Aula 16

Modelagem do TBJ

(pág. 251 a 261)

Prof. Aparecido Nicolett

PUC - SP

Slide 1 Modelagem do TBJ

• Um modelo é a combinação de elementos de circuito, apropriadamente selecionados, que

melhor aproximam o funcionamento real de um dispositivo semicondutor sob condições

específicas de operação.

Figura 7.3: Circuito para análise.

Circuito equivalente CA:

1. Fontes de tensão CC substituídas

por curto-circuito.

2. Capacitores substituídos por curto-

circuito.

3. Fontes de corrente CC substituídas

por circuito aberto.

Slide 2

Figura 7.4

Figura 7.5

Slide 3

Sistema de

duas portas

Zi: Impedância de entrada Av: Ganho de tensão

Zo: Impedância de saída Ai: Ganho de corrente

Slide 4 Impedância de entrada, Zi

Ii

ViZi =

[7.1]

Rsense

ViVsIi

−=

[7.2]

Impedância de saída, ZoSlide 5

Io

VoZo =

Rsense

VoVIo

−=

[7.4]

[7.5]

Ganho de tensão, AvSlide 6

Vi

VoAv =

it)(opencircuRVi

VoA

LVNL

Ω∞==

[7.6]

[7.7]

Slide 7 Ganho de corrente, Ai

LR

ZiAvAi −=

Ii

IoAi =

[7.10]

[7.9]

Slide 8 Relações de fase

Configurações:

• Emissor-Comum (EC): defasagem de 180o entre Vi e Vo

• Base-Comum (BC): defasagem de 0o entre Vi e Vo

• Coletor-Comum (CC): defasagem de 0o entre Vi e Vo

Slide 9 Modelo re do TBJ

Configuração Base-Comum

E

e

I

26mVr =

Slide 10 Circuito re equivalente base-comum

[7.11]

erZi =

Ω∞≅Zo [7.12]

[7.12]

Slide 11

erZi =

Ω∞≅Zo

Para a configuração base-comum, valores típicos de Zi

variam de poucos ohms até um máximo de cerca de 50 Ω.

Para a configuração base-comum, valores típicos de Zo estão

na faixa de MΩ.

IC

VCBZo

∆

∆=

∆VCB

∆IC

Slide 12

re

RL.

re.Ie

RL.Ie.

Vi

VoAv

α=

α==

Ganho de tensão, Av

re.IeZi.IeVi

RL.Ie.RL).Ic(RL.IoVo

==

α=−−=−=[7.14]

Slide 13

α−=α

−=−

==Ie

Ie.

Ie

Ic

Ii

IoAi

Ganho de tensão, Ai

[7.15]

Slide 14 Circuito emissor-comum

IbIe

Ib)1(Ie

Ib.Ic

β≅

+β=

β=

[7.17]

[7.18]

[7.16]

Slide 15 Circuito equivalente emissor-comum

Ib

re.Ib).1(

Ib

re.Ie

Ib

Vbe

Ii

ViZi

+β====

re.1

re).1(

Ii

ViZi β≈

+β== [7.19]

Impedância

de

entrada

Slide 16Impedância de saída, Zo

IC

VCEZo

∆

∆=

∆VCE

∆IC2

∆IC1

Valores típicos de Zo na

faixa de 40 k a 50 kΩ.

Slide 17

re..Ib

RL.Ib.

Vi

VoAv

re..IbZi.IiVi

RL.Ib.RL.IcRL.IoVo

β

β−==

β==

β−=−=−=

re

RL

Vi

VoAv −==

[7.21]

Slide 18

[7.22]β−=

β−=

−==

Ib

Ib.

Ib

Ic

Ii

IoAi

ro=∞Ω

Slide 18

re

Modelo “re” para a configuração do TBJ considerando “ro”