Rede So Paulo de

Cursos de Especializao para o quadro do Magistrio da SEESP

Ensino Fundamental II e Ensino Mdio

So Paulo

2011

UNESP Universidade Estadual PaulistaPr-Reitoria de Ps-GraduaoRua Quirino de Andrade, 215CEP 01049-010 So Paulo SPTel.: (11) 5627-0561www.unesp.br

Governo do Estado de So Paulo Secretaria de Estado da EducaoCoordenadoria de Estudos e Normas PedaggicasGabinete da CoordenadoraPraa da Repblica, 53CEP 01045-903 Centro So Paulo SP

sumrio tema ficha

SumrioVdeo da Semana ...................................................................... 3

5. Obedecer, ou no, a regra do octeto? ..........................................3

5.1 O Caso do H2SO4 e do nion SO42- ....................................................3

5.2 O caso em que no h tomo central na molcula ............................. 13

Referncias ............................................................................. 16

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Vdeo da Semana

5. Obedecer, ou no, a regra do octeto?H casos em que possvel escrever vrias frmulas de Lewis, com todas elas obedecendo

s regras discutidas at aqui. Dessas frmulas de Lewis, algumas obedecem a Regra do Octeto, e outras no. Propomos agora uma reflexo: dentre essas frmulas de Lewis, a que obedece a Regra do Octeto ser ser sempre a mais provvel? Propomos abordar esse tpico atravs do exemplo que se segue.

5.1 O Caso do H2SO4 e do nion SO42-

Comecemos com o H2SO4. Como est presente apenas um tomo de S, ele ser o tomo central da molcula. A seguir, ligados diretamente ao tomo central iro os tomos de O (lem-bre-se que os tomos de H s podem compartilhar um par de eltrons cada um e, portanto,

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no poderiam estar nos lugares ocupados pelos tomos de O). O esquema inicial resultante, representado no plano por facilidade, dado no esquema que se segue.

S OO

O

H

O

H

Agora vamos fazer a contabilidade dos eltrons das camadas de valncia (CV) dos tomos que formam a molcula:

TOMO PERODO(n)

N MXIMO DE ELTRONS

(2n2)

N DE ELTRONS NA CV

CONTRIBUIO TOTAL DO TOMO

S 3 18 6 6O 2 8 6 24H 1 2 1 2

Nmero total de eltrons nas camadas de valncia dos tomos 32

Distribuindo os 32 eltrons das camadas de valncias, de acordo com as regras dadas anteriormente, chega-se facilmente ao diagrama de pontos representado a seguir.

S OO

O

H

O

H:

:: :

: :

: : : :

::

:

::

:

Neste diagrama de pontos todos os tomos de S e O tm seus octetos preenchidos, e cada um dos tomos de H perifricos atinge sua capacidade mxima de eltrons em sua camada de

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valncia, ao compartilhar 2 eltrons com o tomo de O vizinho. A partir deste diagrama de Lewis, e do nmero de pares de eltrons estereoativos ao redor do tomo central de O, igual a 4, todos compartilhados (a molcula do tipo AX4), pode-se prever que a geometria dos pares eletrnicos e molecular ser tetradrica regular, com ngulos O S O iguais a 109 28. A geometria resultante mostrada no esquema que se segue.

:

:S

OO

O

H

O

H

:

:

: ::

:

::

Se considerarmos o nion molecular SO42-, formado pela ionizao das duas ligaes O-H ao se dissolver cido sulfrico em gua, o problema de escrever o diagrama de pontos seme-lhante. A nica diferena que, no lugar das ligaes O-H agora h uma carga negativa em cada tomo de O da ligao original. Do ponto de vista do nmero total de eltrons presentes nas camadas de valncia dos tomos no h nenhuma mudana, pois os dois eltrons que eram provenientes dos tomos de H, agora so procedentes das cargas do nion, que equivale a dois eltrons a mais. Portanto, tanto a espcie neutra quanto a inica ter a mesma geometria te-tradrica regular ao redor do tomo central de S. Estas previses so verificadas experimental-mente, atravs dos mtodos de estudos adequados a cada caso, tanto no tocante aos valores dos ngulos O S O , quanto ao comprimento das distncias S O, todas iguais no nion SO42- !

