Apresentao do PowerPoint

Nanoestrutura ordenado de um nico nanofio cristalino de GaN em uma estrutura de favo de mel (membrana) de alumina andica.

UNIVERSIDADE FEDERAL DO AMAZONAS.FACULDADE DE TECNOLOGIA FT ENGENHARIA DE MATERIAISNANOMATERIAIS

Luzia Leal

Vapor-Lquido-Slido

Sntese de nanofios por VLSMembrana de alumina por meio de anodizao.Crescimento de nanofios nos poros da membrana por VLS.1 Etapa2 EtapaSntese nanofiosCaractersticas do Processo

Os poros da membrana so de 20 nm de dimetro e 45 mm de profundidade, com o espaamento de poro de 60 nm.O nanocanal restringe a nanofios GaN a crescer preferencialmente ao longo do eixo nanocanal e define o dimetro de GaN nanofios.

Vantagens e Desvantagens Desvantagem:Dificuldade do Controle do tamanho partcula depositada pelo vaporizao do catalizador (fase lquida);

Vantagem:Dimetro do nanofios bem definido de acordo com o dimetro dos poros da membrana.

Caractersticas do Processo

RefernciaG.S. Cheng, L.D. Zhang, S.H. Chen, Y. Li, L. Li, X.G. Zhu, Y. Zhu, G.T. Fei, Y.Q. Mao: Ordered nanostructure of single-crystalline GaN nanowires in a honeycomb structure of anodic alumina, J. Mater. Res. 15, 347350 (2000)Y.F. Zhang, Y.H. Tang, N. Wang, C.S. Lee, I. Bello, S.T. Lee: Germanium nanowires sheathed with an oxide layer, Phys. Rev. B 61, 45184521 (2000)