차 측정해드립니다. 또한, 재료의 구조 결정성 및 정성 분석이 가능한 XRD(X-ray diffraction, D/MAX 2100H, Rigaku)와 증착 박막의 표면 특성을 측정할 수 있는 SEM(Scanning electron microscope, S-2400, Hitachi)을 보유하고 있으므로 요청 시 바로 측정이 가능합니다. ※ 각 재료별 보유 여부 확인이 필수이며, 고가의 재료인 경우 사용자가 공급하는 것을 원칙으로 합니다. ※ 장비사용료는 증착할 재료 및 조건에 따라 달라지므로, 상호협의 후 결정합니다.

Feature - Easy maintenance - Exceptional film quality

Item Descriptions Specifications Methodology

Substrate Size Substrate Holder : 1“wafer, piece

Substrate Holder : 2“wafer, piece

Thickness uniformity Within substrate <± 5%

Deposition method Excimer laser 700mJ @ 248 nm, 30W @ 248nm, 50Hz

Heating method Heater Max.450℃ at wafer surface

Vacuum

Ultimate Pressure -Process module Base Pressure -Process module

<5.0E-6 Torr <5.0E-5 Torr

Process Gas He, Ne, Kr, F2, O2

Control Manual Loading : Manual

FBG SYSTEM Fiber Bragg Grating Manufacture System

Fiber Bragg Grating Manufacture SYSTEM



본 연구소에서 보유한 FBG 제작시스템은 MPB사의 MSX-250

excimer laser를 포함하여 다양한 부가장비들로 구성되어 있다.

가장 핵심이 되는 excimer laser는 2011년에 도입되었으며, 성능

은 50mJ@248 nm, 4.5W@248nm, 15Hz로 FBG 제작에 특화된

모델로서 우수한 FBG를 제작할 수 있다.

광섬유 브래그 격자 제작 시스템

Fiber Bragg Grating Manufacture system은 excimer laser를 이용하여 광민감성이 우수

한 optical fiber 코어의 굴절률을 변조시켜 광섬유 격자를 제작하는 장치이다.

Application - 광섬유 브래그 격자 제작 - 광섬유 브래그 격자 특성 평가 Specifications

본 연구소에서는 일반 통신용 광섬유의 광민감성을 향상시키기 위한 수소 처리 장비를 보유하고 있습니다. 사용자가 수소처리를 원하시면 수소처리가 가능하나 광섬유마다 수소처리 기간이 다를 수 있으니 처리기간을 정하고 오시면 사용이 더욱더 편리합니다. ※ 각 재료별 보유 여부 확인이 필수이며, 고가의 재료인 경우 사용자가 공급하는 것을 원칙으로 합니다. ※ 장비사용료는 증착할 재료 및 조건에 따라 달라지므로, 상호협의 후 결정합니다.

주요 장비

Excimer Laser MSX-250

Optical Sensing Interrogator SM125-500

Fiber recoater PTR200-ARC

Optical Fusion Splicer FSM-60S

Autorized fiber stripper Window stripper IFC-24

3채널 스텝모터 콘트롤러 #BSC103

레이저 빔 프로파일러 sP90199

CLEAN BOOTH

EVAPORATION SYSTEM Thermal and E-Beam Evaporation System

SRN-200

EVAPORATION SYSTEM

본 연구소에서 보유한 SRN-200 model은 연구 및 양산용으로

E-Beam과 Thermal source를 이용하여 박막을 증착할 수 있는

시스템이다. 본 장비에는 Thickness monitor가 설치되어 있어 정

확한 thickness 측정이 가능하며 또한 Multi step process가 가

능한 다수의 pocket이 장착되어있다. 시스템 전체는 auto/

semi/manual control이 가능하고 recipe 기능이 포함되어 있어

사용자의 다양한 공정 요구에 즉시 대응할 수 있다.

전자선 증착 시스템

E-beam을 이용하여 금속 박막을 증착하는 장치로서 웨이퍼 위에 박막을 형성시켜 여러

용도의 디바이스를 제작하는 용도로 사용된다.