No entanto, apesar da regra do octeto para os tomos de S e O estar sendo obedecida, e das previses feitas com base na geometria determinada pela TRPECV, os diagramas de ponto en-contrados em textos didticos e cientficos so ligeiramente diferentes do que montamos. Qual razo para esta aparente divergncia? O problema que a geometria proposta deve estar de acordo tambm com outras propriedades dos tomos, tais como suas eletronegatividades, distri-buies de cargas, etc. Para levar em conta essas propriedades, uma regra til a da determinao das Cargas Formais dos tomos que formam a molcula, ou on molecular, em estudo.

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As regras para a determinaes das Cargas Formais so simples, e implicam em comparar os eltrons que cada tomo que forma a molcula tinha quando estava isolado, em relao aos eltrons que tem, aps a formao da molcula. Depois de formada a molcula, os pares de eltrons isolados ao redor de cada tomo so contados integralmente para o tomo, pois esses eltrons continuam a pertencer integralmente ao tomo, no tendo havido mudana em relao situao em que o tomo tinha quando isolado. J quanto aos pares de eltrons com-partilhados, exatamente por serem compartilhados por dois tomos, contado um eltron para cada tomo. Destas consideraes surge a frmula geral que permite calcular a carga forma de cada tomo da molcula, dada a seguir, que representa a primeira regra do procedimento.

Carga Formal de um tomo = CF

CF = nmero de eltrons na camada de valncia do tomo isolado nmero de eltrons em pares isolados ao redor do tomo na molcula nmero de eltrons em pares com-partilhados ao redor do tomo na molcula.

Tomemos o caso da geometria proposta para o nion molecular [SO4]2-, mostrada a seguir, para determinar as cargas formais dos tomos na molcula, e apresentar as outras regras rela-tivas determinao das cargas formais durante o procedimento.

:

:

:

:

S

OO

O

O:

:

: :

:

:

:

:2-

Carga formal do tomo de S nesse diagrama = CFs = 6 - 0 - 8/2 = 6 - 0 - 4 = +2

Carga formal de cada tomo de O nesse diagrama = CFo = 6 - 6 - 2/2 = 6 - 6 - 1

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Primeiramente, nota-se que todos os tomos de O so equivalentes no diagrama, bastan-do um nico clculo de clculo formal para esses tomos. A segunda regra lgica que deve ser obedecida pelas Cargas Formais, que a soma de todas as cargas formais dos tomos que compe a molcula neutra, ou a espcie inica molecular, deve ser igual zero ou carga do on, respectivamente. Aplicando esta regra para o presente caso temos:

Somatria de todas as cargas formais dos tomos que compem

a espcie molecular = CF

(CF) de SO42- = 1 x (+2) + 4 x (-1) = +2 4 = -2

Estes resultados esto resumidos no esquema genrico que se segue, no qual foi usada a forma plana e simplificada, por facilidade. As cargas formais calculadas esto representadas em vermelho, colocadas entre parnteses, prximas dos tomos a que esto associadas.

:

OO

O

O

S

: :

::

: :

:

:

:

:: 2 +

(

(

1 -( (

1 -( (

1 -( (

1 -( (

A aplicao da segunda regra um meio seguro de testar se os clculos efetuados esto corretos! No presente caso, verifica-se que a segunda regra obedecida, pois a CF = -2, exata-mente a carga do on SO42- !

