2
RESUMO CAPITULO 1 Este capítulo começou com um levantamento dos fundamentos da estrutura atômica, apresentando os modelos de Bohr e mecânico-ondulatório para os elétrons nos átomos. Enquanto o modelo de Bohr assume que os elétrons sejam partículas que orbitam em torno do núcleo em trajetórias distintas, na mecânica ondulatória nós os consideramos como sendo ondas, e tratamos a posição do elétron no átomo em termos de uma distribuição de probabilidades. Os estados de energia eletrônicos são especificados em termos de números quânticos, que dão origem às camadas e subcamadas eletrônicas. A configuração eletrônica de um átomo corresponde à maneira pela qual essas camadas e subcamadas são preenchidas com elétrons de acordo com o princípio da exclusão de Pauli. A tabela periódica dos elementos é gerada pelo arranjo dos vários elementos de acordo com a configuração do elétron de valência. A ligação atômica nos sólidos pode ser considerada em termos de forças e energias de atração e de repulsão. Os três tipos de ligação primária nos sólidos são iônica, covalente e metálica. Para as ligações iônicas, íons carregados eletricamente são formados pela transferência dos elétrons de valência de um tipo de átomo para outro; as forças são de Coulomb. Existe um compartilhamento de elétrons de valência entre átomos adjacentes quando a ligação é covalente. Na ligação metálica, os elétrons de valência formam uma "nuvem de elétrons" que está

RESUMO CAPITULO 1

Embed Size (px)

DESCRIPTION

resumo

Citation preview

RESUMO CAPITULO 1

Este captulo comeou com um levantamento dos fundamentos da estrutura atmica, apresentando os modelos de Bohr e mecnico-ondulatrio para os eltrons nos tomos. Enquanto o modelo de Bohr assume que os eltrons sejam partculas que orbitam em torno do ncleo em trajetrias distintas, na mecnica ondulatria ns os consideramos como sendo ondas, e tratamos a posio do eltron no tomo em termos de uma distribuio de probabilidades. Os estados de energia eletrnicos so especificados em termos de nmeros qunticos, que do origem s camadas e subcamadas eletrnicas. A configurao eletrnica de um tomo corresponde maneira pela qual essas camadas e subcamadas so preenchidas com eltrons de acordo com o princpio da excluso de Pauli. A tabela peridica dos elementos gerada pelo arranjo dos vrios elementos de acordo com a configurao do eltron de valncia.A ligao atmica nos slidos pode ser considerada em termos de foras e energias de atrao e de repulso. Os trs tipos de ligao primria nos slidos so inica, covalente e metlica. Para as ligaes inicas, ons carregados eletricamente so formados pela transferncia dos eltrons de valncia de um tipo de tomo para outro; as foras so de Coulomb. Existe um compartilhamento de eltrons de valncia entre tomos adjacentes quando a ligao covalente. Na ligao metlica, os eltrons de valncia formam uma "nuvem de eltrons" que est uniformemente dispersa em torno dos ncleos inicos do metal, e atua como um tipo de cola para eles.Tanto as ligaes de van der Waals como as de hidrognio so chamadas ligaes secundrias, sendo fracas em comparao com as ligaes primrias. Elas resultam das foras atrativas entre dipolos eltricos, os quais existem em dois tipos induzido e permanente. Para a ligao de hidrognio, molculas altamente polares se formam quando o hidrognio se liga covalentemente a um elemento no-metlico, como o flor.RESUMO CAPITULO 4Todos os materiais slidos contm grandes nmeros de imper-feies ou desvios da perfeio cristalina. Os vrios tipos de imperfeio so classificados com base nas suas geometrias e tamanhos. Defeitos pontuais so aqueles associados com uma ou duas posies atmicas, incluindo lacunas (ou stios vagos na rede cristalina), auto-intersticiais (tomos hospedeiros que ocupam stios intersticiais) e tomos de impurezas. Uma soluo slida pode se formar quando tomos de impu-rezas so adicionados a um slido, em cujo caso a estrutura cris-talina original mantida e nenhuma nova fase formada. Para solues slidas substitucionais, os tomos de impureza substi-tuem os tomos hospedeiros, e uma solubilidade aprecivel possvel somente quando os dimetros atmicos e as eletrone-gatividades para ambos os tomos so semelhantes, quando ambos os elementos apresentam a mesma estrutura cristalina, e quando os tomos de impureza possuem uma valncia que a