Substrate Size Substrate Holder : 4", 6", 8" wafer

Substrate Holder : 4", 6", 8" wafer

5 wafer loading

Thickness uniformity Within substrate <± 5% 9 Point (5mm edge exclusion)

Deposition method E-Beam Source Thermal Source

15 cc, 6-pocket, 6 Kw

1 set 1 set


Vacuum



Wafer loading Auto loading Auto loading

Control PC PC base full automation Loading : Manual

Application - Thin film for semiconductor devices - Thin film for next generation high density near-field optical disk - Magnetic thin film for optical communication - Thin film for optical sensor and filter - Thin film for thermo sensors - Thin film for display device - Thin film for compound semiconductor Specifications

본 연구소에서는 Evaporation system 공정 시 thickness monitor로 박막의 두께를 측정하고 있으나, 사용자의 요청 시 보유하고 있는 Surface Profiler로 박막 두께를 재차 측정해드립니다. 또한, 재료의 구조 결정성 및 정성 분석이 가능한 XRD(X-ray diffraction, D/MAX 2100H, Rigaku)와 증착 박막의 표면 특성을 측정할 수 있는 SEM(Scanning electron microscope, S-2400, Hitachi)을 보유하고 있으므로 요청 시 바로 측정이 가능합니다. ※ 각 재료별 보유 여부 확인이 필수이며, 고가의 재료인 경우 사용자가 공급하는 것을 원칙으로 합니다. ※ 장비사용료는 증착할 재료 및 조건에 따라 달라지므로, 상호협의 후 결정합니다.

Feature - Auto/Semi/Manual control - Real time system monitoring - Easy maintenance - Exceptional film quality Source - Ti, Sn, Zn, Al, Mo, Mn, Ag, Si, W, Cu, Cr etc..



RF SPUTTER SYSTEM Sputtering Deposition System of Metal

RF SPUTTER SYSTEM

본 연구소에서 보유한 RF sputter system은 금속 타겟을 이용하

여 RF건으로 박막을 증착할 수 있는 시스템이다. 본 장비에는

wafer, glass 등에 금속박막을 증착할 수 있으며, 3개의 RF건이

장착되어 있어 다층 박막 성장도 가능하다. 시스템 전체는 auto/

semi/manual control이 가능하고 recipe 기능이 포함되어 있어

사용자의 다양한 공정 요구에 즉시 대응할 수 있다.

스퍼터링(Sputtering)은 집적회로 생산라인 공정에서 많이 쓰이는 진공 증착법의 일종으

로 비교적 낮은 진공도에서 이온화된 아르곤 가스 입자를 가속시켜 타겟에 충돌하게 하여

플라즈마 상태의 원자를 분출시켜 전자부품 제작에 필요한 반도체 및 신소재 금속 박막을

증착시키는 장비이다.





Deposition method RF-gun 2”2ea, 3”1ea


Vacuum



Process Gas Ar, O2, N2

Control PC PC base full automation Loading : Manual

Application - Tribological Coating - Wear-Resistance Coating - Optical & Reflective Thin Films - Photovoltaic Thin Films - Decorative Thin Films - Superconducting Thin Films - Coating for fiber Composite Specifications

Feature - Auto/Semi/Manual control - Real time system monitoring - Easy maintenance - Exceptional film quality Source - metal etc..

본 연구소에서는 RF sputter system 공정 시 박막의 두께를 본사에서 측정한 데이터를 기준으로 예비 측정하고 있으나, 사용자의 요청 시 보유하고 있는 Surface Profiler로 박막 두께를 재차 측정해드립니다. 또한, 재료의 구조 결정성 및 정성 분석이 가능한 XRD(X-ray diffraction, D/MAX 2100H, Rigaku)와 증착 박막의 표면 특성을 측정할 수 있는 SEM(Scanning electron microscope, S-2400, Hitachi)을 보유하고 있으므로 요청 시 바로 측정이 가능합니다. ※ 각 재료별 보유 여부 확인이 필수이며, 고가의 재료인 경우 사용자가 공급하는 것을 원칙으로 합니다. ※ 장비사용료는 증착할 재료 및 조건에 따라 달라지므로, 상호협의 후 결정합니다.

RF 스퍼터링 증착 시스템



I-SPUTTER SYSTEM Sputtering Deposition System

INTELLIGENT SPUTTER SYSTEM

본 연구소에서 보유한 RF sputter system은 산화물 타겟을 이용

하여 RF건으로 박막을 증착할 수 있는 시스템이다. 본 장비에는

wafer, glass 등에 산화물 박막을 증착할 수 있다.

스퍼터링(Sputtering)은 집적회로 생산라인 공정에서 많이 쓰이는 진공 증착법의 일종으

로 비교적 낮은 진공도에서 이온화된 아르곤 가스 입자를 가속시켜 타겟에 충돌하게 하여

플라즈마 상태의 원자를 분출시켜 전자부품 제작에 필요한 반도체 및 신소재 산화물 박막

을 증착시키는 장비이다.