A terceira regra relativa ao procedimento, a que diz que, se vrias distribuies eletrnicas forem possveis para uma mesma geometria, as que tiverem cargas formais de sinais opostos em tomos adjacentes so as mais provveis. Se forem possveis vrias distribuies e existirem cargas formais de sinais opostos na distribuio proposta, as mais provveis so aquelas em que as cargas de sinais opostos estejam localizadas em tomos adjacentes. No caso de existirem

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cargas formais de apenas um sinal, as cargas devem estar localizadas em tomos no adjacen-tes. Estas regras s permitem propor distribuies eletrnicas que resultem na mxima atrao e a mnima repulso entre as cargas formais. A partir do esquema anterior, verifica-se que a terceira regra tambm obedecida pela distribuio eletrnica proposta para o on SO42-.

A quarta regra do procedimento diz que, caso que seja possvel propor distribuies eletr-nicas diferentes da determinada inicialmente, que, sem alterar o nmero total de eltrons da espcie molecular, minimizem as cargas formais ao redor de cada tomo da espcie, a distribui-o que resultar nas menores cargas formais para cada um dos tomos, ser a mais provvel.

Aplicando a quarta regra ao ltimo esquema apresentado, verifica-se que possvel cons-truir outra distribuio eletrnica, atravs do deslocamento de um dos pares eletrnicos ini-cialmente localizados em qualquer um dos tomos de O perifricos, para a regio entre o tomo de O e o tomo de S central. Desta mudana resulta a formao de uma ligao S = O, nesta direo especfica. Esta situao, com os valores das cargas formais recalculados, repre-sentada no esquema apresentado a seguir.

:

1 -( (

1 -( (

1 -( (

: :

:

: :

:

:

:

:: OO

O

O

S1 +

(

(

0( (

Como se v facilmente pelo esquema, agora h dois tomos que sofreram modificaes de suas distribuies eletrnicas, o tomo de S central e o tomo de O ligado por dupla ligao ao tomo central de S. As outras trs ligaes S O permaneceram com as mesmas distribuies eletrnicas, e com as mesmas cargas formais que possuam anteriormente. Os clculos das cargas formais dos tomos envolvidos na ligao S = O, e o atendimento da segunda regra, so mostrados a seguir.

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Carga formal do tomo de S central = CFS

CFS = 6 0 ( 2 x 5 ) = 6 0 5 = +1

Carga formal do tomo de O ligado por dupla ao S = CFo=

CFo== = 6 4 (2 x 2) = 6 4 2 = 0

CF = 1 x (1+) + 3 x (1-) + 1 x (0) = 1 + ( 3 - ) + 0 = 2-

A terceira e quarta regras tambm so obedecidas, pois os 3 tomos de O ligados ao to-mo de S por ligaes simples tm cargas formais de sinais diferentes, e a carga formal de S foi reduzida de uma unidade. importante notar que agora o tomo de S central tem 10 eltrons em sua camada de valncia, no mais obedecendo Regra do Octeto, formando um composto hipervalente, atravs da expanso da camada de valncia do tomo central de S. Como o nmero mximo de eltrons que pode ser atingido pelo tomo central de S 18, por ser um elemento do terceiro perodo, o S pode sofrer expanso de sua camada de valncia sem maiores problemas. Caso um elemento do segundo perodo estivesse como tomo central de uma espcie anloga, tal expanso no seria possvel, pois o nmero mximo de um elemento do segundo perodo 8, suficiente para formar apenas 4 ligaes!

Pode-se verificar facilmente que possvel abaixar ainda mais a carga formal positiva exis-tente ao redor do tomo central de S, pela repetio do procedimento anterior com mais um tomo de O ligado por ligao dupla. O resultado mostrado no esquema que segue, junto com o reclculo da carga formal do tomo de S central.

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:

1 -( (

1 -( (

: :

:

: :

:

:

:

:: OO

O

O

S 0( (0( (

0( (

Os clculos relativos aos dois tipos de tomos de O presentes no diagrama so os mesmos do caso anterior. Apenas o reclculo da carga formal do tomo central de S apresentado a seguir.

