EE2709 Eletrnica Aplicada UFABC 1/1

Universidade Federal do ABC Centro de Engenharia, Modelagem e Cincias Sociais Aplicadas

EN2709 Eletrnica Aplicada

Profs. Carlos Reis e Roberto Jacobe

21/ ago/2013

Aula prtica-4

1. Determine experimentalmente os valores de VTH e KPP do transistor MOS canal-P do CI CD4007, cujos pinos so 6-13 e 14. Considere a corrente de dreno na faixa de 0 a 500uA.

2. Monte o circuito mostrado na Fig-1 e ajuste (atravs de R1 e R2) a tenso entre Porta e Fonte de M1 para que sua corrente de dreno seja de 200uA.

3. Mea as tenses Vo1 e Vo2 quando a tenso Ve igual a zero. Caso no sejam iguais, verifique a possibilidade de torn-las iguais ajustanto a amplitude do offset do gerador de sinais que gera Ve.

4. Varie a tenso Ve regularmente de forma incremental no intervalo de -500mV at +500mV em torno do valor encontrado no item anterior, e mea os correspondentes valores de Vo1 e Vo2. Trace num nico grfico estas duas tenses versus Ve. Com os valores obtidos, determine o ganho de tenso diferencial do circuito, que definido como sendo a razo entre a variao da diferena das tenses na entrada pela variao da diferena das tenses na sada.

5. Registre as formas de onda de Vo1 e Vo2 (simultneas) obtidas no osciloscpio quando a tenso Ve uma senoide com amplitude de 100mV (pico) e frequncia de 1KHz.

6. A partir dos valores de VTH e KPP dos transistores MOS canal-P, determine o parmetro incremental re dos transistores M2 e M3 no circuito da Fig-1 e compare o valor do ganho de tenso diferencial obtido

com a relao Rd/re, onde Rd=22K. Justifique o resultado.

Obs: Durante as medies, mantenha as seguintes conexes no CI:

[5=4], [12=9] e [8=7].

Fig- 1: Amplificador diferencial (MOS-P) simples

Diagrama de transistores do CD4007.

-5V