Deposition method RF-gun 2”1ea


Vacuum



Process Gas Ar, O2, N2

Control Manual Loading : Manual

Application - Tribological Coating - Wear-Resistance Coating - Optical & Reflective Thin Films - Photovoltaic Thin Films - Decorative Thin Films - Superconducting Thin Films - Coating for fiber Composite Specifications

Feature Source

본 연구소에서는 RF sputter system 공정 시 박막의 두께를 본사에서 측정한 데이터를 기준으로 예비 측정하고 있으나, 사용자의 요청 시 보유하고 있는 Surface Profiler로 박막 두께를 재차 측정해드립니다. 또한, 재료의 구조 결정성 및 정성 분석이 가능한 XRD(X-ray diffraction, D/MAX 2100H, Rigaku)와 증착 박막의 표면 특성을 측정할 수 있는 SEM(Scanning electron microscope, S-2400, Hitachi)을 보유하고 있으므로 요청 시 바로 측정이 가능합니다. ※ 각 재료별 보유 여부 확인이 필수이며, 고가의 재료인 경우 사용자가 공급하는 것을 원칙으로 합니다. ※ 장비사용료는 증착할 재료 및 조건에 따라 달라지므로, 상호협의 후 결정합니다.

스퍼터링 증착 시스템



HORIZONTAL FURNACE

HORIZONTAL FURNACE

본 연구소에서 보유한 Horizontal Furnace은 상단 하단 두개의

tube 구성으로 되어있다. 상단은 Annealing 공정을 할 수 있으며,

하단은 Wet Oxidation, Dry Oxidation 공정을 통해 산화막 증착을

할 수 있는 장비이다. 시스템 최대온도는 1200도 까지 공정이 가

능하며, recipe 기능이 포함되어 있어 사용자의 다양한 공정 요구

에 즉시 대응할 수 있다.

수평형 전기로

반도체 제조 공정에서 고온의 전기로 내에서 가스를 주입하여 웨이퍼 위에 산화막을 형성

하거나, 어닐링 등을 수행하는 장비이다.


Substrate Size Substrate Holder : piece, 4", 6", 8" wafer

Substrate Holder : 4", 6", 8" wafer

25 wafer loading


Deposition method N2, O2, Bubble system

NFC control

Heating method Heater Max.1200℃

Wafer loading Manual loading Quartz Holder Manual loading

Control Loading : Manual

Application - Oxide의 sintering . Wet Oxidation (Bubbler System) . Dry Oxidation - Calcination Specifications

본 연구소에서는 사용자의 요청 시 보유하고 있는 Surface Profiler로 박막 두께를 재차 측정해드립니다. 또한, 재료의 구조 결정성 및 정성 분석이 가능한 XRD(X-ray diffraction, D/MAX 2100H, Rigaku)와 증착 박막의 표면 특성을 측정할 수 있는 SEM(Scanning electron microscope, S-2400, Hitachi)을 보유하고 있으므로 요청 시 바로 측정이 가능합니다. ※ 각 재료별 보유 여부 확인이 필수이며, 고가의 재료인 경우 사용자가 공급하는 것을 원칙으로 합니다. ※ 장비사용료는 증착할 재료 및 조건에 따라 달라지므로, 상호협의 후 결정합니다.

Feature - Top Annealing tube - Low Oxidation tube - Easy maintenance - Exceptional film quality



CHEMICAL SENSOR MEASUREMENT SYSTEM

본 연구소에서 보유한 Chemical sensor measurement system

은 산화물 센서 소재 및 가스 센서의 특성을 정밀 측정을 위한 것

으로 ppb 레벨까지 가스 농도의 센싱과 제어를 할 수 있다. 히터

및 온도 제어부, 가스 주입 및 혼합, 배기 제어부, 전기적 특성 측

정을 위한 진공 probe부로 구성되어 사용자의 다양한 공정 요구

에 즉시 대응할 수 있다.

가스 센서 감도 측정 시스템

나노구조의 산화물 센서 신소재 및 시제품 센서의 가스 반응 특성을 측정 위한 PPB 레벨

의 고감도 가스 측정 장비이다.