Carga formal do tomo de S central = CFS

CFS = 6 0 (2 x 6) = 6 0 6 = 0

Pela anlise dos resultados apresentados no diagrama que representa a situao, pode-se ve-rificar facilmente que todas as regras referentes s cargas formais so obedecidas - CF = 2 -, as cargas formais de mesma carga esto localizadas em tomos no adjacentes e ocorreu di-minuio da carga formal do tomo de S central, e de mais um tomo de O perifrico. Mais uma vez, no entanto, pode-se verificar que agora o tomo de S central passa a ter 12 eltrons em sua camada de valncia, mas ainda dentro de sua capacidade mxima de acomodar eltrons (18 eltrons).

A pergunta que se faz agora : o procedimento pode continuar ocorrendo, at que todas as ligaes entre o tomo central S e os tomos de O perifricos sejam transformadas em duplas, ocasio em que o tomo central de S ficaria com 16 eltrons ao seu redor, nmero de eltrons mais prximo da configurao eletrnica do gs nobre seguinte, com 18 eltrons? A resposta facilmente dada se repetirmos mais uma vez o procedimento anterior, chegando distribuio eletrnica esquematizada a seguir.

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1 -( (

: :

:

: :

:

:

:

:: OO

O

O

S 0( (0( (

1-(

(

0( (

A anlise desta distribuio mostra que a segunda e a terceira regra so obedecidas, mas no a quarta, pois a carga formal de S passou de zero na estrutura anterior para 1- na atual. Logo, a distribuio eletrnica mais provvel, de acordo com as regras simples de cargas formais seria a anterior. A geometria obtida continua sendo de um tetraedro regular, pois embora haja duas ligaes S = O e duas S O, do ponto de vista estrico, ligaes duplas ou simples ocupam uma nica direo do espao, sendo equivalentes para a determinao da geometria. Alis, baseado nisto, importante salientar que todas as distribuies levam sempre proposio da mesma geometria, a de um tetraedro perfeito em todos os casos!

A geometria e distribuio eletrnica mais provvel para o nion molecular, assim como as cargas formais de seus tomos, esto representadas no esquema que se segue.

:O:

:O

:

O: : :O:

:

:

( (1-

( (0

( (1-

( (0

S

2-

(

(

0

A anlise da distribuio eletrnica final proposta como a mais provvel pela aplicao das regras de cargas formais tambm se mostra compatvel com as eletronegatividades dos tomos que formam a molcula. Na escala de Pauling os valores de H, S e O so iguais a 2,20, 2,58 e 3,44, respectivamente. De acordo com esses valores de eletronegatividade, as cargas negativas do on molecular devem estar localizadas sobre os tomos de O. Os valores de cargas formais

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calculados so compatveis com estas informaes, indicando que a distribuio eletrnica proposta plausvel.

Experimentalmente, sabe-se que as quatro ligaes entre o tomo central de S e os tomos de O perifricos so todas iguais, apresentando comprimentos iguais. Na distribuio eletr-nica proposta, aparentemente haveria duas distncias de ligao diferentes, pois duas ligaes so representadas como ligaes S O e duas como ligaes duplas S = O. Como as ligaes duplas so previstas serem mais fortes, elas deveriam ser mais curtas que as ligaes simples. Na realidade, esta situao decorrncia da inadequao de se supor que os pares de eltrons esto localizados entre tomos adjacentes especficos. Como a formao das duas duplas liga-es S = O igualmente provvel de ocorrer entre o tomo central e qualquer um dos tomos de H perifricos, a situao resolvida pela aplicao do conceito de ressonncia, j introdu-zido anteriormente. Segundo este conceito, a distribuio eletrnica do on molecular SO42- seria a formada por todas as estruturas de ressonncia possveis, resultando numa situao em que as duas duplas ligaes estariam igualmente distribudas pelas quatro ligaes S O, de modo que cada ligao tivesse uma ordem de ligao total igual a uma ligao simples e de ligao dupla (duas ligaes distribudas entre quatro pares de tomos), todas equivalentes. O resultado mostrado a seguir.

