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TEMA 7
Tecnología y fabricación de CIs
G. Fabricación de dispositivoshttp://jas.eng.buffalo.edu/education/fab/pn/diodeframe.html
http://jas.eng.buffalo.edu/education/fab/NMOS/nmos.html
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II. Fabricación de un diodo
� 1. Crecimiento del lingote del semiconductor: oblea
Tema 7. Tecnología y Fabricación de CIs
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II. Fabricación de un diodo
� 2. Crecimiento del lingote del semiconductor: oblea
Tema 7. Tecnología y Fabricación de CIs
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II. Fabricación de un diodo
� 3. Crecimiento de una capa nativa de Si02 para la posterior aplicación de máscaras
litográficas (para la realización del dopaje de la región p en una zona selectiva del
material)
Tema 7. Tecnología y Fabricación de CIs
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II. Fabricación de un diodo
� 4. Se aplica sobre la superficie del óxido un material denominado “resina”. � Su aplicación servirá para aplicar un proceso fotolitográfico en el que se abrirá una “ventana” en el semiconductor
a través de la cuál se realizará la posterior difusión de la región p. Seguidamente, tiene lugar un calentamiento de
la oblea de modo que la resina se solidifica.
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II. Fabricación de un diodo
� 5. Posteriormente se aplica el proceso fotolitográfico (se proyecta luz ultravioleta, UV, a
través de una máscara).
� La luz UV endurece la región de resina expuesta a ella. Las regiones cubiertas por la máscara se eliminan mediante grabado químico.
mask
UV light
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II. Fabricación de un diodo
� 5. Posteriormente se aplica el proceso fotolitográfico (se proyecta luz ultravioleta, UV, a
través de una máscara).
� La luz UV endurece la región de resina expuesta a ella. Las regiones cubiertas por la máscara se eliminan mediante grabado químico.
mask
UV light
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II. Fabricación de un diodo
� 6. Se realiza el grabado o eliminación de la resina fotoreactiva mediante la aplicación
de un ácido.
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II. Fabricación de un diodo
� 7. A través de la ventana abierta mediante el proceso fotolitográfico tiene lugar la
difusión o la implantación iónica de impurezas (para realizar el dopaje) de boro
(impureza tipo p para el Silicio). De este modo se forma la región p de la unión p-n.
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II. Fabricación de un diodo
� 8. Se realiza la deposición del aluminio (mediante sputtering) para la realización del
contacto a ambos lados de la oblea.
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II. Fabricación de un diodo
� 9. Se realiza un nuevo paso fotolitográfico (no se muestra) utilizando de nuevo una
resina para modificar la forma del aluminio y obtener la forma de la metalización final.
� Finalmente se lleva a cabo la pasivación de la superficie que proporciona protección mecánica y eléctrica.
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II. Fabricación de un diodo
� 10. Los chips finales en la oblea tienen el aspecto que muestran las figuras (visión
transversal a la izquierda y visión superior a la derecha).
� Posteriormente cada uno de ellos se separa de la oblea (se corta) y se miden sus propiedades eléctricas (caracterización).
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