Item Specifications

Measuring range 1000PPM ~ 10PPB

Vacuum @ 1hr (TMP 50l/sec) ≤ 5 x 10-5 Torr

Max Ramp Speed @ RT ~ 750K ≥ 10K/min

Max Temp. limit ~ range RT ~ 350 °C

Temp. adjustment 0.1 °C

Probe type Standard Electrode (12 Pin Probe)

Sample Size 10 x 10 (mm) or 15 x 15 (mm)

Gas CH4, C2H6, C4H10, C3H8, H2S, High-purity Air

Operation Semi auto control by PC

Specifications

본 연구소에서는 사용자의 요청 시 보유하고 있는 Surface Profiler로 박막 두께를 재차 측정해드립니다. 또한, 재료의 구조 결정성 및 정성 분석이 가능한 XRD(X-ray diffraction, D/MAX 2100H, Rigaku)와 증착 박막의 표면 특성을 측정할 수 있는 SEM(Scanning electron microscope, S-2400, Hitachi)을 보유하고 있으므로 요청 시 바로 측정이 가능합니다. ※ 각 재료별 보유 여부 확인이 필수이며, 고가의 재료인 경우 사용자가 공급하는 것을 원칙으로 합니다. ※ 장비사용료는 증착할 재료 및 조건에 따라 달라지므로, 상호협의 후 결정합니다.

DESK CSM-V

CHEMICAL GAS ANALYZER CHEMICAL SENSOR MEASUREMENT SYSTEM

Application - 나노구조의 산화물 구조체 가스 감지 능력 측정 - 가스센서 시제품 성능 테스트 Methane(CH4), Ethane(C2H6), Propane( C3H8), Butane(C4H10) - 가스센서 완제품 보정



TIME-DOMAIN THz SPECTROMETER

테라헤르츠 파의 에너지는 분자 고유의 회전 (rotation), 진동

(vibration), 뒤틀림 (torsion)등과 같은 분자 에너지와 공명

(resonance)을 잘 일으키므로 물질 고유의 독특한 흡수 스펙트럼

을 측정할 수 있다. 이러한 테라헤르츠파의 특성을 이용한 THz-

TDS 시스템은 물질 고유의 독특한 흡수스펙트럼을 확인할 수 있

어서, 고체 및 액체 재료, 생체 분자나 조직, 폭발물이나 금지약물,

환경과 관련된 유기물의 분석에 활용될 수 있다.

테라헤르츠 시간영역 분광기

테라헤르츠 초단펄스를 이용한 분광법을 뜻한다. 일반적인 분광법과 달리 분석소재에 대

하여 테라헤르츠파의 위상(phase) 및 진폭(amplitude)에 대한 정보를 얻을 수 있는 장점

이 있으며, 특히 생체소재에 대해 비파괴 분석을 할 수 있는 것이 특징이다.

TERA K8

TIME-DOMAIN THz SPECTROMETER based on 780 nm femtosecond fiber laser

Application - Time resolved THz spectroscopy - Chemical fingerprinting - Material characterization - THz imaging Specifications

Feature - Broadband application - Open configuration for customer specific solutions - Scientific platform supports stand-alone fs laser applications

TERA K8 Antenna structure TERA8-1*

Spectral range >3 THz Dynamic range >60 dB (typical >65 dB)

Scan range 300 ps** Scan mode rapid / step scan

Laser specifications Wavelength 780 nm

Total average output power >65 mW Repetition rate 100 MHz Pulse duration 100 - 120 fs Output port free space

Dimensions Weight

Optical unit 920 x 460 x 190 mm3 44 kg THz control electronics 448 x 132 x 550 mm3 10 kg

CALCULATED THz SPECTRUM MEASURED THz PULSE (IN AMBIENT ATMOSPHERE)

SOFTWARE TERA-IMAGE TERA K8 - schematic system layout



X-RAY DIFFRACTION 엑스선 회절기

Application

-물질의 정성분석

-성분의 정량(원소함량) 분석

-결정내부의 변형 측정

-재료의 배양성 측정 및 해석

-혼합물과 화합물의 구별

D/max 2100

RESEARCH EQUIPMENT

X선 회절을 이용하여 결정구조를 분석할 수 있는 장비로서, X-선 회절 무늬가 각 결정물질

에 따라 특유하게 나타나기 때문에 각 결정무늬로 재료의 결정구조를 분석하는 장비.

SCANNING ELECTRON MICROSCOPE 주사전자현미경

Application

-대상물의 확대상 관찰

-3차원적 입체상 관찰

-시료 표면의 정보

-회로, 반도체부품 등의

품질 체크

-생체시료분석

-고분자, 유가공 제품 분석

S-2400

전자빔을 가속시켜 시료에 주사시키면 표면에서 2차전자가 발생되고, 발생된 2차전자를 PMT

를 이용하여 전기적 신호로 증폭시켜 CRT에 상을 구성하여 시료의 형상을 나타내는 장비

PL MEASUREMENT SYSTEM 광발광측정 시스템

Application

-형광체 소재 특성분석

-태양전지용 박막소재 광특성

분석

-불순물 특성분석

-반도체 광학특성 분석

-광센서용 소재 특성분석

-나노금속소재 특성분석

외부 에너지를 시료에 인가하여 그 물질 내의 공유한 전자 상태간의 전이에 의해 흡수된

에너지를 빛의 형태로 방출하면서 원래의 평형상태로 되돌아가는 광발광 현상(Photo

Luminescene)을 활용하여 반도체 광학특성 등을 분석하는 장비.