= densidade eletrnica deslocalizada

:O:

:O

:

O

:

:

S

2-

O: :

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5.2 O caso em que no h tomo central na molcula

Este ser o ltimo caso abordado, devido utilidade que pode assumir, por permitir uma primeira abordagem de molculas orgnicas sem envolver orbitais atmicos, utilizando apenas as regras da TRPECV.

Iniciemos empregando as regras da TRPECV ao caso da molcula estvel com composio C2H6, o etano. Os tomos de H e C presentes na molcula apresentam 1 e 4 eltrons em suas camadas de valncia, respectivamente. Um balano do nmero total de eltrons presentes nas camadas de valncia dos tomos que a compe igual a 14 (6 x 1 = 6 dos tomos de H, e 2 x 4 = 8, dos tomos de C) .

Como os tomos de H s podem ser perifricos, pois s so capazes de formar uma ligao cada, a nica possibilidade que resta os dois tomos de C ocuparem a poro central da mo-lcula, com os 6 tomos de H ao redor deles, trs tomos de H por tomo de C. O esquema apresentado a seguir.

HC

H

H

CH

H

H

Os 14 eltrons contabilizados formam 7 pares de eltrons, que so distribudos inicialmente de modo a haver um par de eltrons entre todos os tomos adjacentes. O esquema resultante mostrado a seguir.

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: :

::HC

H

H

CH

H

H

:: :Contando os eltrons neste esquema, v-se que todos os 14 eltrons presentes nas cama-

das de valncia dos tomos foram utilizados. Contando-se os eltrons ao redor de cada um dos tomos que compe a molcula, verifica-se que cada tomo de carbono, um elemento do segundo perodo, atingiu sua capacidade mxima de acomodar eltrons em sua camada de va-lncia, que igual a 8. Quanto aos tomos de H, todos eles completaram suas capacidades de acomodar eltrons, igual a 2 para um elemento do primeiro perodo.

Agora, como a molcula no tem um tomo central, devemos considerar os pares de el-trons em torno de cada um dos tomos de carbono. A partir do diagrama fcil ver que h 4 pares de eltrons compartilhados em torno de cada tomo de carbono. Assim, para cada tomo de carbono est prevista uma geometria tetradrica perfeita para os pares eletrnicos ao seu redor. Como no h par de eltrons isolados, a geometria molecular ser a mesma da dos pares eletrnicos, sendo cada tomo de carbono tetradrico, com ngulos H C H iguais a 109 28. A geometria da molcula apresentada no esquema que se segue.

H

CH

H

CH

H H

109 28'

Consideremos agora a molcula estvel de frmula molecular C2H4. Por razes idnticas a do caso anterior, a nica distribuio possvel dos tomos a dada no esquema que se segue.

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C

H

H

C

H

H

A contagem dos eltrons presentes nas camadas de valncia dos tomos de C e H que compe a molcula igual a 12, pois h dois tomos de H a menos que no caso anterior. Ao se distribuir os 6 pares de eltrons entre cada par de tomos adjacentes, verifica-se que h so-mente 5 pares distintos de tomos, sobrando 1 par de eltrons. O nico meio de utiliz-lo colocando-o entre os dois tomos de C, formando uma dupla ligao, j que cada tomo de H comporta apenas 1 par de eltrons. O esquema resultante mostrado a seguir.

:

:

CH

HCH

H

:::

:

A anlise dos pares de eltrons ao redor de cada tomo que compe a molcula mostra que tantos os tomos de H quanto os de C atingiram suas capacidades mximas de acomo-dar eltrons em suas camadas de valncia. Agora, em torno de cada tomo de C h trs pares de eltrons estereoativos (uma ligao dupla e duas simples). Para um tomo com 3 pares de eltrons compartilhados ao seu redor, est prevista uma geometria trigonal plana regular, com ngulos H C H iguais a 120. A representao da geometria da molcula no plano hori-zontal mostrada a seguir.

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H

C

H

H

C

H

120

Embora no se pretenda prolongar mais este assunto, as Regras de Cargas Formais tambm podem ser aplicadas no estudo de casos em que vrias seqncias de tomos podem ser aco-modadas para uma dada frmula molecular. Por exemplo, simplesmente a aplicao das regras ao nion de carga -1, formado por 1N, 1C e 1S, permite propor a seqncia de tomos mais plausvel, NCS-, que coincide com a determinada experimentalmente!

Referncias ATKINS, P.; JONES. Princpios de qumica: questionando a vida moderna e o meio am-biente. Porto Alegre: Bookman, 2001.

KOTZ, J. C.; TREACHEL, P. M; WEAVER, G. C. Qumica geral e reaes qumicas. ; So Paulo: Editora Cengage Learning, 2010. v. 1. Traduo da 6. ed. americana.

LEWIS, G. N. The Atom and the Molecule. Journal of the American Chemical Society, v. 38, n. 4, p. 762-785, Apr. 1916. DOI: 10.1021/ja02261a002.

- PERUZZO, T. M.; CANTO, E. Qumica na abordagem do cotidiano. 4. ed. So Pau-lo: Moderna, 2006. v. 1

MORTIMER, E. F.; MACHADO, A. H. Qumica para o ensino mdio. So Paulo: Scipione, 2008. (Srie Parmetros).

QUMICA NOVA NA ESCOLA. So Paulo: Instituto de Qumica USP, maio 2001. Cadernos temticos n. 4. Disponvel em: . Acesso em: 15 jan. 2011.

http://qnesc.sbq.org.br/online/cadernos/04/

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Luiz Antonio Andrade de Oliveira

Camila Silveira da Silva

Olga Maria Mascarenhas de Faria Oliveira

Ficha da Disciplina:

LigaoQumica

http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.jsp?id=K4783116D2http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.jsp?id=K4736047U6http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.jsp?id=K4788359T8

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Estrutura da DisciplinaSemana Temas Ativ. Datas

11. Evoluo Histrica do Conceito de Ligao Qumica

1 4/abr a 10/abr

2

2. A ligao Qumica no Contexto do tomo Divisvel2.1 Regra do Octeto: Importncia Histrica, Limites de sua Utilizao

2 11/abr a 17/abr

3

3. Ligao Qumica: Conceito e Tipos3.1 Caractersticas Gerais das Ligaes Qumicas: Ligao Covalente3.2 Caractersticas Gerais das Ligaes Qumicas: Ligao Inica 3.3 Caractersticas Gerais das Ligaes Qumicas: Ligao Metlica3.4 Caractersticas Gerais das Ligaes Qumicas: Ligaes (ou Interaes) Intermoleculares

3, 4, 5 18/abr a 24/abr

4

4. Ligao Covalente em Entidades Isoladas4.1 Ligao Covalente versus Inica - O Caso do NaCl e do HCl4.2 Geometria de Molculas Isoladas: Teoria da Repulso dos Pares de Eltrons da Camada de Valncia (TRPECV) 4.3 Outros Exemplos de Aplicao da TRPECV

7, 8, 9 25/abr a 1/mai

5

5. Obedecer ou no a Regra do Octeto? 5.1 O Caso do H2SO4 e do nion SO42-

5.2 O Caso em que no h tomo Central na Molcula.

10, 11, 12, 13

2/mai a 8/mai

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ResumoA busca da compreenso do por que a matria sofre transformaes, gerando nova matria

com propriedades diferentes das iniciais, e as explicaes para essas transformaes, tm ocu-pado a mente humana desde a Antiguidade. S muito mais recentemente estas transformaes foram interpretadas como sendo decorrente da quebra e formao de ligaes qumicas.