OPTICAL SPECTRUM ANALYZER 광 스펙트럼 분석기

Application

-광소자의 광스펙트럼 분석

-광소자의 파장특성 측정

-Laser diode의 파장특성 측정

-CWDM 파장특성 측정

-Distributed feedback laser

diode 파장특성 측정

AQ6370B

광소자의 파장특성을 측정하거나스펙트럼 분석 광통신 광원에 대한 파장특성평가 광통신 파

장교정 등에 사용

POLARIZATION MICROSCOPE 편광현미경

Application -복굴절을 가지는 유/무기 재료 연구 -분말 시료 및 벌크재의 광학적 성질 조사 -박막 및 전극표면 관찰 금속의 GRAIN 관찰 -Photo 공정 중의 wafer의 PR 패턴 관찰 -산업용 재료 소재(glass, plastics, textile/fiber, LCD 등)의 분석

Axiolab 2690

모든 편광 관찰을 위한 다목적 편광현미경으로서 다양한 연구 분야(petrography,

mineralogy, structure characterization, liquid crystal 등)에 적합한 편광 현미경이다.

Surface profiler 표면단차측정기

Application

-Surface Texture

-Precision step height

-Surface form

-Thin film stress

-Biological MEMS

-Material Characterization

D-100

Alpha-Step surface profiler는 바늘(Probe)이 재료의 표면을 긁고 지나가면서 표면의 단차의

변화를 이용하여 박막의 두께, 표면거칠기등을 측정할 수 있는 장비



ORG WET STATION 유기물 전용 세정기

Application

-TMAH 및 KOH를 고온으로

Si wafer를 비등방 식각을 저

렴하게 할 수있는 장치.

-MEMS 및 Bio chip, 반도체

chip제작에 사용되는 기본

cleaning장치.

-감광재 현상 및 습식 처리 공

정을 진행하고, DI water로서

Cleaning한 후 건조하는 장치

WT-2310

RESEARCH EQUIPMENT

Metal 및 Si wafer를 각종 Chemical을 이용하여 etching 할 수 있는 장치로써, Si dry etching

및 wet etching 이후의 Si 및 Substrate 표면의 유기물 및 박막등을 removal하는 장치

GENERAL TEMP./HUMIDITY CHAMBER 일반형 항온항습 시험기

Application

-신뢰성 시험

-시료에 고온/저온/고습/저습

의 환경조건을 가함으로서

제품에 대한 신뢰성을 시험

TH-G-300

항온항습 상태에서의 시료의 보관 및 센서의 온습도에 대한 신뢰성 성능 테스트

MANUAL GOLD WIRE BALL BONDER 센서모듈 접합기

Application

-Sensor와 PCB를 Au Wire로

전기적 특성 연결

-반도체 부품의 와이어본딩

집적회로를 패키지의 리드에 매우 가는 고순도 금(Au),알루미늄(Al),구리(Cu)선으로 연결

하는 공정

ULTRA SONIC CLEANER 초음파 세척기

Application

-전자부품, 기계부품, 의료기

기 및 과학기기, 계기류, 보

석 및 귀금속류의 불순물 제

거 및 이물질 세척에 이용

8510

초음파 진동을 가한 용매속에서 물품의 표면에 부착된 이물질을 제거하는 장치

SINTERING FURNACE 소결 전기로

Application

각종 재료(금속, 비금속, 세라믹 등)들

을 원하는 온도와 분위기에서 열처리

및 소결

분말체를 적당한 형상으로 가압 성형한 것을 가

열하면 서로 단단히 밀착하여 고결하는 현상. 적

당히 구멍이 있는 고체를 만들거나, 녹였을 때

혼합되지 않는 두 물질의 복합재료(예를 들면 금

속과 세라믹스)를 만드는 데 사용된다.

ESP300

TEST FURNACE(Fiber) 시험 전기로(광섬유)

Application

광섬유 소결

광섬유 등 특수 용도로 사용하기 위해 제작된 튜

브형 전기로



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