Atualmente, a ligao qumica interpretada como resultante da interao entre os el-trons das camadas de valncia dos tomos que formam uma substncia. Esses eltrons so atrados por todos os ncleos dos tomos que compem a substncia, e ao mesmo tempo interagem e se repelem entre si, tendo como resultado final um abaixamento de energia da substncia formada em relao aos tomos iniciais isolados.

O comportamento dos eltrons ligados aos ncleos de cada um dos tomos isolados que for-mam uma substncia, por sua vez, a rigor descrito luz dos conceitos da Qumica Quntica. Deste modo, a descrio da ligao qumica requer, em algum grau, a utilizao de conceitos associados descrio probabilstica do eltron, envolvendo termos como orbital, densidade eletrnica, sobreposio de orbitais, ordem de ligao, dentre outros.

Segundo definio recomendada pela IUPAC, diz-se que h uma ligao qumica entre dois tomos ou grupos de tomos quando h foras atuando entre eles, de modo que leve formao de um agregado com estabilidade suficiente que torne conveniente para o qumico consider--lo como uma espcie molecular independente. Com base nesta definio so quatro os tipos de interaes existentes entre os tomos que formam uma substncia qumica: ligao inica, ligao covalente, ligao metlica e interaes intermoleculares.

As trs primeiras interaes ligao inica, covalente e metlica - so fortes, e cons-tituem o que tradicionalmente includo nos livros didticos como ligaes qumicas. O quarto tipo de interao as interaes moleculares normalmente muito mais fraca que as trs primeiras, e usualmente no so classificadas nos textos didticos tra-dicionais como ligaes qumicas. Embora mais fracas, as interaes intermoleculares so muito importantes na compreenso das caractersticas fsicas de uma substncia, como por exemplo, o ponto de fuso, densidade de suas fases, estrutura e estabilidade de protenas e DNA.

Este importante aspecto da Qumica, a ligao qumica, que juntamente com a estru-tura e reatividade das substncias, constitui a espinha dorsal do conhecimento qumico atual, ser o objeto do terceiro mdulo do nosso Curso.

Pr-Reitora de Ps-graduaoMarilza Vieira Cunha Rudge

Equipe CoordenadoraCludio Jos de Frana e Silva

Rogrio Luiz BuccelliAna Maria da Costa Santos

Coordenadores dos CursosArte: Rejane Galvo Coutinho (IA/Unesp)

Filosofia: Lcio Loureno Prado (FFC/Marlia)Geografia: Raul Borges Guimares (FCT/Presidente Prudente)

Ingls: Mariangela Braga Norte (FFC/Marlia)Qumica: Olga Maria Mascarenhas de Faria Oliveira (IQ Araraquara)

Equipe Tcnica - Sistema de Controle AcadmicoAri Araldo Xavier de Camargo

Valentim Aparecido ParisRosemar Rosa de Carvalho Brena

SecretariaMrcio Antnio Teixeira de Carvalho

NEaD Ncleo de Educao a Distncia(equipe Redefor)

Klaus Schlnzen Junior Coordenador Geral

Tecnologia e InfraestruturaPierre Archag Iskenderian

Coordenador de Grupo

Andr Lus Rodrigues FerreiraGuilherme de Andrade Lemeszenski

Marcos Roberto GreinerPedro Cssio Bissetti

Rodolfo Mac Kay Martinez Parente

Produo, veiculao e Gesto de materialElisandra Andr Maranhe

Joo Castro Barbosa de SouzaLia Tiemi Hiratomi

Liliam Lungarezi de OliveiraMarcos Leonel de Souza

Pamela GouveiaRafael Canoletti

Valter Rodrigues da Silva

Marcador 1Vdeo da Semana5. Obedecer, ou no, a regra do octeto?5.1 O Caso do H2SO4 e do nion SO42-5.2 O caso em que no h tomo central na molcula

Referncias

Boto 2: Boto 3: Boto 6: Boto 7: Boto 38: Pgina 3:

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